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KDS晶振,贴片晶振,DSO531SBN晶振,5032石英晶振频率：0.7-90MHZ尺寸：5.0*3.2*1.1mm
那么贴片晶振产品的点击又是怎么回事呢？产品的电极对于晶体来讲，主要是，改变频率，往外引出电极，改变阻抗，去掉杂波，贴片晶体的晶片有镀金镀银等区别，各项镀层也会对产品的频率发生一定的改变，因此电极的设计会使晶振的精度产生更高的要求。
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KDS晶振,贴片晶振,DSO531SBM晶振,5032进口晶振频率：0.7-90MHZ尺寸：5.0*3.2*1.1mm
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KDS晶振,贴片晶振,DSO321SVN晶振,3225有源晶振频率：0.7-90MHZ尺寸：3.2*2.5*1.1mm
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KDS晶振,贴片晶振,DSO321SBN晶振,3225振荡器频率：0.7-90MHZ尺寸：3.2*2.5*1.1mm
高精度晶片的抛光技术：是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术，最终使晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，降低谐振电阻，提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能，使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值，使石英晶体元器件可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态
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KDS晶振,贴片晶振,DSO321SBM晶振,SMD晶振频率：0.7-90MHZ尺寸：3.2*2.5*1.1mm
我公司所生产的音叉石英晶振具有电阻小，高低温稳定性能变化不大，在恶劣环境中均能保持正常工作，精度性能优越等特点，主要采用了高精度晶片的抛光技术：是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术，最终使晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，降低谐振电阻，提高Q值
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KDS晶振,贴片晶振,DSO221SBM晶振,普通有源晶振频率：3.25-52MHZ尺寸：2.5*2.0*0.815mm
超小型石英晶片的设计：石英晶片的长宽尺寸已要求在±0.00２mm内，由于晶片很小导致晶体的各类寄生波(如长度伸缩振动，面切变振动)与主振动(厚度切变振动)的耦合加强，从而造成如若晶片的长度或宽度尺寸设计不正确、使得振动强烈耦合导致晶片不能正常工作，从而导致产品在客户端不能正常使用，研发及生产超小型石英晶体元器件完成晶片的设计特别是外形尺寸的设计是首要需解决的技术问题
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KDS晶振,贴片晶振,DSO211AB晶振,普通有源晶振频率：3.25-52MHZ尺寸：2.0*1.6*0.72mm
此款SMD晶体并且可以承受回流焊接的高温，波峰焊接，回流焊接等，贴片表晶主要特点是该产品排带包装，焊接模式主要使用SMT焊接，给现代SMT工艺带来高速的工作效率
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ABRACON晶振,贴片晶振,ASTMUPLD晶振,ASTMUPLDFL-100.000MHZ-LJ-E晶振频率：1—625MHz尺寸：3.2 x 2.5 x 0.75mm, 5 x 3.2 x 0.75mm, 7.0 x 5.0 x 0.9mm
5032尺寸贴片晶振系列，在生产时就得对每项生产工艺严格把关，对每项参数做到标准检测，有一项不完善都会使晶片的边缘效应不能去除，而晶片的谐振电阻过大，用在电路中Q值过小，从而电路不能振动或振动不稳定。
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ABRACON晶振,贴片晶振,ASVM晶振,7050陶瓷面贴片振荡器频率：1—150MHZ尺寸：7.0x 5.0 x 0.8 5mm
贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压，内部集成了相应IC与电容电阻，需要在净化万级车间生产，并且在密封机器设备中焊接加盖，内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一
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ABRACON晶振,贴片晶振,ASEM晶振,3225有源晶振频率：1.0-150MHZ尺寸：3.2 x 2.5 x 0.8 5mm
低频晶振可从7.98MHz起对应,小型,超薄型具备强防焊裂性,石英晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接以及高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
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ABRACON晶振,贴片晶振,ASFLM晶振,陶瓷面5032晶振频率：1.0-150MHZ尺寸：5.0 x 3.2 x 0.8 5mm
小型表面贴片晶振型,是标准的石英晶体谐振器,适用于宽温范围的电子数码产品,家电电器及MP3,MP4,播放器,单片机等领域.可对应8.000MHz以上的频率,在电子数码产品,以及家电相关电器领域里面发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
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ABRACON晶振,贴片晶振,ASTMHT晶振,ASTMHTA-20.000MHZ-XK-E-T3晶振频率：1-137MHZ尺寸：2.0x1.6x0.75;2.5x2.0x0.75:3.2x2.5x0.75;5.0x3.2x0.75;7.0x5.0x0.9
小尺寸的贴片石英晶振，目前生产上采用了高技术的封装模式，光刻石英晶片技术，并且通过结合以往低速滚筒倒边去除晶片的边缘效应，在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理，有一项不完善都会使晶片的边缘效应不能去除，而晶片的谐振电阻过大，用在电路中Q值过小，从而电路不能振动或振动不稳定。
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ABRACON晶振,贴片晶振,ASTMLPT晶振,ASTMLPT-33-100.000MHZ-LQ-S-T3晶振频率：1.0-110MHZ尺寸：3.5 x 3.0 x 0.25mm
我公司具体解决的办法是使用高速倒边方式，通过结合以往低速滚筒倒边去除晶片的边缘效应，在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理。
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ABRACON晶振,贴片晶振,ASTMUPC晶振,ASTMUPCD-33-16.000MHZ-LJ-E-T晶振频率：1.0-220MHZ尺寸：2.7x2.4x0.75mm;3.2x2.5x0.75mm;5.0x3.2x0.75mm;7.0x5.0 x 0.9mm
那么贴片晶振产品的点击又是怎么回事呢？产品的电极对于晶体来讲，主要是，改变频率，往外引出电极，改变阻抗，去掉杂波，贴片晶体的晶片有镀金镀银等区别，各项镀层也会对产品的频率发生一定的改变，因此电极的设计会使晶振的精度产生更高的要求。
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ABRACON晶振,贴片晶振,ASDM晶振,2520石英晶振频率：1.0-150MHZ尺寸：2 . 5 x 2 . 0 x 0.8 0 m m
高精度晶片的抛光技术：是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术，最终使晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，降低谐振电阻，提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能，使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值，使石英晶体元器件可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态
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Statek晶振,插件晶振,SQXO晶振频率：30KHZ~400KHz尺寸：10.2×4.5mm
接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
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Statek晶振,石英晶体振荡器,LSM晶振频率：30KHZ~400KHz尺寸：10.2×4.5mm
接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
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Statek晶振,有源晶振,LSC晶振频率：30KHZ~400KHz尺寸：10.2×4.5mm
接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
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Statek晶振,32.768K晶振,LFXO晶振频率：32.768KHZ尺寸：6.5×5.0mm
此款SMD晶体并且可以承受回流焊接的高温，波峰焊接，回流焊接等，贴片表晶主要特点是该产品排带包装，焊接模式主要使用SMT焊接，给现代SMT工艺带来高速的工作效率，32.768K系列产品本身具有体积小,厚度薄,重量轻等特点.
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Statek晶振,OSC晶振,HTXO晶振频率：32.768KHz,1.5~50MHz尺寸：7.5×5.0mm
贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压，内部集成了相应IC与电容电阻，需要在净化万级车间生产，并且在密封机器设备中焊接加盖，内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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Statek晶振,有源晶振,HGXOHT晶振频率：460KHZ~50MHZ尺寸：7.5×5.0mm
贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压，内部集成了相应IC与电容电阻，需要在净化万级车间生产，并且在密封机器设备中焊接加盖，内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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