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爱普生晶振,压控晶振,VG-4231CA晶振,7050贴片大体积CMOS晶振,VG-4231CA 25.0000M-FGRC3

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产品简介

压控晶振VCXO)压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60 MHz200 MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用:SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用,符合RoHS/无铅

产品详情


APS-1

爱普生株式会社EPSON晶振,爱普生拓优科梦,(EPSON — YOCOM)1942年成立时是精工集团的第三家手表制造公司,以石英手表起家的爱普生公司到后续的生产压电石英晶振, "VG-4231CA 25.0000M-FGRC3"晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器, 压控晶体振荡器(VCXO)、温补晶体振荡器(TCXO)。1996年2月在中国苏州投资建厂,在当时员工人数就达2000人,总投资4.055亿美元,公司占地200亩,现已经是世界500强企业。爱普生晶振,压控晶振,VG-4231CA晶振,7050贴片大体积CMOS晶振

日本精工爱普生晶振接受了中国苏州政府2007 年的招商引资,命名为【爱普生拓优科梦水晶元器件(苏州)有限公司】 爱普生拓优科梦(Epson Toyocom)是精工晶振株式会社与爱普生晶振(中国)有限公司共同投资成立的有限责任公司(外商合资)TH-1 890

爱普生晶振,压控晶振,VG-4231CA晶振,7050贴片大体积CMOS晶振,"VG-4231CA 25.0000M-FGRC3"小型贴片石英晶振主要采用了,先进的晶片的抛光工艺技术,是晶体行业中石英晶片研磨技术中表面处理的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,大大的降低谐振电阻,使精度得到了很大的提升。改变了传统的生产工艺,使产品在各项参数得到了很大的改良。,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求。

根据需要采用不同输出。(HCMOS,SINE,TTL,PECL,LVPECL,LVDS,LVHCMOS等)每种输出类型都有它的独特波形特性和用途。应该关注三态或互补输出的要求。对称性、上升和下降时间以及逻辑电平对某些应用来说也要作出规定,根据客户需要我们可以帮助客户选择合适的贴片晶振类型型。TH-2 890

项目

符号

规格说明

条件

输出频率范围

f0

1MHz - 60 MHz

请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息

电源电压

VCC

3.3 V / 5.0V


储存温度

T_stg

-40 °C to +125 °C

裸存

工作温度

T_use

J:20-+70 °C

请联系我们查看更多资料/

K:0 - +70 °C

频率稳定度

f_tol

±50 × 10-6 Min

40~ +85 °C

功耗

ICC

H:20 mA Max. , C: 10 mA Max

无负载条件

待机电流

I_std

H:15 mA Max. , C: 7 mA Max.

OE=GND

占空比

SYM

40 % - 60 %

CMOS 负载: 50 % VCC 极

输出电压

VOH

0.4 VccMin.

IOH=-4 mA(**H), IOH=-0.8 mA(**C)

IOL=4 mA(**H ), IOL=3.2 mA(**C)

VOL

0.4Vcc Max.

输出负载条件

L_ECL

15PF Max.

CMOS 负载

输入电压

VIH

70% VCCMin.

OE终端

VIL

30% VCC Max.

上升/下降时间

tr / tf

4ns Max.

LV-PECL: 20% ~ 80% (VOH-VOL)

振荡启动时间

t_str

10 ms Max.

在电源电压最低时,所需时间为0 秒

频率老化

f_aging

±10 × 10-6/ year Max.

+25 °C

VG-4231CB晶振原厂编码表:

X1G0045510003 VG7050EBN 698.812335MHz CJGHBZ 7.00x5.00x1.50mm LV-PECL N/Appm -40to85°C +/-50ppm Includedinfrequencytolerance ≤90mA
X1G0045510004 VG7050EBN 794.727753MHz CJGHBZ 7.00x5.00x1.50mm LV-PECL N/Appm -40to85°C +/-50ppm Includedinfrequencytolerance ≤90mA
X1G0045510007 VG7050EBN 693.482990MHz CJGHBZ 7.00x5.00x1.50mm LV-PECL N/Appm -40to85°C +/-50ppm Includedinfrequencytolerance ≤90mA
X1G0045510008 VG7050EBN 698.812300MHz CJGHCZ 7.00x5.00x1.50mm LV-PECL N/Appm -40to85°C +/-50ppm Includedinfrequencytolerance ≤90mA

TH-3 890

VG-4231CA 4232CA

TH-4 890

存储事项,爱普生晶振,压控晶振,VG-4231CA晶振,7050贴片大体积CMOS晶振,"VG-4231CA 25.0000M-FGRC3"

(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存CMOS输出压控晶振产品时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些晶体产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏。

正常温度和湿度:

温度:+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH(请参阅“测试点JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的标准条件”章节内容)。

(2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。

7050压电控制晶振安装时注意事项

耐焊性

加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接晶体产品,建议使用SMD产品。在下列回流条件下,对晶体产品甚至SMD产品使用更高温度,会破坏产品特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些产品之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶体产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。

(1)柱面式产品和超低噪音7050晶振产品

型号 焊接条件

[ 柱面式 ] C-类型,C-2-类型,C-4-类型 +280°C或低于@最大值5 s

请勿加热封装材料超过+150°C

[ 柱面式 ] CA-301 [ DIP ] SG-51 / 531, SG-8002DB DC,RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s

请勿加热封装材料超过+150°C

(2)SMD产品回流焊接条件(实例)

用于JEDEC J-STD-020D.01回流条件的耐热可用性需个别判断。请联系我们以便获取相关信息。

尽可能使温度变化曲线保持平滑。爱普生晶振,压控晶振,VG-4231CA晶振,7050贴片大体积CMOS晶振,"VG-4231CA 25.0000M-FGRC3"TH-5 890

爱普生株式会社EPSON差分输出压控晶振通过追求以QMEMS 技术为核心的“省、小、精”技术,来推动具有领先性的环保活动,把降低 环境负荷作为一种顾客价值提供给顾客。

创造并提供专研了“省、小、精”的32.768K钟表晶振,温补晶振晶振,石英晶振,"VG-4231CA 25.0000M-FGRC3",有源晶振,压控振荡器等水晶元器件及其关联产品;并且构筑和革新既可以降低 环境负荷又可以提高生产性的生产流程的活动。

爱普生株式会社EPSON进口有源晶体振荡器不仅遵守与环保相关的法规、条例及其他本公司赞同的要求事项,也根据需要自主性的制定基准,通过持续性的展开环保活动来预防污染。

在设定环保目的与目标展开活动的同时,定期重审环境管理体系,努力提高环保活动的水平。

爱普生株式会社EPSON有源六脚石英晶振通过与地区的交流及社会贡献活动,为地区的环保做贡献。

将环保活动的信息向公司内外公开,积极努力的与地区社会及相关人员建立信赖关系,为社会的发展做出贡献。

通过此方针的公文化,在向公司员工及从事本事业领域业务的所有相关人员彻底传达的同时,也向公司外部公开。爱普生晶振,压控晶振,VG-4231CA晶振,7050贴片大体积CMOS晶振

爱普生VCXO压控系列晶振规格表:

VG-4231CB 54.000000MHz JGCZ 5.00x3.20x1.20mm CMOS +/-100ppm -20to70°C +/-50ppm Includedinfrequencytolerance ≤10mA
VG-4231CB 57.272727MHz JGCZ 5.00x3.20x1.20mm CMOS +/-100ppm -20to70°C +/-50ppm Includedinfrequencytolerance ≤10mA
VG-4231CB 56.750000MHz JGCZ 5.00x3.20x1.20mm CMOS +/-100ppm -20to70°C +/-50ppm Includedinfrequencytolerance ≤10mA
VG-4231CB 57.000000MHz JGCZ 5.00x3.20x1.20mm CMOS +/-100ppm -20to70°C +/-50ppm Includedinfrequencytolerance ≤10mA
VG-4231CB 27.000000MHz GGCZ 5.00x3.20x1.20mm CMOS +/-100ppm -40to85°C +/-50ppm Includedinfrequencytolerance ≤10mA
VG-4231CB 16.111888MHz JGCZ 5.00x3.20x1.20mm CMOS +/-100ppm -20to70°C +/-50ppm Includedinfrequencytolerance ≤10mA
VG-4231CB 24.545454MHz JGCZ 5.00x3.20x1.20mm CMOS +/-100ppm -20to70°C +/-50ppm Includedinfrequencytolerance ≤10mA
VG-4231CB 16.128000MHz JGCZ 5.00x3.20x1.20mm CMOS +/-100ppm -20to70°C +/-50ppm Includedinfrequencytolerance ≤10mA
VG-4231CB 24.570000MHz JGCZ 5.00x3.20x1.20mm CMOS +/-100ppm -20to70°C +/-50ppm Includedinfrequencytolerance ≤10mA
VG-4231CB 10.000000MHz GGCZ 5.00x3.20x1.20mm CMOS +/-100ppm -40to85°C +/-50ppm Includedinfrequencytolerance ≤10mA
VG-4231CB 79.075000MHz GGCZ 5.00x3.20x1.20mm CMOS +/-100ppm -40to85°C +/-50ppm Includedinfrequencytolerance ≤10mA
VG-4231CB 40.965000MHz GGCZ 5.00x3.20x1.20mm CMOS +/-100ppm -40to85°C +/-50ppm Includedinfrequencytolerance ≤10mA
VG-4231CB 25.000000MHz GGCZ 5.00x3.20x1.20mm CMOS +/-100ppm -40to85°C +/-50ppm Includedinfrequencytolerance ≤10mA
VG-4512CA 148.351600MHz JHCT 7.00x5.00x1.60mm LV-PECL N/Appm -20to70°C +/-50ppm Includedinfrequencytolerance ≤60mA
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