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AE-808-N-H-2-2070-3R3-50M000000|美国安德森晶振|3225mm振荡器

AE-808-N-H-2-2070-3R3-50M000000|美国安德森晶振|3225mm振荡器

产品简介

AE-808-N-H-2-2070-3R3-50M000000|美国安德森晶振|3225mm振荡器,美国安德森晶振,AE808振荡器,进口晶振,AE-808-N-H-2-2070-3R3-50M000000晶振,有源晶振,石英晶体振荡器,SMD晶振,3225mm晶振,四脚贴片晶振,频率50MHz,电压3.3V,频率稳定性20ppm,工作温度-20~70°C,高可靠性晶振,小体积晶振,高品质晶振,移动应用晶振,数字设备晶振,光纤通道晶振,以太网设备晶振.

产品详情

TH-1 890

Ja-1

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TH-2 890

TH--TC2

AE-808-N-H-2-2070-3R3-50M000000|美国安德森晶振|3225mm振荡器规格表

案例 AE808 N H 2 2070 3R3 50M000000
启动 N No Connect
T Tri-State
输出 T TTL/CMOS
H HCMOS
L LVCMOS
温度稳定性 1 ±10 ppm
2 ±20 ppm
3 ±30 ppm
5 ±50 ppm
Z ± Custom
工作温度 5505 Custom (-55°C to +105°C)
4085 -40° to +85°
3060 -30° to +60°
2070 -20° to +70°
电源电压 3R3 +3.3V
3R0 +3.0V
2R5 +2.5V
1R8 +1.8V
1R5 +1.5V
存储温度 -55°C to +125°C
输入电流 5mA maximum (Based on Supply Voltage)
负载 15pf /10 TTL Gates
占空比 40% to 60% (45% to 55% optional)
上升/下降时间 (10% to 90%) 15 nS (maximum)
启动时间 10 mS maximum
输出电压电平 High (Minimum) 90 %Vcc
Low (Maximum) 10
TH-3 890

TH--WHP1

AE-808-N-H-2-2070-3R3-50M000000|美国安德森晶振|3225mm振荡器尺寸图

AE808-1

AE808

TH-6 890

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