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当需要标准XO(晶体振荡器)或VCXO(压控晶体振荡器)无法达到的温度稳定性时,TCXO是必需的.

温度稳定性是振荡器频率随温度变化的量度,并且以两种方式定义.一种常见的方法是使用“加/减”规格(例如：±0.28ppm对比工作温度范围,参考25°C-温度范围通常为-40至85°C或-20至70°C).该规范告诉我们,如果我们将25°C的频率设为标称频率,则器件频率将偏离或低于该标称频率不超过0.28ppm.这与指定温度稳定性的第二种方式不同,即使用峰峰值或仅使用没有参考点的正/负值.在第二种情况下,我们不能说我们知道频率会高于或低于频率将会发生多大变化-只是我们知道总的范围是多少.通常,使用来自定义的参考点的正负值来指定设备.

TCXO晶振对工程师非常有用,因为它们可以在比电路板上具有相同功耗和占用空间的标准VCXO更好的温度稳定性的10倍到40倍之间使用.TCXO弥合了标准XO或VCXO与OCXO之间的差距,这些差距更高,需要更多功率才能运行.推动技术的目标是降低功耗,当然还要降低成本,因此TCXO为功耗和成本敏感的应用提供了良好的中端解决方案.

Figure1.TheTemperatureStabilityrangesofvariousoscillatortypes

图1是不同振荡器类型的典型温度稳定性的示意图,范围从标准VCXO的50ppm到高性能OCXO的0.2ppb.轴反转使得曲线在增加温度稳定性的方向上增长.TCXO稳定性范围涵盖VCXO和OCXO之间的中间位置(在某些情况下,重叠某些OCXO性能).

TCXO晶振温度稳定性水平(从5ppm到50ppb)通常是必要的,因为振荡器将独立工作,无论是在没有外部频率参考的系统中的自由运行模式,还是作为固定频率参考TCXO在开环中工作的合成器,用于驱动DDS(直接数字合成),而DDS而不是TCXO被“锁定”到外部参考.

后一种情况(TCXO是开环,频率在DDS设置)正变得越来越普遍,因为设计人员发现使用DDS解决方案可以通过使用数模转换器控制TCXO来实现更好的频率分辨率.由于转向是在DDS而不是振荡器中完成的,因此设计人员需要能够对固定基准的频率如何随温度变化做出某些假设,以便他们可以相应地规划锁相环的设计.由于灵活性,它们允许TCXO用于许多频率控制应用,但一个重要领域是小型蜂窝基站(毫微微,微型和微微),通常它们被用作定时分配芯片的固定频率源. 

TCXO温度补偿晶振如何运作

在非常基本的术语中,TCXO通过采用温度补偿网络来操作,该网络感测环境温度并将晶体拉至其标称值.基本振荡器电路和输出级与VCXO中的预期相同.

图2是简化的TCXO功能框图.

图2.TCXO功能块

这个想法是补偿网络驱动牵引网络,然后调整振荡器的频率.

图3是发生了什么的概述-未补偿的晶振频率响应温度(红色)就像一个三阶多项式曲线(如果你采用振荡器非线性效果,更像是第五个),所以目标是补偿网络是为了抵消温度对晶体的影响而产生的电压是有效的关于晶体曲线温度轴的镜像.补偿电压显示为蓝色,得到的频率/温度曲线以绿色显示.

图3.温度补偿

实现这一目标的方法随着时间而改变.使用的第一种方法之一是直接补偿技术,其中使用热敏电阻,电容器和电阻器网络来直接控制振荡器的频率.温度的变化导致热敏电阻(图4中的RT1和RT2)发生变化,这会导致网络的等效串联电容发生变化-这反过来会改变晶体上的电容负载,从而导致频率的变化.振荡器.

图4.直接补偿

在随后的开发中(图5中所示的间接补偿),热敏电阻(RT1至RT3)和电阻(R1至R3)的网络用于产生与温度相关的电压.对网络的输出电压进行滤波,然后用于驱动变容二极管,该变容二极管改变晶振上的负载,再次导致频率变化.

图5间接补偿

目前的方法将补偿网络和拉网络集成到一个集成电路中(如图6所示),补偿网络的作用由一组运算放大器组成,这些运算放大器在一起产生温度上的3阶或5阶函数.与间接补偿方法一样,该电压用于驱动变容二极管,这反过来又改变了振荡器的输出频率.由于晶体特性的变化意味着没有“一刀切”的功能,因此在TCXO的温度测试期间得出了解决方案.两个电容器阵列用于将室温下的频率调节到标称值,然后在测试期间获得温度补偿功能所需的设置并存储在片上存储器中.

图6综合补偿

最后一种方法通常被称为“数字控制模拟补偿”,并且在小型TCXO设计中常见,因为可以在单个ASIC中提供大量功能.

在过去的几年中,娱乐,游戏和便携式市场的电子设备加速的增长推动了石英晶体和晶体振荡器的需求不断增加,甚至达到了前所未有的生产水平以及生产技术.早在十几年前,爱普生晶振的销量以及生产技术还跟不上市场的需求.比如2012晶振会无法正常出货,体积较小,生产达不到技术要求.但是随着这几年的市场需求量的增长,爱普生晶振也在不断的提升生产技术,不断的改进不足,从而使得更小尺寸1612封装晶振可以正常批量出货.

一直以来石英晶体振荡器的高Q值和稳定的温度特性,使得其在消费,商业,工业以及军事产品中起到重要的作用.自2000年至2001年”互联网”市场崩溃以来,对石英晶体以及振荡器的需求每年稳定增长4%至10%.

在早些时候,典型的GSM手机有四组不同的压电频率控制和发电组件：RF SAW滤波器（使用压电钽酸锂或铌酸锂的900 MHz至2 GHz）用于在天线和收发器芯片组之间进行传输和接收滤波;如果使用超外差降频转换,则使用SAW滤波器（主要使用石英为50至400 MHz）; TCXO（13/26 MHz,使用石英晶体）作为收发器合成器中的时钟参考,用于信道化;和音叉（使用石英晶体的32.768 kHz）用于基带部分的待机时钟.

后来,直接转换技术的成功开发在许多GSM手机中废弃了IF SAW滤波器.几年前,带有片上数字补偿晶体振荡器（DCXO）电路的GSM收发器芯片组消除了对TCXO晶振的需求.但是,仍然需要片外石英晶体.

现在的手持设备似乎没有变小,实际上它们已经变得非常小了,但是手机虽小,功能却大的多.以适应消费者多频段,多模,DSC,DVC,MP3,GPS,互联网接入,蓝牙,DTV等所需的更多功能.跟之前想法相反,随着时间的推移,需要越来越少的片外石英晶体,晶体振荡器和SAW元件,现在手机中存在着更多的石英晶体,音叉晶振,晶体振荡器,高精度温补晶振等.虽然这些组件的独特制造和封装要求使它们几乎不可能集成到成熟的硅IC平台上.

在有线和无线市场的蓬勃发展,从而使得石英晶体以及其高频SAW声表面滤波器得到广泛应用.

传统的石英晶振尺寸型号以4.1*1.5,3.2*1.5以及2.0*1.2mm提供.现在也是将这种石英音叉的厚度达到0.4毫米或者更低,从而适用于薄型产品的使用.小于5032封装石英晶振通常需要在真空中密封从而维持阻抗完整性.低兆赫兹小尺寸石英晶振的坏料也需要倾斜于石英晶体边缘,其变薄.从而有效的获得能量.在未来的几年内将出现更小尺寸的石英晶体(1.6*1.0以及1.0*0.8mm)晶振的使用.全球石英晶体供应商正在为这些小尺寸晶振工作.

很多人都不知道相当多的石英产品(石英晶体,石英音叉晶体,石英陀螺传感器等)正在制造一些MEMS(微机电系统)处理.如光刻,金属化,蚀刻,牺牲层沉积去除,金蚀刻保护等.实际上,复杂的加工步骤非平面金属化方案.由于石英晶体的硬度而耐蚀刻,高度各向异性的石英晶体的不同蚀刻速率等,使得小型化的石英晶体产品的加工更加技术上与许多基于硅的MEMS工艺相比具有挑战性.Epson Toyocom几年前创造了“QMEMS”这一术语,以认识到将石英和MEMS技术与下一代石英晶体器件联系起来的重要性.

图片 零件号 符合RoHS  封装 逻辑（输出） 供电电压 频率 TX-O 合规 2.5 X 2.0陶瓷 4焊盘SMD 截断正弦波 2.5V，2.8V，3.0V，3.3V 16.000MHz~26.000MHz TX-U 合规 2.0 X 1.6陶瓷 4垫SMD 截断正弦波 1.8V，2.5V  2.8V，3.0V，3.3V 13.000MHz~52.000MHz TX-N 合规 2.5 X 2.0陶瓷 4焊盘SMD 截断正弦波 1.8V，2.5V，2.8V 13.000MHz~52.000MHz TX-L 合规 3.2 X 2.5陶瓷 4垫SMD  CMOS  削波正弦波 1.8V，2.5V  2.8V，3.0V，3.3V 4.000MHz~54.000MHz TX-M 合规 3.2 X 2.5陶瓷 4焊盘SMD   （模拟补偿） 截断正弦波 1.8V，2.5V  2.8V，3.0V，3.3V 16.000MHz~26.000MHz TX-Q 合规 3.2 X 2.5陶瓷 4垫SMD  CMOS 1.8V，2.5V  2.8V，3.0V，3.3V 4.000MHz~54.000MHz TFC5 合规 5.0 X 3.2陶瓷 4垫SMD CMOS  削波正弦波 3.3V，5.0V 10.000MHz~40.000MHz TX-J 合规 5.0 X 3.2陶瓷 4垫SMD CMOS  削波正弦波 3.3V，5.0V 10.000MHz~40.000MHz TE-J 合规 5.0 X 3.2 Epoxy  4 Pad SMD CMOS  削波正弦波 1.8V，2.5V，3.3V 13.000MHz~52.000MHz TX-T 合规 5.0 X 3.2陶瓷 4垫SMD CMOS  削波正弦波 1.8V，2.5V，2.8V  3.0V，3.3V，5.0V 4.000MHz~54.000MHz TFC 合规 7.0 X 5.0陶瓷 SMD CMOS  削波正弦波 3.3V，5.0V 5.000MHz~40.000MHz TE-S 合规 7.0 X 5.0 Epoxy  4 Pad SMD CMOS  削波正弦波 1.8V，2.5V，3.3V 10.000MHz~40.000MHz TXCS 合规 7.0 X 5.0陶瓷 SMD LVCMOS 截断正弦波 3.3V 10.000MHz~16.376MHz TX-K 合规 7.0 X 5.0陶瓷 4垫SMD CMOS  削波正弦波 2.5V，3.3V 5.000MHz~52.000MHz TX-P 合规 7.0 X 5.0陶瓷 4垫SMD CMOS  削波正弦波 3.3V，5.0V 5.000MHz~40.000MHz TX-S 合规 7.0 X 5.0陶瓷 SMD CMOS  削波正弦波 3.3V，5.0V 5.000MHz~50.000MHz TX-SB 合规 7.0 X 5.0陶瓷 SMD 截断正弦波 3.3V，5.0V 10.000MHz~27.000MHz TX-R 合规 7.0 X 5.0陶瓷 4垫SMD CMOS 3.3V，5.0V 1.250MHz~156.250MHz TX-V 合规 7.0 X 5.0陶瓷 SMD CMOS  削波正弦波 3.3V，5.0V 5.000MHz~40.000MHz TX-A 合规 14针DIP通孔 4.5mm高度 CMOS / TTL  CSW / SW 3.3V，5.0V 1kHz~800.000MHz TX-AL 合规 14针DIP通孔 4.5mm高度 LVDS  LVPECL 3.3V，5.0V 750kHz~800.000MHz TX-B 合规 14针DIP通孔 8.5mm高度 CMOS / TTL  CSW / SW 3.3V，5.0V 1kHz~800.000MHz TX-BL 合规 14针DIP通孔 8.5mm高度 LVDS  LVPECL 3.3V，5.0V 750kHz~800.000MHz TX-C 合规 20.0 X 20.0  DIP通孔 CMOS / TTL  CSW / SW 3.3V，5.0V 1kHz~800.000MHz TX-d 合规 14.3 X 8.7 FR4 PCB  4焊盘SMD CMOS / TTL  CSW / SW 3.3V，5.0V 1kHz~800.000MHz TX-D6 合规 14.3 X 8.7 FR4 PCB  6焊盘SMD CMOS / TTL  LVDS / LVPECL  CSW / SW 3.3V，5.0V 1kHz~800.000MHz TX-E 合规 18.3 X 11.7 PCB SMD CMOS / TTL  CSW / SW 3.3V，5.0V 1kHz~800.000MHz TX-EL 合规 18.3 X 11.7 PCB SMD LVDS  LVPECL 3.3V，5.0V 750kHz~800.000MHz TX-F4 合规 11.4 X 9.8 PCB  4焊盘SMD CMOS / TTL  CSW / SW 3.3V，5.0V 1kHz~800.000MHz TX-F6 合规 11.4 X 9.8 PCB  6焊盘SMD CMOS / TTL  CSW / SW 3.3V，5.0V 1kHz~800.000MHz VTXLN 合规 11.4 X 9.6 PCB  4焊盘SMD  -150dBC / Hz @ 1kHz HCMOS 3.3V，5.0V 10.000MHz~20.000MHz TX-G 合规 11.4 X 11.6 PCB  鸥翼式SMD CMOS / TTL  CSW / SW 3.3V，5.0V 1.250MHz~50.000MHz TX-H 合规 14针DIP  密封 通孔 CMOS / TTL  CSW / SW 3.3V，5.0V 1kHz~800.000MHz TFL 合规 14针DIP  密封 通孔 LVDS  LVPECL 3.3V，5.0V 750kHz~800.000MHz THH 合规 8针DIP  密封 通孔 CMOS / TTL  CSW / SW 3.3V，5.0V 1kHz~800.000MHz THL 合规 8针DIP  密封 通孔 LVDS  LVPECL 3.3V，5.0V 750kHz~800.000MHz

The company is Transko crystal in California, USA. Since its establishment in 1992, the company has been committed to the development and production of high-precision TCXO temperature-compensated crystal oscillators. Since 1993, it has opened a manufacturing plant in Laguna Hills, California, USA, and introduced high-end production equipment. After four years, it began to officially produce TCXO. Temperature-compensated crystal oscillators and VCXO voltage-controlled crystal oscillators. In this year, Transko Tranco Crystal has achieved a very large growth breakthrough.

图片	部件号	符合RoHS	封装尺寸	输出方式	供电电压	频率
	TSM16	合规	1.6 X 1.2陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS	1.8V，2.5V，3.3V	1.000MHz~80.000MHz
	TSL21	合规	2.0 X 1.6陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS	1.8V，2.5V，3.3V，5.0V	32.768kHz的
	TSM21	合规	2.0 X 1.6陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS	1.8V，2.5V，3.3V	1.000MHz~80.000MHz
	TLP22	合规	2.5 X 2.0陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS	1.8V~3.3V  （最大10uA）	32.768kHz的
	TP22	合规	2.5 X 2.0陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS	1.8V~3.3V	1.000MHz~200.000MHz
	TP22A	合规	2.5 X 2.0陶瓷 6 PAD SMD	HCMOS  LVDS  LVPECL	2.5V，3.3V	10.000MHz~1500.000MHz
	TSL22	合规	2.5 X 2.0陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS	1.8V，2.5V，2.8V  3.0V，3.3V	32.768kHz  （156kHz~1MHz可用）
	TSM22	合规	2.5 X 2.0陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS	1.0V~5.0V	0.750MHz~125.000MHz
	TEL31	合规	3.2 X1.5陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS	1.8V~3.3V  （最大1.5uA）	32.768kHz的
	TEL32	合规	3.2 X 2.5陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS	1.8V~5.0V  （最大1.5uA）	32.768kHz的
	TG 32	合规	3.2 X 2.5陶瓷 6 PAD SMD	HCMOS  LVDS  LVPECL	2.5V，3.3V	10.000MHz~1500.000MHz
	THS32	合规	3.2 X 2.5陶瓷 6 PAD SMD	HCMOS	2.5V~3.3V	2.500MHz~55.000MHz
	TLP32	合规	3.2 X 2.5陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS	1.8V~3.3V  （最大10uA）	32.768kHz的
	TLSM3	合规	3.2 X 2.5陶瓷 6 PAD SMD	LVDS	2.5V~3.3V	13.500MHz~156.250MHz
	TP32	合规	3.2 X 2.5陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS	1.8V~3.3V	1.000MHz~200.000MHz
	TSM32	合规	3.2 X 2.5陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS	1.0V~5.0V	1.000MHz~156.250MHz
	TSL32	合规	3.2 X 2.5陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS	1.8V~5.0V	32.768kHz  （25kHz~1MHz可用）
	TCP53	合规	5.0 X 3.2陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS  扩频 低EMI	2.5V，3.3V	1.000MHz~200.000MHz
	TSM53	合规	5.0 X 3.2陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS  TTL  CMOS / TTL	1.0V~5.0V	1.000MHz~200.000MHz
	TGM5	合规	5.0 X 3.2陶瓷 6 PAD SMD	LVDS  LVPECL	2.5V~3.3V	25.000MHz~200.000MHz
	TLSM5	合规	5.0 X 3.2陶瓷 6 PAD SMD	LVDS	2.5V~3.3V	12.000MHz~800.000MHz
	TP53A	合规	5.0 X 3.2陶瓷 6 PAD SMD	HCMOS  LVDS  LVPECL	2.5V，3.3V	10.000MHz~1500MHz
	TPSM5	合规	5.0 X 3.2陶瓷 6 PAD SMD	LVPECL	2.5V~3.3V	0.750MHz~800.000MHz
	TSL53	合规	5.0 X 3.2陶瓷 4 PAD SMD	CMOS	1.0V~5.0V	32.768kHz  （25kHz~1MHz可用）
	TCP75	合规	7.0 X 5.0陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS  扩频 低EMI	2.5V，3.3V	1.000MHz~200.000MHz
	TP75A	合规	7.0 X 5.0陶瓷 6 PAD SMD	HCMOS  LVDS  LVPECL	2.5V，3.3V	10.000MHz~1500MHz
	TSL75	合规	7.0 X 5.0陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS	1.8V~5.0V	32.768kHz  （25kHz~1MHz可用）
	TSM75	合规	7.0 X 5.0陶瓷 4 PAD SMD	HCMOS	1.8V，2.5V，2.8V  3.0V，3.3V，5.0V	1.000MHz~200.000MHz
	TLSM	合规	7.0 X 5.0陶瓷 6 PAD SMD	LVDS	2.5V~3.3V	12.000MHz~800.000MHz
	TPSM	合规	7.0 X 5.0陶瓷 6 PAD SMD	LVPECL	2.5V~3.3V	12.000MHz~800.000MHz
	THCSL	合规	7.0 X 5.0陶瓷 6 PAD SMD	HCSL	2.5V，3.3V	13.500MHz~200.000MHz
	TGM	合规	7.0 X 5.0陶瓷 6 PAD SMD	LVDS  LVPECL	2.5V，3.3V	25.000MHz~200.000MHz
	TSP	合规	14.0 X 9.8塑料 4 PIN SMD	HCMOS  TTL  CMOS / TTL	3.3V，5.0V	1.000MHz~125.000MHz
	TLS	合规	14.5 X 9.2 PCB基座 6P SMD	LVDS	2.5V~5.0V	0.750MHz~800.000MHz
	TPS	合规	14.5 X 9.2 PCB基座 6P SMD	LVPECL	2.5V，3.3V	12.000MHz~800.000MHz
	TPS-1236	合规	14.3 X 8.7 PCB基座 4P SMD	HCMOS	3.3V	24.576MHz~49.152MHz
	SXO	合规	8脚DIP / 14脚DIP  通孔	CMOS  TTL  HCMOS / TTL	1.8V~5.0V	200Hz~300.000MHz
	SXS	合规	8脚DIP / 14脚DIP  通孔	CSW	3.3V，5.0V	6.000MHz~190.000MHz
	SXL	合规	8脚DIP / 14脚DIP  通孔	LVDS	3.3V，5.0V	0.750MHz~800.000MHz
	SXP	合规	8脚DIP / 14脚DIP  通孔	PECL	3.3V，5.0V	0.750MHz~800.000MHz
	ECP	合规	14针DIP全尺寸  通孔	PECL	3.3V，5.0V	0.750MHz~800.000MHz
	EXO	合规	14针DIP全尺寸  通孔	ECL	-5.2V	10.000MHz~250.000MHz

The TranskoCrystal Oscillator crystal oscillator has been developing and producing crystals and oscillators since the company was founded in 1992, fourth years ago. In the following year, VCXO CRYSTAL voltage controlled crystal oscillator and TCXO CRYSTAL temperature compensated crystal oscillator were quickly launched. As the Transko Crystal Oscillator crystal oscillator has been recognized by the market, the volume of orders has been greatly improved, and great breakthroughs have been made. The Transko Crystal company had to move to a larger factory in aheim, California.

很多客户都会经常在问温补晶振也是属于有源晶振的一种,那为什么会和石英晶体振荡器会有着天大的区别呢,一个在天上,一个在地下.温补晶振与普通的石英晶体振荡器的不同就是温补晶振的精度会比石英晶体振荡器的性能要更高,稳定性会更强.对于晶振频率来说,温补晶振可以起到一个温度补偿的作用.温补晶振也称TCXO晶振,传统的TCXO晶振提通过采用模拟器件进行温度补偿,通过改变振荡回路中的 负载电容等模拟器件让其随着温度变化来补偿晶体谐振器由于环境温度变化所生产的频率漂移.

在有源晶振中我们知道包含有普通石英晶体振荡器（OSC晶振），温补晶振（TCXO晶振），压控晶振（VCXO晶振），压控温补晶振（VC-TCXO晶振），恒温晶振（OCXO晶振），32.768K有源晶振，差分晶振等，其中最常用的还是普通石英晶体振荡器、温度补偿晶振和压电控制晶振。我们都知道石英晶振的频率精准度直接影响晶振性能，而温度作为最大外在因素也被我们研究来研究去，最后我们终于都把TCXO晶振懂了个透彻，但对VCXO晶振我们了解的实际上是少之又少。

维多利亚老品牌值得信赖线路作为国内晶振行业模范厂家,专业生产32.768K常用晶振.同时代理台湾,日本等知名品牌.以雄厚的实力成为各大品牌的一级代理商,公司产品有晶振,有源晶振,雾化片,滤波器,温补晶振,陶瓷晶振,为我国的电子产业发展尽一份微薄之力,如有需要请联系维多利亚老品牌值得信赖线路业务员,一站式为您解决所有难题.

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在石英晶振中谐振器和振荡器的区分相信大家都非常了解了。石英晶体谐振器成为不带电压的石英晶振或是无源晶振，而石英晶体振荡器则称为带电压的石英晶振也就是有源晶振，并且和谐振器相比振荡器还根据有源晶振的性能不同分为：普通石英晶体振荡器即普通有源晶振OSC，温度补偿晶振TCXO晶振,压控晶体振荡器VCXO，压控温补晶振VC-TCXO晶振，差分晶振LV-PECL晶振，恒温晶体振荡器OCXO晶振，还有就是刚加入有源晶振系列还不久的32.768K有源晶振。

晶振在无人汽车的发展中也做出了巨大贡献,对于我国未来的新型智能产品诞生功不可没.目前被市场广泛使用的是超小超薄型贴片晶振. 贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品。这也为未来的科技奠定了一定的基础。

美国Pletronics晶振成立于繁华的美国华盛顿,主要以石英晶体,石英晶体振荡器生产为主,1981年PLETRONICS晶振在韩国建立独资工厂,采用最先进的生产设备,及最专业的技术团队研发生产晶振.Pletronics Crystal已有30多年制造生产经验.所生产的产品使用范围广包括亚洲、欧洲和北美的制造业.Pletronics晶振公司拥有国际工程,物流和销售支持.产品设计创新,价格竞争有优势,订货交期时间短在业界具有较好的声誉.

PLETRONICS晶振公司发展历史

1979年,在美国华盛顿州成立了Pletronics公司,主营石英晶振,贴片晶振, 有源晶振,压控振荡器,（PXO）普通晶体振荡器,(TCXO)温补晶体振荡器等.

1981年Pletronics晶振公司在韩国建立了一家独资工厂

1997年通过BSI实现了ISO 9001:1994,符合欧盟环保要求.

2000年卖掉了韩国工厂.转移到合同制造(铸造厂)

2001年在华盛顿制造的PECL和LVDS振荡器,使用FR4 PCB上的离散组件

2002年通过BSI实现了ISO 9001:2000,符合欧盟环保要求,开发出高频基本晶体

2003年Pletronics晶振公司在韩国和中国合资经营

2004年在5x7陶瓷中引入了较低成本的高频率PECL和LVDS振荡器,具有低抖动,低电源电压,低功耗等特点.

2005年第一个合成的PECL和LVDS振荡器106.25MHz和212.5MHz,高频率石英晶体振荡器具有高稳定性能,低功耗低抖动等特点.适用于高端精密设备中,比如高速光纤网络,北斗卫星等.

2006年介绍了我们的LVDS系列石英晶体振荡器,贴片晶振,有源晶振.

2007年合成振荡器的合资企业建立

2008年为新兴技术发布了重要的新产品,如超精密有源晶振,低损耗晶体振荡器等.

2009年发展过程和精密TCXO温补晶振,温补晶体振荡器的初步试生产

2010年引入OeXo®系列OCXO恒温晶体振荡器替代技术

2011年开发了LC振荡器技术,投入到各种高端智能设备,GPS卫星导航,无线电基站, 北斗卫星导航等领域应用.

2013年引入GypSync®TCXO模块

2014年引进100fs超低抖动的PECL / LVDS / HCSL J系列晶体振荡器, 北斗导航温补晶振,北斗GPS模块晶体振荡器

2015年推出了OeM8增强TCVCXO压控温补晶振,石英晶体振荡器,贴片晶振.

2016年引进了50fS超低抖动的PECL / LVDS K系列振荡器,石英晶体振荡器,贴片晶振, (TCXO)温补晶体振荡器, 压控晶体振荡器（VCXO）.