CRYSTEK晶振,贴片晶振,C18xx晶振,LVCMOS晶体振荡器，Crystek公司 成立于1958年，是射频微波和频率控制行业的高性能技术全球领导者。Crystek公司广泛的产品包括多种终端市场，包括无线，微波无线电，电信，工业，企业，航空航天和政府部门。Crystek公司是一家通过ISO9001：2008认证的企业，总部位于佛罗里达州迈尔斯堡
CrystekCorporation®自1958年以来一直提供频率产品，包括石英晶体，XO（时钟振荡器），TCXO（温度补偿晶体振荡器），VCO（压控振荡器）和VCXO（压控晶体振荡器）。Crystek经营两个专门用于频率控制的部门。
rystek晶体致力于开发和制造使用石英谐振器的频率产品。Crystek Microwave为微波行业开发频率控制和支持产品。其他产品包括：PLL（锁相环）合成器，RedBox VCO，RF同轴电缆组件，射频电缆连接器，批量射频同轴电缆，RF功率检测器，滤波器，衰减器，直流模块，无源倍增器，RFPRO（袖珍参考振荡器），基于SAW的时钟振荡器和VCSO以及功率调节器。CRYSTEK晶振,贴片晶振,C18xx晶振,LVCMOS晶体振荡器
7050mm体积的温补晶振（TCXO）,是目前有源晶振中体积最小的一款,产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 对应IC可能) 高度：最高0.8 mm,体积：0.0022 cm3,重量：0.008 g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.（可对应回流焊）无铅产品.满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,带有AFC（频率控制）功能,Enable/Disable功能,产品本身可根据使用需要进行选择.
具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度：最高1.0 mm,体积：0.007 cm3,重量：0.024g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.（可对应回流焊） 无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.CRYSTEK晶振,贴片晶振,C18xx晶振,LVCMOS晶体振荡器
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CRYSTEK晶振规格 |
单位 |
C18xx晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
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标准频率 |
f_nom |
1.544-110.000MHz |
标准频率 |
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储存温度 |
T_stg |
-45°C ～90°C |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
0°C ～ +70°C |
标准温度 |
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激励功率 |
DL |
50μW Max. |
推荐:1μW ～ 100μW |
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频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息, / |
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频率温度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/25°C |
超出标准的规格请联系我们. |
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负载电容 |
CL |
15pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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频率老化 |
f_age |
±100× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
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1.硅MEMS振荡器的弹性和可靠性，CRYSTEK晶振,贴片晶振,C18xx晶振,LVCMOS晶体振荡器
介绍
振荡器历来是由连接到模拟保持电路的石英晶体谐振器制成的，该电路驱动谐振器以特定频率振动。现在，还有一种替代方案 - 硅MEMS振荡器 - 这些器件在嘈杂的环境中性能优于石英振荡器。驱动更高速的电信和移动应用对时钟源提出更高的要求。
另外，更复杂的电子设备和更高的时钟频率使得时钟设备在嘈杂的环境中继续表现良好。本文介绍了在石英和硅MEMS振荡器上进行的对比实验的结果。数据表明，MEMS振荡器在现实环境条件下优于石英。
振荡器供应商提供每个产品的数据表，说明频率稳定性，抖动和相位噪声等性能参数。尽管数据手册是选择计时设备的良好指标，但用户还必须评估这些设备在实际环境条件下的表现。在模拟真实操作环境中所见的条件下进行测试，可以提供有关真实组件性能的有价值信息。受到诸如电磁干扰（EMI），振动以及来自电源或其他系统组件的环境压力的振荡器的性能与理想条件下的振荡器相比将会降低。最终，环境压力因素可能会降低设备的可靠性和使用寿命。在实际情况下考虑振荡器的性能非常重要，
硅MEMS的优势
硅MEMS振荡器与石英振荡器相比具有一些固有的优势，可以使它们在各种环境中可靠地工作。ILSI MMD开发了MEMSFirstTM工艺，其中谐振器完全封装在硅中并封装在微型真空室内[1]。非常小的谐振器质量和刚性硅晶体结构的组合使其具有耐用性，并且非常耐外部应力，如冲击和振动。此外，振荡器中优化设计的模拟电路可在电噪声条件下提供高性能。
图1中的MEMS振荡器架构示意图显示了有助于提高性能和可靠性的关键组件，包括精细调谐的硅MEMS谐振器，振荡器维持电路，高精度N分频锁相环（PLL）以及具有全差分电路。CRYSTEK晶振,贴片晶振,C18xx晶振,LVCMOS晶体振荡器
