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SMI晶振,SXO-2016HGED低电压晶振,GPS定位器专用晶振，2016mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,该产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站。

日本SMI晶振是Crystal Technology的新兴领导者。积极为频率控制元器件电子产品社会做出贡献，在稳步的研究和努力的基础上，快速开发先进的水晶产品。我们专注于最新的SMD晶振版本的日产晶振单元，石英晶振，贴片晶振，有源晶振，时钟OSC，温补晶振TCXO，压控晶振VCXO，恒温晶振OCXO，石英晶体振荡器和MCF。并提供高质量和高稳定性的产品，支持高可靠性数据，频率范围从16.000kHz（低）到350.000MHz（高），严格的质量控制和严格的运输检查。除了SMD晶振版本，我们还可以提供通孔型产品。

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Item		Specifications
General part number		SXO-2016HGED
Frequency range		13.000 MHz to 52.000 MHz
Initial frequency tolerance at +25℃±2℃		±1.5 ppm max.*2
Frequency Stability	Temperature range	±0.5 ppm max. over-30℃to +85℃(referred to +25℃)
	Input voltage change	±0.1 ppm max. at VDD±5% DC
	Output load change	±1 ppm max. at 10 kΩ±10% with 10 pF±10%
	Aging	±1 ppm max. per year at +25℃±3℃
Operating Conditions	Operating temperature	-30℃ to +85℃ (Standard)
		-40℃ to +85℃ (W = Option, frequency dependent)
	Supply voltage (VDD)	D=+1.8V, F=+2.5V, H=+2.8V, J=+3.0V, K=+3.3V DC±5%
	E/D control voltage (Pin#1)	VIH: 80% VDDmin. (Enable) VIL: 20% VDDmax. (Disable)
Absolute Max. Ratings	Supply voltage	-0.6V to +4.6V DC
	E/D Vcontrol voltage (Pin#1)	-0.6V to VDD+0.6V (+4.6V max.)
	Storage temperature	-40℃ to +85℃
Input current		1.5 mA max. (13.000 MHz to 30.000 MHz)
		1.7 mA max. (30.000 MHz to 40.000 MHz)
		2 mA max. (40.000 MHz to 52.000 MHz)
Disable current		2 μA max. (Pin#1 = VIL)
Output	Level	0.8 Vp-p min.
(-40℃ to +85℃)	Load	10 kΩ // 10 pF
	Waveform	Clipped sine wave (DC-coupling)
Harmonic distortion		-5 dBc max.
Start-up time		2 ms max.
SSB phase noise		-135 dBc / Hz, Typical at 1 kHz offset
Short-term frequency stability		±1 ppb max. (Allan variance Tau = 0.1 sec.)
IR reflow resistance		±1 ppm max. (referred to frequency before reflow)
Reflow condition		+250℃±10℃ for 10 seconds
		+170℃±10℃ for 1 to 2 minutes (preheating)
Standard frequencies (MHz)		16.368, 16.369, 19.200, 26.000, 27.456, 33.600, 38.400, 52.000
Optional Operating Temperature*3	Low limit / Symbol	-10℃/g	-15℃/h	-20℃/i	-25℃/j	-30℃/k	-35℃/l	-40℃/m
	High limit / Symbol	+55℃/ff	+60℃/gg	+65℃/hh	+70℃/ii	+75℃/jj	+80℃/kk	+85℃/ll

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SMI晶振,SXO-2016HGED低电压晶振,GPS定位器专用晶振

热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受损害的石英晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.
安装方向
石英晶体振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.
通电
不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作.
有源晶振的负载电容与阻抗
负载电容与阻抗有源晶振设置一个规定的负载阻抗值.当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时,指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形.特别是设置电抗,根据规范的负载阻抗.输出频率和输出电平,当测量输出频率或输出水平,石英晶体振荡器调整的输入阻抗,测量仪器的负载阻抗晶体振荡器.当输入阻抗的测量仪器,不同的负载阻抗的晶体振荡器,测量输出频率或输出水平高,阻抗阻抗测量可以忽略.
抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种贴片石英晶振,其内部晶片都是贴片晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.
耐焊性：
将晶振加热包装材料至+150℃以上会破坏产品特性或损害产品.如需在+150℃以上焊接石英晶振,建议使用有源贴片晶振产品.在下列回流条件下,对石英耐高温晶振产品甚至晶振使用更高温度,会破坏晶振特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.

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