维多利亚老品牌值得信赖(集团)公司官方网站

等效电路常数：图1.2显示了陶瓷谐振器的符号。端子间的阻抗和相位特性如图1.5所示。该图说明陶瓷谐振器在提供最小阻抗的频率fr（谐振频率）和提供最大阻抗的频率fa（反谐振频率）之间的频率范围内变为电感性的。它在其他频率范围内变为电容。这意味着双端子谐振器的机械振荡可以用等效电路代替，该等效电路由串联和并联谐振电路的组合构成，其中包括电感器L，电容器C和电阻器R.在谐振频率附近，等效电路可以表示如图1.4所示。

fr和f a频率由压电陶瓷材料及其物理参数决定。等效电路常数可以从以下公式确定：

考虑到fr≤f≤fa的有限频率范围，阻抗给出为Z = R e + jwL e（Le≤= 0），如图1.5所示。 陶瓷谐振器应当作为具有损耗R e（Ω）的电感器L e（H）操作。

图1.1显示了陶瓷谐振器和石英晶体谐振器之间等效电路常数的比较。 注意，电容和Q m存在很大差异，这导致实际操作时振荡条件的差异。 附录中的表格显示了每种陶瓷谐振器的等效电路常数的标准值。

除了期望的振荡模式之外，存在用于其他振荡模式的高次谐波。 存在这些其他振荡模式是因为陶瓷谐振器使用机械共振。 图1.6显示了这些特征。

基本振荡电路

通常，振荡电路可分为以下三种类型：

1.积极的反馈

2.负电阻元件

3.在陶瓷谐振器，石英晶体谐振器和LC振荡器的情况下，传输时间或相位的延迟，正反馈是首选电路。

在使用LC的正反馈振荡电路中，通常使用Colpitts和Hartley的调谐型反耦合振荡电路。 见图1.7。

在图1中。 在图7中，使用晶体管，它是最基本的放大器。

振荡频率与Colpitts电路中由L，C L1和C L2组成的电路的谐振频率大致相同，或者由Hartley电路中的L 1，L 2和C组成。 这些频率可以用下面的公式表示。

在陶瓷谐振器振荡器中，利用陶瓷谐振器代替电感器，利用谐振器在谐振和反谐振频率之间变为电感的事实。 最常用的电路是Colpitts电路。

这些振荡电路的工作原理如图2.1所示。 满足以下条件时发生振荡。

环路增益：G =α•β≥1

相位量：φT=φ1+φ2= 360°•n（n = 1,2，...）

在Colpitts电路中，使用φ1= 180°的反转，并且在反馈电路中用L和C反转φ2= 180°。 用陶瓷谐振器的操作可以认为是相同的。

应用

典型的振荡电路：陶瓷谐振器最常见的振荡器电路是Colpitts电路。电路的设计随应用和要使用的IC等而变化。尽管电路的基本配置与晶体控制振荡器的基本配置相同，但机械Q的差异是由电路常数的差异引起的。一些典型的例子如下。

设计考虑因素：使用逆变器门将数字IC配置为振荡电路变得越来越普遍。下页的图3.1显示了带CMOS反相器的基本振荡电路的配置。

INV.1用作振荡电路的反相放大器。 INV.2用作波形整形器，也用作输出的缓冲器。

反馈电阻R f在逆变器周围提供负反馈，以便在通电时振荡开始。

如果R f的值太大而输入逆变器的绝缘电阻很低，则由于环路增益的损失，振荡将停止。而且，如果R f太大，则可以将来自其他电路的噪声引入振荡电路。显然，如果R f太小，则环路增益会降低。 1MΩ的R f通常与陶瓷谐振器一起使用。

阻尼电阻Rd具有以下功能，但有时省略。它使逆变器和反馈电路之间的耦合松动;从而减小逆变器输出侧的负载。此外，反馈电路的相位稳定。它还提供了一种降低高频增益的方法，从而防止了寄生振荡的可能性。

负载电容：负载电容C L1和C L2提供180°的相位滞后。应根据应用，使用的IC和频率正确选择这些值。如果C L1和C L2的值低于必要值，则高频环路增益会增加，从而增加了寄生振荡的可能性。这特别有可能在厚度振动模式所在的4-5MHz附近。

该电路中的振荡频率（f OSC）大致由下式表示。

其中，f r：陶瓷谐振器的谐振频率。

C1：陶瓷谐振器的等效串联电容。

C0：陶瓷谐振器的等效并联电容。

C L = C L1•C L2 / C L1 + C L2

这清楚地表明振荡频率受负载电容的影响。当需要对振荡频率的严格公差时，应注意定义其值。

CMOS反相器：CMOS反相器可用作反相放大器; 4069 CMOS组的单级型最有用。由于增益过大，环形振荡或CR振荡是使用三级缓冲型逆变器（如4049组）时的典型问题。 ECS采用RCA CD4O69UBE作为CMOS标准电路，如图3.2所示。

HCMOS逆变器电路：最近，高速CMOS（HCMOS）越来越多地用于允许微处理器的高速和低功耗的电路。

HCMOS逆变器有两种类型：非缓冲74HCU系列和带缓冲器的74HC系列。 74HCU系统是陶瓷谐振器的最佳选择。见图3.3

TTL逆变器电路：由于阻抗匹配，负载电容C L1和C L2的值应大于CMOS的值。此外，反馈电阻R f应小至几KΩ。注意，需要偏置电阻R d来正确确定DC工作点。

频率相关：振荡器电路如图所示

以下页面是ECS标准测试电路。这些电路中使用的逆变器被广泛接受为工业标准，因为它们的特性代表了同一系列（CMOS / HCMOS / TTL）中微处理器中的特性。当然，应用将使用不同的IC，并且可以预期，振荡器电路特性将因IC而异。

通常，这种变化可以忽略不计，并且可以简单地通过将处理器分类为CMOS，HCMOS或TTL来选择陶瓷谐振器部件号。

鉴于标准ECS陶瓷谐振器在下页中对测试电路进行100％频率分类，因此将标准电路的振荡频率与客户指定电路的振荡频率相关联相对容易。

例如，如果使用的微处理器是摩托罗拉6805，频率为4MHz，那么正确的ECS部件号将是ZTA4.OMG（频率分类到CD4O69UBE CMOS测试电路）。电路参数应选择如下：

通过实际设置该电路以及下面图3.1所示的标准测试电路，可以确定使用带有6805处理器的ZTA4.OMG时可以预期的平均偏移。 实际数据如下所示：

根据这些数据，可以预测标准ZTA4.00MG谐振器的频率偏离原始的4.00MHz±0.5％初始容差约+ 0.06％。 这当然是一个可以忽略不计的转变，不会以任何方式影响电路性能。

 各种IC / LSI电路：

通过充分利用前面提到的特征，陶瓷谐振器与各种IC组合在一起被广泛应用。以下是一些实际应用示例。

微处理器的应用：陶瓷谐振器是各种微处理器的最佳稳定振荡元件：4位，8位和16位。由于微处理器参考时钟所需的一般频率容差为±2％ -  3％，因此标准单元满足此要求。向您的ECS或LSI制造商询问电路常数，因为它们随频率和使用的LSI电路而变化。图A显示了具有4位微处理器的应用程序，图B显示了具有8位微处理器的应用程序。

遥控器IC：遥控器越来越成为一种常见功能。振荡频率通常为400-500 KHz，455KHz是最受欢迎的。该455KHz被载波信号发生器分频，从而产生大约38KHz的载波。

VCO（压控振荡器）电路：VCO电路用于电视和音频设备，因为信号需要与广播电台发送的导频信号同步处理。最初使用振荡电路，例如LC和RC;然而，现在使用陶瓷谐振器，因为它们不需要调整并且具有优于旧型电路的稳定性。用于VCO应用的谐振器需要具有宽的可变频率

其他：除上述用途外，陶瓷谐振器广泛用于IC用于语音合成和时钟生成。对于一般的定时控制应用，振荡频率通常由用户根据IC制造商推荐的工作频率范围选择。用给定的IC选择这个频率将决定什么电路值和哪个陶瓷谐振器是合适的。选择陶瓷谐振器部件号时，请联系您当地的ECS销售代表。

如前所述，陶瓷谐振器有许多应用。一些更具特定应用的振荡器电路要求为该应用和IC开发独特的陶瓷谐振器。

振荡上升时间

振荡上升时间是指在激活IC的电源时振荡从瞬态区域发展到稳定区域的时间。使用陶瓷谐振器时，它定义为在稳定条件下达到振荡电平的90％的时间如图6.1所示。

上升时间主要是振荡电路设计的函数。通常，较小的负载电容，较高频率的陶瓷谐振器和较小尺寸的陶瓷谐振器将导致较快的上升时间。随着谐振器的电容减小，负载电容的影响变得更明显。图6.2显示了对负载电容（C L）和电源电压的上升时间的实际测量。值得注意的是，陶瓷谐振器的上升时间比石英晶体快一到二十倍。 （这一点在图6.3中用图解说明）

启动电压：启动电压是指振荡电路可以工作的最小电源电压。所有电路元件都会影响启动电压。它主要取决于IC的特性。图6.4示出了相对于负载电容的起始电压特性的实际测量的示例。

陶瓷共振器振荡特性

下面描述基本电路中振荡的一般特性。有关特定类型的IC和LSI的振荡特性，请与维多利亚老品牌值得信赖线路联系。

在-20°C至+ 80°C的范围内，温度变化的稳定性为±0.3至0.5％，尽管根据陶瓷材料的不同而略有不同。负载电容（C L1，C L2）对振荡频率的影响相对较高，可以根据f OSC的公式计算.ffC。由于电容，变化约±0.1％

工作电压范围内的偏差为±0.1％。 f OSC。也随IC的特性而变化。

电源电压变化特性：有关给定振荡频率的实际稳定性测量示例，请参见下面的图1。

振荡水平：以下是振荡水平对温度，电源电压和负载电容（C L1，C L2）的实际测量示例。振荡水平要求在很宽的温度范围内保持稳定，并且温度特性应尽可能平坦。除非IC具有内部恒定电压电源，否则这种变化与电源电压呈线性关系。

在过去的几年中,娱乐,游戏和便携式市场的电子设备加速的增长推动了石英晶体和晶体振荡器的需求不断增加,甚至达到了前所未有的生产水平以及生产技术.早在十几年前,爱普生晶振的销量以及生产技术还跟不上市场的需求.比如2012晶振会无法正常出货,体积较小,生产达不到技术要求.但是随着这几年的市场需求量的增长,爱普生晶振也在不断的提升生产技术,不断的改进不足,从而使得更小尺寸1612封装晶振可以正常批量出货.

一直以来石英晶体振荡器的高Q值和稳定的温度特性,使得其在消费,商业,工业以及军事产品中起到重要的作用.自2000年至2001年”互联网”市场崩溃以来,对石英晶体以及振荡器的需求每年稳定增长4%至10%.

在早些时候,典型的GSM手机有四组不同的压电频率控制和发电组件：RF SAW滤波器（使用压电钽酸锂或铌酸锂的900 MHz至2 GHz）用于在天线和收发器芯片组之间进行传输和接收滤波;如果使用超外差降频转换,则使用SAW滤波器（主要使用石英为50至400 MHz）; TCXO（13/26 MHz,使用石英晶体）作为收发器合成器中的时钟参考,用于信道化;和音叉（使用石英晶体的32.768 kHz）用于基带部分的待机时钟.

后来,直接转换技术的成功开发在许多GSM手机中废弃了IF SAW滤波器.几年前,带有片上数字补偿晶体振荡器（DCXO）电路的GSM收发器芯片组消除了对TCXO晶振的需求.但是,仍然需要片外石英晶体.

现在的手持设备似乎没有变小,实际上它们已经变得非常小了,但是手机虽小,功能却大的多.以适应消费者多频段,多模,DSC,DVC,MP3,GPS,互联网接入,蓝牙,DTV等所需的更多功能.跟之前想法相反,随着时间的推移,需要越来越少的片外石英晶体,晶体振荡器和SAW元件,现在手机中存在着更多的石英晶体,音叉晶振,晶体振荡器,高精度温补晶振等.虽然这些组件的独特制造和封装要求使它们几乎不可能集成到成熟的硅IC平台上.

在有线和无线市场的蓬勃发展,从而使得石英晶体以及其高频SAW声表面滤波器得到广泛应用.

传统的石英晶振尺寸型号以4.1*1.5,3.2*1.5以及2.0*1.2mm提供.现在也是将这种石英音叉的厚度达到0.4毫米或者更低,从而适用于薄型产品的使用.小于5032封装石英晶振通常需要在真空中密封从而维持阻抗完整性.低兆赫兹小尺寸石英晶振的坏料也需要倾斜于石英晶体边缘,其变薄.从而有效的获得能量.在未来的几年内将出现更小尺寸的石英晶体(1.6*1.0以及1.0*0.8mm)晶振的使用.全球石英晶体供应商正在为这些小尺寸晶振工作.

很多人都不知道相当多的石英产品(石英晶体,石英音叉晶体,石英陀螺传感器等)正在制造一些MEMS(微机电系统)处理.如光刻,金属化,蚀刻,牺牲层沉积去除,金蚀刻保护等.实际上,复杂的加工步骤非平面金属化方案.由于石英晶体的硬度而耐蚀刻,高度各向异性的石英晶体的不同蚀刻速率等,使得小型化的石英晶体产品的加工更加技术上与许多基于硅的MEMS工艺相比具有挑战性.Epson Toyocom几年前创造了“QMEMS”这一术语,以认识到将石英和MEMS技术与下一代石英晶体器件联系起来的重要性.

ILSI石英晶振产品具有压电特性,采用表面贴片式器件（SMD）通孔，金属罐和陶瓷封装配置。石英晶体及电压石英晶振是目前使用最常见的压电谐振器类型。石英晶振水晶产品可根据客户需要提供定制的标准频率，具有严格的稳定性和低有效串联电阻（ESR）等定制参数，并可根据客户提供要求定制.

产品图	规格型号	封装	尺寸	高度	频率	规格书
	IXA24	SMD	3.2 x 1.5	0.9	32.768kHz
	IXA14	SMD	2.5 x 2.0	0.65	12MHz - 54MHz
	IXA20	SMD	5.0 x 3.2	0.85	7.6MHz - 54MHz
	IXA18	SMD	5.0 x 3.2	1.1	7.6MHz - 54MHz
	IXA16	SMD	3.2 x 2.5	0.8	8MHz - 66MHz
	IXA12	SMD	2.0 x 1.6	0.55	16MHz - 54MHz
	IXA10	SMD	1.6 x 1.2	0.4	24MHz - 50MHz
	HC49U	LEADED	4.7 x 11.1	13.45	1.3MHz - 160MHz
	IL3W	SMD	1.0 x 1.6	0.5	32.768kHz
	HC49USM4	SMD	4.8 x 12.5	4.5或5.2	3.2MHz - 100MHz
	IL3R	SMD	1.4 x 7.0	1.4	32.768kHz的
	ILCX21	SMD	1.0 x 1.2	0.33	36MHz - 80MHz
	IL3T	SMD	1.2 x 2.0	0.6	32.768kHz
	ILCX20	SMD	1.2 x 1.6	0.4	26MHz - 60MHz
	39	LEADED	3.2 x 10.5	10.5	3MHz - 100MHz
	38/26/15	LEADED	3/2/1 x 8/6/5	请参阅部件号指南	30kHz - 192kHz
	UM1 / UM4 / UM5	LEADED	3.2 x 8.0	请参阅部件号指南	7MHz - 160MHz
	HC49US	LEADED	4.7 x 11.1	请参阅部件号指南	3.2MHz - 100MHz
	ILCX19	SMD	2.0 x 1.6	0.55	16MHz - 72MHz
	ILCX18	SMD	2.0 x 2.5	0.55	12MHz - 80MHz
	ILCX13	SMD	2.5 x 3.2	0.9	10MHz - 150MHz
	ILCX10	SMD	5.0 x 7.0	1.3	6MHz - 100MHz
	ILCX09	SMD	3.5 x 6.0	1.1	8MHz - 100MHz
	ILCX08	SMD	3.5 x 6.0	1.1	8MHz - 100MHz
	ILCX07	SMD	5.0 x 3.2	1.0	8MHz - 150MHz
	ILCX04	SMD	5.0 x 7.0	1.3	6MHz - 150MHz
	ILCX03	SMD	3.2 x 5.0	1.3	10MHz - 100MHz
	IL3Y	SMD	1.5 x 4.1	0.9	32.768kHz
	IL3X	SMD	1.5 x 3.2	0.9	32.768kHz
	IL3M	SMD	3.8 x 8.0	2.5	32.768kHz
	HC49USM	SMD	4.7 x 13.0	请参阅部件号指南	3.2MHz - 100MHz

ILSIcrystal products have piezoelectric properties and are available in surface mount devices (SMD) vias, metal cans and ceramic packages. Quartz crystals and voltage quartz crystals are the most common types of piezoelectric resonators currently in use. Quartz crystal crystal products can be customized according to customer's needs, with strict stability and low effective series resistance (ESR) and other custom parameters, and can be customized according to customer requirements.

欧美进口晶振相关资讯文章

Fujicom富士通晶振公司简介

Frequency晶振公司简介

卫星站使用高端Frequency晶振型号大全

SAW声表面滤波器

石英晶体与高频晶体振荡器的区别

OCXO Oscillator恒温晶体振荡器

Image	Part No.	RoHS/Reach	Package	Logic (Output)	Supply Voltage(s)	Frequency
	TSMV2	Compliant	2.5 X 2.0 Ceramic 4 PAD SMD	HCMOS	3.3V	1.250MHz ~ 70.000MHz
	TV22A	Compliant	2.5 X 2.0 Ceramic 6 PAD SMD	HCMOS LVDS LVPECL	2.5V, 3.3V	10.000MHz ~1500.000MHz
	TSMV3	Compliant	3.2 X 2.5 Ceramic 4 PAD SMD	HCMOS	1.8V, 2.5V, 3.3V	1.250MHz ~ 55.000MHz
	TV32A	Compliant	3.2 X 2.5 Ceramic 6 PAD SMD	HCMOS LVDS LVPECL	2.5V, 3.3V	10.000MHz ~1500.000MHz
	TVL5	Compliant	5.0 X 3.2 Ceramic 6 PAD SMD	LVDS	2.5V, 3.0V, 3.3V	0.750MHz ~ 800.000MHz
	TVP5	Compliant	5.0 X 3.2 Ceramic 6 PAD SMD	LVPECL	2.5V, 3.0V, 3.3V	0.750MHz ~ 800.000MHz
	TSMV5	Compliant	5.0 X 3.2 Ceramic 6 PAD SMD	HCMOS	2.5V, 3.3V, 5.0V	1.000MHz ~200.000MHz
	TV53A	Compliant	5.0 X 3.2 Ceramic 6 PAD SMD	HCMOS LVDS LVPECL	2.5V, 3.3V	10.000MHz ~1500.000MHz
	TVC5	Compliant	5.0 X 3.2 Ceramic 6 PAD SMD	HCMOS LVDS LVPECL	2.5V, 3.3V	74.1758MHz 74.250MHz
	TVD5	Compliant	5.0 X 3.2 Ceramic 6 PAD SMD	HCMOS LVDS LVPECL	2.5V, 3.3V	148.3516MHz 148.500MHz
	TVP	Compliant	7.0 X 5.0 Ceramic 6 PAD SMD	LVDS LVPECL	2.5V, 2.8V, 3.3V	0.7500MHz ~ 800.000MHz
	TSMV	Compliant	7.0 X 5.0 Ceramic 6 PAD SMD	HCMOS	2.5V, 3.3V, 5.0V	0.100MHz ~ 200.000MHz
	TV75A	Compliant	7.0 X 5.0 Ceramic 6 PAD SMD	HCMOS LVDS LVPECL	2.5V, 3.3V	10.000MHz ~1500.000MHz
	TVC	Compliant	7.0 X 5.0 Ceramic 6 PAD SMD	HCMOS LVDS LVPECL	2.5V, 3.3V	74.1758MHz 74.250MHz
	TVD	Compliant	7.0 X 5.0 Ceramic 6 PAD SMD	HCMOS LVDS LVPECL	2.5V, 3.3V	148.3516MHz 148.500MHz
	TPV	Compliant	14.0 X 9.8 Plastic 4 PIN SMD	HCMOS	3.3V, 5.0V	1.000 MHz ~ 200.000 MHz
	TSVC	Compliant	14.3 X 8.7 FR4 PCB 4 PAD SMD	HCMOS LVDS LVPECL	3.3V, 5.0V	0.001MHz ~800.000MHz
	TSVD	Compliant	14.3 X 8.7 FR4 PCB 4 PAD SMD	HCMOS	3.3V, 5.0V	1.000MHz ~800.000MHz
	TSVE	Compliant	14.3 X 8.7 FR4 PCB 4 PAD SMD	SINEWAVE	3.3V, 5.0V	100.000MHz ~ 125.000MHz
	TSVF	Compliant	14.3 X 8.7 FR4 PCB 6 PAD SMD	HCMOS LVDS LVPECL	3.3V, 5.0V	0.001MHz ~ 800.000MHz
	VCXO	Compliant	8PIN DIP / 14PIN DIP Through hole	HCMOS SINEWAVE	3.3V, 5.0V	1KHz ~ 800.000MHz

Transko Crystal Electronics, Inc. was founded in 1992 and is headquartered in Anaheim, California. Unlike other crystal oscillators, Transko Crystal is an ISO 9001 certified supplier of frequency control equipment solutions with fast delivery. Capability, TCXO CRYSTAL can provide products in as little as 72 hours. At the same time, Trancos crystal oscillator VCXO oscillator series has low loss, low energy consumption, low jitter, low voltage and other functions.

欧美进口晶振相关资讯文章

Fujicom富士通晶振公司简介

Frequency晶振公司简介

卫星站使用高端Frequency晶振型号大全

SAW声表面滤波器

石英晶体与高频晶体振荡器的区别

OCXO Oscillator恒温晶体振荡器

Fre-techCrystal晶振公司利用其高精密的设计和制造能力成为全球领先的晶体控制振荡器,晶体振荡器和声表面滤波器的供应商,为那些为全球太空行业提供原始设备制造商提供服务。典型的应用包括深空探测，商业和国防卫星和地面基地ICBM筒仓。此外，Fre-tech是高精密和空间级频率控制产品的全球领先供应商，其历史可追溯至1961年的军事和航天计划。Fre-tech的Hi-Rel制造工厂为世界领先的商业和军事生产商卫星通过其经验丰富的员工和世界一流的制造工厂。

系列	图片	外形尺寸	输出逻辑	电源电压	频率范围	特征	产品规格
M55310 / 26		20x13mm	HCMOS	5.0V	10KHz至65MHz	高冲击和抗振动性;
M55310 / 26		20x13mm	HCMOS	5.0V	10KHz至65MHz	高冲击和抗振动性;
M55310 / 27		9x14mm	HCMOS	5.0V	1MHz至85MHz	高冲击和抗振动性;
M55310 / 30		9x14mm	HCMOS	3.3V	0.45MHz至85MHz	高冲击和抗振动性;
M55310 / 33		7x9mm	HCMOS	5.0V	0.5MHz至85MHz	高冲击和抗振动性;
M55310 / 34		7x9mm	HCMOS	3.3V	0.5MHz至85MHz	高冲击和抗振动性;
M55310 / 35		7x9mm	HCMOS	2.5V	1MHz至100MHz	高冲击和抗振动性;
M55310 / 36		7x9mm	HCMOS	1.8V	1MHz至100MHz	高冲击和抗振动性;
M55310 / 37		7x9mm	HCMOS	5.0V	0.5MHz至85MHz	高冲击和抗振动性;
M55310 / 38		7x9mm	HCMOS	3.3V	0.5MHz至85MHz	高冲击和抗振动性;
M55310 / 39		7x9mm	HCMOS	2.5V	1MHz至100MHz	高冲击和抗振动性;
M55310 / 40		7x9mm	HCMOS	1.8V	1MHz至100MHz	高冲击和抗振动性;

Fre-tech uses its precision design and manufacturing capabilities to be the world's leading supplier of crystal controlled oscillators, crystal units and SAW filters to those OEM's servicing the world wide space industries. Typical applications include Deep Space Exploration, Commercial & Defense Satellites and Ground Base ICBM Silos. In addition, Fre-tech is the world's leading supplier of precision and space grade frequency control products, with heritage on both military and space programs dating back to 1961. Fre-tech's Hi–Rel manufacturing facility  supplies the worlds leading producers of commercial and military satellites through its experienced staff and world class manufacturing plant.

更多相关资讯

Frequency晶振公司简介

迄今为止，声电子学是功能电子学领域的一个积极发展领域。在声电子器件中，声表面滤波器（SAW）上的器件被广泛使用。优点，如高可靠性，低重量和紧凑的尺寸，精神不振，以执行各种信号处理操作确保这些设备的广泛应用和大量需求的能力，规定的规格以高精确度的实施，首先，在今天的市场商业通信。

SAW滤波器器件中的信息载体是弹性振荡的能量集中在固体的薄的近表面层中的波。压电单晶被用作传播介质。为了将电信号转换为声学和后向，并且还反射和改变声波的传播路径，使用施加到压电基板的表面的金属结构。声波的激发和接收是在表面活性剂的输入和输出转换器的帮助下进行的，其中电极的数量可以不同（从一个到几千）。

带有一个交指换能器（WSP）的SAW器件的外观如图1所示。1.表面活性剂的反射结构（OC）更经常是金属短路或开路电极的晶格或在衬底中蚀刻的沟槽系统。声波从输入到输出转换器的可用性，从表面不规则性反射并与电场和声场相互作用的能力提供了构建各种信号处理设备的可能性。

图。1.表面活性剂装置

SAW滤波器器件的特性取决于衬底材料的特性及其拓扑结构，即 SAW传感器和反射器的类型，数量，相对位置和几何尺寸。

器件的拓扑结构不仅取决于所执行的信号处理操作，还取决于所需的技术特性。现代SAW器件的拓扑结构的不同变体的数量估计有数百个。

用于表面活性剂的装置已经在各种无线电电子系统中得到应用，特别是在通信和广播系统中的雷达中。大多数情况下，这种设备执行线性信号处理的程序，即 通过预定的线性关系创建与输入信号有关的输出响应。在系统理论中，这样的设备被称为线性滤波器。例如延迟线，带通滤波器，用于复杂信号的相关处理的滤波器。表面声波滤波器（SAW）（图2）是一种固态功能器件，并且是由压电材料1制成的基板，其表面上应用了光催化系统的导电元件系统。

其中一个这样的系统 - 辐射转换器SAW 2 - 连接到输入信号的源，另一个 - 表面活性剂3的接收转换器 - 连接到负载。下高频电压源的发射换能器的交变电场，该电场是相邻电极之间的间隙中的作用由于基板材料的压电效应导致在其表面层的机械振荡。这些振荡沿表面声波形式的垂直于电极的方向在基底的薄的近表面层中传播。

图。2.表面声波滤波器的示意图

由于逆压电效应，在接收换能器的相邻电极之间，表面活性剂的机械振动导致出现作为输出信号的电压。

为了消除从基板的端部不期望SAW反射，以及到其它类型的声波能由发射换能器的表面活性剂被激发的衰减，所有外侧面和其端部由一种特殊的声音吸收涂层4覆盖。

为了降低滤波器的插入损耗通常是使用特殊的匹配电路，其被包括在源极和发射换能器和接收换能器之间与所述负载之间（未示出图2的匹配电路）。

如有必要，带有换能器和匹配电路的基板被放置在通常用作统一芯片外壳之一的公共外壳中。表面活性剂过滤器的特性主要取决于将电信号转换成声波的频率选择过程，反之亦然，即 这取决于SAW换能器，即，数量，几何尺寸和在所述转换器的电极的相互布置的拓扑结构，在相邻的电极（间隙长度）的电极连接到一个共同的求和轮胎的序列的重叠区域的长度。应用这种或那种转换器的拓扑结构，可以实现具有最多样化特征的滤波器。

与其他类型的滤波器相比，例如电LC或RC型，SAW滤波器具有以下优点：

·         在提供特定参数的高准确度的情况下实现AFC和PFC形式的各种足够复杂的可能性;

·         制造的可制造性，使用微电子标准工艺过程的可能性;

·         由于SAW滤波器是单片固态器件，因此在操作期间参数的高稳定性和操作的可靠性;

·         与微电子设备块具有良好的兼容性;

·         体积小，重量轻。

SAW滤波器的缺点包括：

·         成本增加，因为它们通常建在单晶压电基片上;

·         插入损耗水平增加，因为它们的转换器通常具有双向辐射和接收表面活性剂，因此不到信号源提供的功率的四分之一到达负载。

图。3. SAW滤波器的可能参数范围

SAW滤波器的一组成功优势很大程度上补偿了它们的缺点，所以目前SAW滤波器在很多频率上实际上没有竞争者。在图1中，图3显示了表面活性剂过滤器的可能参数的范围。

提到石英你能想到些什么呢？有源无源晶振，插件贴片晶振，谐振器振荡器？那要是提到滤波器你又能想到些什么呢？陶瓷滤波器，声表面滤波器？对，就是我们这些晶振老司机也通常都想起来这些，可是今天老司机发现一个新事物，也不知道它以前都去哪了，反正我绝对是头一次这样细致的观察了解它，它就是石英晶体滤波器！

因此随着移动通讯的不断便携薄轻发展，SAW滤波器不得不随之改变，顺应市场发展满足市场需求是每个产品的主要发展方向。那么贴片声表面谐振器和贴片声表面滤波器可以小型化到怎么样的尺寸大小呢，小型化除去体积上带来的优势外还为声表面滤波器和声表面谐振器带来了哪些其他优势吗？