- [行业新闻]石英晶体谐振器Q22FA1280022600适用于无线通讯系统2022年10月14日 08:44
- 如今的晶振产品已经频频出现在我们生活当中,常见过的产品就有手机蓝牙耳机等,巨大的市场需求推动石英晶振产品的发展,同时也迎来了新的机遇,在这个偌大的市场中,电子产品对于晶振的意义非常重大,而在数字电路里,它却像整个电路的心脏。而数字电路的所有工作都离不开时钟,晶振电路设计的好坏,会影响到整个系统的稳定性。
日本爱普生晶振FA-128,是一款MHz级AT切割方式的石英晶体谐振器,超小型尺寸2.0x1.6mm无源晶振,四脚贴片晶振,频率范围为:16MHz至54MHz,具有超小型,轻薄型,稳定性好,耐热及耐环境特点。该款无源晶振,可以在-40℃至+85℃的温度内稳定工作,被广泛应用于小型便捷式通信设备,测试血糖仪,数码相机,平板电脑,移动电话, 蓝牙, 无线-局域网,ISM频段电台广播,MPU时钟等。
石英晶体谐振器Q22FA1280022600适用于无线通讯系统
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- [行业新闻]智能手机晶振FA-20H小尺寸贴片晶振Q24FA20H00079002022年10月11日 08:39
- 日本EPSON拥有先进的生产设备,追求“省、小、精”的独特技术,研发制造符合业界需求的石英晶振,贴片晶振,有源晶体振荡器等产品.爱普生所生产的石英贴片晶振产品。
日本爱普生晶振热销型号FA-20H,是一款小体积尺寸2.5x2.0mm无源晶振,石英晶体谐振器,四脚贴片晶振,频率范围12MHz至54MHz,可以在-40℃至+85℃的温度内稳定工作,具有超小型,轻薄型,稳定性好,耐热及耐环境特性,FA-20H主要用于移动电话,智能手机,蓝牙,智能家居,平板电脑,无线-局域网,ISM频段电台广播,MPU时钟等,因此也有人称呼手机晶振、蓝牙晶振、时钟晶振这种小尺寸贴片晶振。
智能手机晶振FA-20H小尺寸贴片晶振Q24FA20H0007900 - 阅读(723)
- [行业新闻]测试血糖仪应用晶振Q22FA1280004700超小型2016mm晶振2022年10月08日 10:45
- 日本EPSON拥有先进的生产设备,追求“省、小、精”的独特技术,研发制造符合业界需求的石英晶振,贴片晶振,有源晶体振荡器等产品.爱普生所生产的石英贴片晶振产品,日本进口爱普生晶振FA-128,是一款MHz级AT切割方式的石英晶体谐振器,超小型尺寸2.0x1.6mm无源晶振,频率范围为:16MHz至54MHz,四脚贴片晶振,具有超小型,轻薄型,稳定性好,耐热及耐环境特点。该款无源晶振,可以在-40℃至+85℃(+105℃)的温度内稳定工作,被广泛应用于小型便捷式通信设备,测试血糖仪,数码相机,平板电脑,移动电话, 蓝牙, 无线-局域网,ISM频段电台广播,MPU时钟等。
测试血糖仪应用晶振Q22FA1280004700超小型2016mm晶振
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- [行业新闻]小体积2520mm晶振X1G005171002300用于汽车的CMOS输出可编程晶体振荡器2022年09月07日 09:12
日本进口爱普生晶振SG-8101CGA,是用于汽车的CMOS输出可编程晶振。虽然这一系列提供了同样容易编程的频率和其他参数,与AEC-Q100符合汽车应用的125℃上限。小体积晶振尺寸2.5x2.0mm小封装有助于电子制造商节省电路板空间,频率范围0.67MHz至170MHz,电源电压1.62V至3.63V,四脚贴片石英晶振,具有超小型,轻薄型,低电源电压,低抖动,低功耗等特点,应用于汽车电子,5G通讯、工业控制、车载、消费电子、光电技术及各种变频调速设备等通讯设备。
小体积2520mm晶振X1G005171002300用于汽车的CMOS输出可编程晶体振荡器
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- [行业新闻]X1E000251001600超小型晶体谐振器适用于各种小巧的便携式消费电子数码产品2022年08月23日 10:38
爱普生晶振推出的这款FA-118T,超小型尺寸1.6x1.2x0.35mm四脚贴片石英晶振,石英晶体谐振器,无源晶振,是当今很受欢迎的小尺寸晶振,随着民用市场中可无线通信产品的发展和迅速普及,搭载近距离无线通信Bluetooth功能的产品逐渐增加,1612mm无源晶振也呈现出越来越多的需求。
X1E000251001600超小型晶体谐振器适用于各种小巧的便携式消费电子数码产品
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- [行业新闻]1XXB24000MEA|DSB221SDN晶振|24M温补晶振2022年08月22日 10:39
1XXB24000MEA|DSB221SDN晶振|24M温补晶振
KDS晶振 原厂型号 DSB221SDN KDS晶振 原厂代码 1XXB24000MEA Device Name 产品名称系列 TCXO(温补晶振) Nominal Frequency 标称频率 24 MHZ Supply Voltage 电源电压
1.8~3.3V Load Impedance 负载阻抗 (resistance part)(parallel capacitance)
10 kΩ
10 pF
Control Voltage Range 控制电压范围
1.15 V Operating Temperature Range 工作温度范围
-40~+85℃ Storage temperature 储存温度
-40~+85℃ Current Consumption 电流消耗
1.5 mA Output Level 输出电平
0.8 Vp-p Symmetry 对称性
40/60% Harmonics 谐波
-8 dBc
SIZE 尺寸 2.5*2.0*0.9mm 1XXB24000MEA晶振产品尺寸图
1XXB24000MEA晶振产品电气表
关于1XXB24000MEA|DSB221SDN晶振|24M温补晶振 产品安装的注意事项
1端子A通孔不在底部(安装侧)。
2土地图案布局/金属掩模孔以下土地图案为参考设计。电气特性应满足安装在这片土地上的要求。在测试用地和安装用地不相连的范围内,可以改变接地方式。
对电特性没有任何影响。面罩厚度建议为0.12毫米。- 阅读(93)
- [行业新闻]Cardinal晶振CJ系列晶体振荡器型号大全,CJAE7LZ-A7BR-024.000TS,差分晶振2022年08月15日 08:45
- Cardinal Components公司自1986年以来,一直向北美,欧洲和亚洲的电子行业供应最优质的石英晶振,石英晶体振荡器,TCXO晶振和VCXO晶振Cardinal的定价和交付时间在晶体元件行业中最具竞争力,与许多客户保持着长期的合作关系。
世界领先的可编程振荡器制造商Cardinal Components公司推出CJ系列工厂可配置振荡器“XO”和压控振荡器“VCXO”。CJ系列频率范围从10MHz到1.5GHz。工作电压为2.5或3.3V。CJ系列温度范围是商业0-70℃和工业-40到+ 85℃。CJ系列提供5.0x7.0mm,5.0x3.2mm和2.5x2.0mm陶瓷表面贴装封装。产品输出选项为CMOS,LVDS和LVPECL差分晶振。CJ系列是低功耗兼容产品,与竞争解决方案相比,CMOS @(1至250 MHz)为20 mA,LVDS @(750MHz至1.5GHz)为23mA,而在54 mA @(750MHz)时为LVPECL配置到1.5GHz)。稳定性选项包括25和50PPM选项。相位抖动(12kHz-20MHz)0.9psRMS。
Cardinal晶振CJ系列晶体振荡器型号大全,CJAE7LZ-A7BR-024.000TS,差分晶振
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- [行业新闻]京瓷晶振Z系列用于电子设备和通讯设备的晶体振荡器,KT2016K26000BCW18ZAS2022年08月02日 08:47
京瓷晶振公司作为电子部件中各同行中争相效仿的对象,在制作石英晶振,贴片晶振,32.768K等频率元件.为社会和人类的进步做出贡献.石英晶体,贴片晶振,温补晶振对于手机,数码相机和其他数字设备关键部件的性能有重要影响,近期业务总部研发出了一种新产品,以达到快速交货,并且对应于全局可靠性标准AEC-Q100/200晶体时钟振荡器的车载部件)SPXO),用于时钟的晶体振荡器是输出用于控制电子电路等的时钟信号的重要部分,使得电子设备可以正常操作.
京瓷晶振Z系列用于电子设备和通讯设备的晶体振荡器,KT2016K26000BCW18ZAS
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- [行业新闻]大真空旗下两款基站用Oscillator性能详细剖析介绍2021年01月15日 13:46
大真空旗下两款基站用Oscillator性能详细剖析介绍.
DC7050AS和DSA/DSB535SGA是大真空旗下的可用于通信基站的石英晶振产品,其中DC7050AS是一款恒温晶振, DSA/DSB535SGA中DSA系列是压控温补晶振,DSB系列是温补晶振系列;对于通信基站来说,工作环境的复杂性决定了它所使用的晶体频控元件必须是能够承受复杂环境所带来的的影响.
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- [行业新闻]石英晶振价格的决定因素2020年04月20日 17:30
- 石英晶振价格由以上六点组成,并且小编也对其进行了详细的解说方便大家的理解.没必要说要求晶振太好,尺寸有多小,主要就是SMD晶振与电子产品能够贴合,能使产品功能最大化即可.如果一味的追求晶振的质量而忽略自家产品的要求,最后可能会得不偿失.
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- [行业新闻]博通半导体交期延长至半年时间,石英晶体厂家欲哭无泪2020年04月18日 17:05
- 电视机,网络连接器是家庭必备产品,你知道这次产品的来源及需要的配件吗?首先外壳是大家直观能看到的,内部的元器件外表是看不出来的,看不到的才是最主要的,比如石英晶振,电容,电阻都是电子产品不可缺少的,它们的好坏决定产品的性能,少了会怎么样?后果大家也是可想而知.
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- [行业新闻]智能手机信号弱是不是晶振的错2020年04月16日 17:18
- 智能手机信号弱的话可以采用温补晶振,在使用的过程中可以减少环境的干扰.温补晶振具有温度补偿功能,很大程度上减少了天气影响,感觉它就是为消费电子诞生.像现在智能手机很多都是往轻,小型方向发展,那石英晶振也要采用2016mm,1612mm的,这样更显得贴近产品需求,高端额消费电子都会用到温补晶振,某些产品会有个例.
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- [行业新闻]美国电子产业开展线上模式,2020年的苹果销量持续下跌2020年04月06日 16:47
- 以上两段文字中的数据可以看出,美国疫情严重,苹果手机销售额是直线下滑的,产量也是如此.手机产量的下滑,也是冲击着别的元器件厂家,比如石英晶振,温补晶振,1612晶振,电池,数据线厂家.从这些数据看出,疫情越严重,美国的经济越惨淡,如果美国电子产业持续发展线上模式,那它整体的一个销量也是跟着下跌的.
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- [行业新闻]适用于超声波的低成本兆级系列耐高温石英晶体产品SMD03025/4US2020年04月03日 17:48
每个开发和生产专家都知道,石英晶体无法进行超声波焊接和清洁.高频焊接或清洁过程会损坏石英谐振器.而且现在超声波应用相当广泛,在医疗电子,探测,汽车等领域都有应用,这样一来对石英晶振的需求势必会有所提升,在这样的背景下,彼得曼晶振公司就出产了一种可适用于超声波的低成本兆级系列耐高温石英晶体产品SMD03025/4US.
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- [行业新闻]石英晶体负载电容还有频率吗?2019年11月07日 14:54
石英晶体负载电容还有频率吗?这句话听起来又矛盾又好奇,为什么负载电容里面还会有频率出现.我们所知道的不都是石英晶振产品内部有标准频率参数,负载电容值,频率偏差以及工作温度等相关参数,但又是为什么石英晶体负载电容还会有频率呢?那么以下,请跟随着我们来去了解探讨一下有关于<石英晶体负载电容还有频率吗?>的疑问!
当订购用于工作在频率f下的振荡器的晶体时,例如32.768 kHz或20 MHz,通常仅指定工作频率是不够的。尽管晶体将以接近其串联谐振频率的频率振荡,但实际的振荡频率通常与该频率稍有不同(在“并联谐振电路”中会稍高一些)1。
因此,假设您有一个晶体振荡器电路,并且想要购买晶体,以使放置在该电路中时的振荡频率为f。您需要告诉晶振厂家完成什么?您是否需要发送振荡器设计的示意图以及其设计的所有相关细节,例如选择与布局相关的电容器,电阻器,有源元件和杂散?幸运的是,答案是否定的。除了频率f之外,仅需一个数字,即负载电容CL。
2.什么是CL?
假设您的晶体振荡器以所需的频率f运行。在该频率下,晶体具有复阻抗Z,并且对于工作频率而言,这是晶体唯一重要的特性。因此,为了使振荡器在频率f下工作,您需要在频率f下具有阻抗Z的晶体。因此,最糟糕的是,您只需指定一个复数Z = R + jX。实际上,它甚至比这更简单。
尽管原则上应该在频率f处指定晶体电阻R,但通常R中的晶体间差异以及振荡器对此变化的敏感性足够低,因此无需指定R。这并不是说抗结晶性没有影响;是的。我们将在第4节中进一步讨论。
因此,剩下一个值来指定:f处的晶体电抗X。因此,可以指定一种在20 MHz时电抗为400的晶体。取而代之的是,通常通过指定电容CL并等于
在这里我们设定了ω=2πf。 在物理上,在该频率下,晶振和电容CL的串联组合的阻抗具有零相位(等效地,具有零电抗或纯电阻)。 参见图1。
其中第二步遵循公式(1),电容C的电抗为-1 /(ωC)。
图1-该串联组合在晶振具有负载电容CL的频率下具有零相阻抗
因此,确保适当的振荡频率的任务是提供在指定频率下具有所需电抗的组件(在这种情况下为晶体),这由等式(1)2用电容CL表示。例如,我们不是指定晶体在20 MHz时具有400 frequency的电抗,而是指定在20 MHz处具有20 pF的负载电容的晶体,或更通常地,我们指定在20 pF的负载电容下的晶体频率为20 MHz。
在“并联谐振电路”中,CL为正,通常在5 pF至40 pF之间。在这种情况下,晶体在晶体的串联和并联谐振频率(分别为Fs和Fp)之间的狭窄频带内工作。
注释:1订购晶体进行串联谐振操作时,不要指定CL的值,而应声明频率f指的是串联谐振频率Fs。
2这并不是说频率确定的所有方面都与此唯一数字相关。例如,晶体和振荡器的其他方面决定了是否选择了正确的振荡模式以及系统的频率稳定性(短期和长期)。
虽然真正的“串联谐振电路”没有与之相关的负载电容[或方程式(1)可能是无穷大],但大多数“串联谐振电路”实际上实际上是在串联谐振频率之外工作的,因此确实有一个有限负载电容(可以为正或负)。但是,如果此偏移很小,并且不需要指定负载电容,则可以忽略该偏移,也可以通过在指定频率f中稍有偏移来处理它。
正如我们将在第4节中看到的那样,振荡器和晶体都确定CL。但是,该晶体的作用很弱,因为在零电阻的极限内,该晶体在确定CL时根本不起作用。在这种限制情况下,将CL称为振荡器负载电容是有意义的,因为它完全由振荡器决定。但是,到了在订购晶体的时间上,可以指定在负载电容CL处具有频率f的晶体,即这是晶体频率的条件。因此,将CL称为晶体负载电容是合理的。出于争论的目的,我们简单地避免了这个问题,并使用术语负载电容。
3.在CL上定义FL
现在,对于在给定的负载电容下具有给定频率的晶体,我们用方程式(1)作为定义关系。
定义:当晶体在频率FL处的电抗X由公式(1)给出时,晶体在负载电容CL处具有频率FL,其中ω=2πFL。
回想一下,在给定模式下,晶体的电抗从负值增加,在串联谐振时从零增加到在并联谐振附近的大正值,在此它迅速减小到大负值,然后又增加到零。 (参见参考文献[1]。)通过排除并联谐振周围的区域,我们为每个电抗值提供了一个频率。这样,我们可以关联给定CL值的频率FL。因此,CL的正值对应于串联谐振和并联谐振之间的频率。 CL的大负值对应于低于串联谐振的频率,而较小的负值对应于高于并联谐振的频率。 (请参见下面的公式(3)。)
3.1。 晶体频率方程
那么,振荡频率在多大程度上取决于负载电容CL? 我们可以通过确定晶体频率FL如何取决于晶体负载电容CL来回答这个问题。 可以证明这一点非常近似
其中C 1和C 0分别是晶体的动电容和静电容。 (有关该关系的推导和讨论,请参见参考文献[1]。)为便于说明,我们将公式(3)称为晶体频率公式。
这表明晶体振荡器的工作频率与其负载电容的相关性以及对晶体本身的相关性。 特别地,当将负载电容从CL1更改为CL2时,分数频率变化可以通过以下方式很好地近似:
3.2。 修剪灵敏度
公式(3)给出了工作频率FL对负载电容CL的依赖性。 频率随CL的负变化率称为调整灵敏度TS。 使用公式(3),这大约是
由此可见,在较低的CL值下,晶体对CL的给定变化更敏感。
4.但是什么决定CL?
考虑一个简单的皮尔斯振荡器,它由一个晶体,一个放大器以及栅极和漏极电容器组成,如图2所示。
试图计算皮尔斯振荡器电路的负载电容时,必须考虑至少三个杂散电容。
1.从放大器的输入到地面的附加电容。其来源可能是放大器本身,并且将电容跟踪到地。由于此电容与C G并联,因此我们可以简单地将其吸收到C G的定义中。 (CG是电容器对地的电容加上放大器此侧对地的任何附加电容。)
2.从放大器的输出到地面的附加电容。其来源可能是放大器本身,并且将电容跟踪到地。由于此电容与C D并联,因此我们可以简单地将其吸收到C D的定义中。 (即CD是电容器接地电容,再加上放大器此侧的任何其他接地电容。)
3.杂散电容C s使晶体分流,如图2所示。
如上所述重新定义C G和C D,然后得出[2]振荡的条件之一是
Where
是晶体和电容C s的并联组合的阻抗,而R o是放大器的输出电阻。
可以看出,晶振电阻R是负载电容CL的函数,近似为:(假设CL不太小)
其中R 1是晶体[1]的运动阻力。
然后得出结论(提供的CL – C s不太小)
以及
根据这些结果,式(6)给出了CL的以下方程式
其中R′由等式(9)近似。请注意,CL的方程实际上比起初看起来要复杂一些,因为R'取决于CL。
可以看出,CL随R 1的增加而减小,因此通过公式(3),工作频率随晶体电阻而增加。因此,负载电容确实与晶体本身有关。但是,正如我们前面提到的,晶体电阻的变化以及对这种变化的灵敏度通常足够低,因此可以忽略不计。 (在这种情况下,晶体电阻的标称值用于计算CL。)
但是,有时抗拒效果不容忽视。调谐两个晶体,以使它们在给定的负载电容CL下具有完全相同的频率,如果它们的电阻不同,则它们可以在同一振荡器中以不同的频率振荡。这种微小的差异导致所观察到的系统频率变化增加,高于晶体频率校准误差和板对板组件变化所引起的变化。
注意,在晶体电阻为零的情况下(或与放大器的输出电阻R o相比,至少可忽略不计),公式(11)给出
因此,在这种情况下,负载电容是将晶体分流的杂散电容加上晶体每一侧的两个电容与地之间的串联电容。
5,测量CL
虽然原则上可以从电路设计中计算出CL,但是一种更简单的方法是简单地测量CL。这也更加可靠,因为它不依赖于振荡器电路模型,考虑了与布局相关的杂散(可能难以估计),并且考虑了晶体电阻的影响。这是两种测量CL的方法。
5.1方法1
该方法需要阻抗分析仪,但不需要了解晶体参数,并且与晶体模型无关。
1.获得与将要订购的晶体相似的晶体,即具有相似的频率和电阻。
2.将此晶体放置在振荡器中,并测量操作FL的频率。将晶振放入电路中时,请注意不要损坏它或做任何会引起不适当频率偏移的事情。 (如果焊接到位,请使其冷却至室温。)避免焊接的好方法是简单地使用例如铅笔的橡皮擦末端将晶体压在板的焊盘上,并观察振荡频率。只要注意晶体与电路板完全接触即可。该系统仍然可以以较高的频率振荡,而晶体不会与电路板完全接触。
3.使用阻抗分析仪,以步骤2中确定的频率FL测量晶体的电抗X。
4.使用等式(1)以及在FL处的FL(ω=2πFL)和X的测量值来计算CL。
5.2方法2
此方法取决于四参数晶体模型,并且需要了解这些参数(通过您自己的测量或晶体制造商提供的知识)。
1.获得与将要订购的晶体相似的晶体,即具有相似的频率和电阻。
2.表征该晶体。特别要测量其串联频率F s,运动电容C 1和静态电容C 0。
3.将此晶体放在振荡器中,并测量操作FL的频率(如方法1,步骤2所示)。
4.使用公式(3)和FL,F s,C 1和C 0的测量值计算CL。
建议采用至少3个晶体进行这两种方法。正确完成后,该技术通常得出的CL值约为0.1 pF。通过对多个电路板重复该过程以估计CL的电路板间差异,可以找到对最终结果的进一步信心。
注意,在上面,FL不必精确地是期望的振荡频率f。也就是说,CL的计算值不是振荡频率的强函数,因为通常仅晶体是强烈依赖于频率的。如果由于某种原因,振荡器确实具有很强的频率相关性,那么使用该程序将非常困难。
6.我真的需要为CL指定值吗?
至少有三种情况不需要CL的规范:
1.您打算以晶体的串联谐振频率进行操作。
2.您可以容忍频率中的较大误差(大约0.1%或更高)。
3.电路的负载电容足够接近标准值(请参见晶振数据表),以允许频率差。可以使用公式(4)计算该差异。
如果您的应用不满足上述三个条件之一,则应强烈考虑估算振荡器的负载电容,并在指定晶体时使用该值。
- 阅读(188)
- [晶振编码查询]1XTV26000AAD|KDS晶振|株式会社大真空|VCTCXO晶振2019年08月30日 08:39
KDS 晶振即是日本大真空株式会社(DASHINKU CORP),成立于 1951 年,至今已有 50 多年的历史,是全球领先的三大晶振制造商之一,其制造工厂主要分布在日本本土、中国、泰国、印度尼西亚等十多个制造中心,KDS 大真空集团总公司位于日本兵库县加古川,在泰国,印度尼西亚,台湾,中国天津这些大城市均有生产工厂,其中天津工厂是全球晶振行业最大的单体制造工厂,也是全球最大的 TF 型晶振制造工厂.
首先非常的感谢你长期以来对【日本大真空株式会社】,KDS 晶振品牌的支持与厚爱.在此郑重声明,本集团以下简称(KDS)在中国的代理商除了北京中国电子研究院,广州电子研究所,【维多利亚老品牌值得信赖线路】,香港 KDS办事处,台湾KDS办事处,是正规的代理销售企业,其余地区以及公司,个人所销售的KDS产品均不能保证是原装正品,请你选择正规渠道定制货品.
1XTV26000AAD|KDS晶振|株式会社大真空|VC-TCXO振荡器
Model Name 型号 DSA321SCA Original code 原厂代码 1XTV26000AAD Device Name 产品名称系列 VC-TCXO(压控温补振荡器) Nominal Frequency 标称频率 26 MHZ Supply Voltage 电源电压
2.8V Load Impedance 负载阻抗 (resistance part)(parallel capacitance)
10 kΩ
10 pF
Control Voltage Range 控制电压范围
1.15 V Operating Temperature Range 工作温度范围
-40~+85℃ Storage temperature 储存温度
-40~+85℃ Current Consumption 电流消耗
1.5 mA Output Level 输出电平
0.8 Vp-p Symmetry 对称性
40/60% Harmonics 谐波
-8 dBc
SIZE 尺寸 3.2*2.5*0.9mm 1XTV26000AAD晶振产品尺寸图
1XTV26000AAD晶振产品电气表
关于1XTV26000AAD压控温补振荡器产品安装的注意事项
1端子A通孔不在底部(安装侧)。
2土地图案布局/金属掩模孔以下土地图案为参考设计。电气特性应满足安装在这片土地上的要求。在测试用地和安装用地不相连的范围内,可以改变接地方式。
对电特性没有任何影响。面罩厚度建议为0.12毫米。包装条件
胶带包装
(1)压花胶带格式及尺寸
(2)卷筒数量:最多2000个/卷
(3)胶带规格
不缺产品。
(4)卷筒规格见图3
包装
产品用防静电袋包装。
*湿度敏感度等级:IPC/JEDEC标准J-STD-033/1级
无需干燥包装,无需重新储存后烘烤。
包装箱
最多10卷/包装箱。但是,在少于10卷的情况下,它由任何盒子容纳。
盒子里的空间用垫子填满了。
- 阅读(105)
- [晶振编码查询]1XTW16368MAA|KDS晶振|株式会社大真空|TCXO振荡器2019年08月02日 15:06
1XTW16368MAA|KDS晶振|株式会社大真空|TCXO振荡器
Model Name 型号 DSB321SDN晶振 Original code 原厂代码 1XTW16368MAA Device Name 产品名称系列 TCXO(温补振荡器) Nominal Frequency 标称频率 16.368 MHZ Supply Voltage 电源电压
2.8V Load Impedance 负载阻抗 (resistance part)(parallel capacitance)
10 kΩ
10 pF
Control Voltage Range 控制电压范围
1.15 V Operating Temperature Range 工作温度范围
-30~+85℃ Storage temperature 储存温度
-55~+125℃ Current Consumption 电流消耗
1.5 mA Output Level 输出电平
0.8 Vp-p Symmetry 对称性
40/60% Harmonics 谐波
-8 dBc
SIZE 尺寸 3.2*2.5*0.9mm
1XTW16368MAA晶振产品尺寸图
1XTW16368MAA晶振产品电气表
关于1XTW16368MAA温补晶振产品安装的注意事项
1端子A通孔不在底部(安装侧)。
2土地图案布局/金属掩模孔以下土地图案为参考设计。电气特性应满足安装在这片土地上的要求。在测试用地和安装用地不相连的范围内,可以改变接地方式。
对电特性没有任何影响。面罩厚度建议为0.12毫米。包装条件
胶带包装
(1)压花胶带格式及尺寸
(2)卷筒数量:最多2000个/卷
(3)胶带规格
不缺产品。
(4)卷筒规格见图3
包装
产品用防静电袋包装。
*湿度敏感度等级:IPC/JEDEC标准J-STD-033/1级
无需干燥包装,无需重新储存后烘烤。
包装箱
最多10卷/包装箱。但是,在少于10卷的情况下,它由任何盒子容纳。
盒子里的空间用垫子填满了。- 阅读(98)
- [公司新闻]HOSONIC CRYSTAL选型数据表2019年03月11日 09:05
关于HOSONIC鸿星晶振公司可能挺多人也知道,HOSONIC CRYSTAL鸿星晶振股份有限公司成立于1979年在台湾设立登记成立公司,登记的资本为新台币200万元。公司成立之后便于台湾投入石英晶体研发制造.1994年新增资本3400万元,开始大力研发生产石英晶体振荡器,石英晶振,贴片晶振,压控振荡器的研发生产。
About HOSONIC CRYSTAL Company may know that HOSONIC CRYSTAL was established in 1979 to establish a registered company in Taiwan with a registered capital of NT$2 million. After the establishment of the company, it is convenient for Taiwan to invest in the research and development of quartz crystal. In 1994, the company added 34 million yuan of capital, and began to vigorously research and develop the production and production of quartz crystal oscillator, quartz crystal oscillator, patch crystal oscillator and voltage controlled oscillator.
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- [技术支持]CFS-206晶振与CFV-206晶振的区别2018年12月10日 09:47
CFS-20632768DZBB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振6pF石英晶振 CFS-20632768DZFB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFS-20632768HZFB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±5ppm晶振12.5pF石英晶振 CFS-20632768AZFB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFS-20632768DZYB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振7pF石英晶振
日本西铁城株式会社主要以生产手表为中心,在多年的生产经营后西铁城公司便开始自主研发手表重要配件——石英晶振.石英晶振分KHZ晶振以及MHZ晶振.手表上使用居多的便是KHZ系列晶振.CM315D晶振,CM315DL晶振,CM315H晶振,CM315E晶振系列.3215封装是手表,手机等小型数码产品使用频率较为广泛.而早期全是CFS-206晶振的天下.
CFS-20632768DZCB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振9pF石英晶振 CFS-20632768EZBB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±10ppm晶振6pF石英晶振 CFS-20632768EZFB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±10ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20632000AZFB晶振CFV-206晶振32kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20638400AZFB晶振CFV-206晶振38.4kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20677503DZFB晶振CFV-206晶振77.503kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20675000DZFB晶振CFV-206晶振75kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振
CFV-206100000AZFB晶振CFV-206晶振100kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20640000AZFB晶振CFV-206晶振40kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20632000DZFB晶振CFV-206晶振32kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20665536AZFB晶振CFV-206晶振65.536kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20636000AZFB晶振CFV-206晶振36kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振
CFS-206晶振频率范围30KHZ~100KHZ,周波数偏差20~30ppm,正常情况下都是以20PPM为标准.工作温度-20~+70度.负载电容常用12.5PF,
CFS-20632768EZYB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振7pF石英晶振 CFV-20668500DZFB晶振CFV-206晶振68.5kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20668503DZFB晶振CFV-206晶振68.5kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20640003DZFB晶振CFV-206晶振40kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20660003DZFB晶振CFV-206晶振60kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20660000DZFB晶振CFV-206晶振60kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振
CFV-20640000DZFB晶振CFV-206晶振40kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20660000AZFB晶振CFV-206晶振60kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20676800AZFB晶振CFV-206晶振76.8kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20696000AZFB晶振CFV-206晶振96kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFS-20632768HZBB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±5ppm晶振6pF石英晶振 CFS-20632768HZCB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±5ppm晶振9pF石英晶振 CFS-20632768HZYB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±5ppm晶振7pF石英晶振
CFS-206晶振跟CFV-206晶振有点不一样的就是CFS-206晶振只有单独一个频率,就是32.768K,是所有KHZ系列晶振的标准频率.它不像CFV-206晶振,在30~100KHZ内可以订制.频率偏差也比较小,以20PPM为标准.15PPM,10PPM也是可以按照客户的需求来订制.
CFV-20675000BZFB晶振CFV-206晶振75kHz晶振±50ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20677500BZFB晶振CFV-206晶振77.5kHz晶振±50ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20675000AZFB晶振CFV-206晶振75kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20638000AZFB晶振CFV-206晶振38kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20677503AZFB晶振CFV-206晶振77.503kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV206 60.005KAZF晶振CFV-206晶振60.005kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振
CFV206 76.790KAZF晶振CFV-206晶振76.79kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV206 76.810KAZF晶振CFV-206晶振76.81kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV206 77.500KAZF晶振CFV-206晶振77.5kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV206 153.600KAZF晶振CFV-206晶振153.6kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFS206-32.768KDZBB晶振CFS206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振6pF石英晶振 CFV206 153.600KAZF-UB晶振CFV-206晶振153.6kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV206 32.000KDZSB晶振CFV-206晶振32kHz晶振±20ppm晶振11pF石英晶振
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- [公司新闻]西铁城晶振CMX309晶振2018年11月23日 14:24
CMX309FBC9.8304MTR晶振9.8304MHz晶振CMX309FBC27.000M-UT晶振27MHz晶振CMX309FLC28.322M-UT晶振28.322MHz石英晶振 CMX309FLC12.288MT晶振12.288MHz晶振CMX309FBC10.000MTR晶振10MHz晶振CMX309FBC27.000M-UT晶振27MHz晶振CMX309FLC28.63636M-UT晶振28.63636MHz石英晶振CMX309FLC12.352MT晶振12.352MHz晶振CMX309FBC10.000MTR晶振10MHz晶振CMX309HBC32.000M-UT晶振32MHz晶振CMX309FLC28.63636M-UT晶振28.63636MHz石英晶振 CMX309FLC12.352MT晶振
CMX309晶振产品实物图
12.352MHz晶振CMX309FBC11.0592MTR晶振11.0592MHz晶振CMX309HBC32.000M-UT晶振32MHz晶振CMX309FLC29.498928M-UT晶振29.498928MHz石英晶振 CMX309FLC13.500MT晶振13.5MHz晶振CMX309FBC11.0592MTR晶振11.0592MHz晶振CMX309HBC32.768M-UT晶振32.768MHz晶振CMX309FLC29.498928M-UT晶振29.498928MHz石英晶振 CMX309FLC13.500MT晶振13.5MHz晶振CMX309FBC11.2896MTR晶振11.2896MHz晶振CMX309HBC32.768M-UT晶振32.768MHz晶振CMX309FLC30.000M-UT晶振30MHz石英晶振 CMX309FLC14.31818MT晶振14.31818MHz晶振CMX309FBC11.2896MTR晶振11.2896MHz晶振CMX309HBC33.000M-UT晶振33MHz晶振CMX309FLC30.000M-UT晶振30MHz石英晶振 CMX309FLC14.31818MT晶振14.31818MHz晶振CMX309FBC12.000MTR晶振12MHz晶振CMX309HBC33.000M-UT晶振33MHz晶振CMX309HWC32.000M-UT晶振32MHz石英晶振 CMX309FLC14.7456MT晶振14.7456MHz晶振CMX309FBC12.000MTR晶振12MHz晶振CMX309HBC33.3333M-UT晶振33.3333MHz晶振CMX309HWC32.000M-UT晶振32MHz石英晶振
CMX309晶振产品尺寸图
CMX309FLC14.7456MT晶振14.7456MHz晶振CMX309FBC12.288MTR晶振12.288MHz晶振CMX309HBC33.3333M-UT晶振33.3333MHz晶振CMX309HWC32.768M-UT晶振32.768MHz石英晶振 CMX309FLC15.360MT晶振15.36MHz晶振CMX309FBC12.288MTR晶振12.288MHz晶振CMX309HBC36.864M-UT晶振36.864MHz晶振CMX309HWC32.768M-UT晶振32.768MHz石英晶振 CMX309FLC15.360MT晶振15.36MHz晶振CMX309FBC14.31818MTR晶振14.31818MHz晶振CMX309HBC36.864M-UT晶振36.864MHz晶振CMX309HWC33.000M-UT晶振33MHz石英晶振 CMX309FLC16.000MT晶振16MHz晶振CMX309FBC14.31818MTR晶振14.31818MHz晶振CMX309HBC40.000M-UT晶振40MHz晶振CMX309HWC33.000M-UT晶振33MHz石英晶振 CMX309FLC16.000MT晶振16MHz晶振CMX309FBC14.7456MTR晶振14.7456MHz晶振CMX309HBC40.000M-UT晶振40MHz晶振CMX309HWC33.8688M-UT晶振33.8688MHz石英晶振 CMX309FLC16.384MT晶振16.384MHz晶振CMX309FBC14.7456MTR晶振14.7456MHz晶振CMX309HBC48.000M-UT晶振48MHz晶振CMX309HWC33.8688M-UT晶振33.8688MHz石英晶振 CMX309FLC16.384MT晶振16.384MHz晶振CMX309FBC16.000MTR晶振16MHz晶振CMX309HBC48.000M-UT晶振48MHz晶振CMX309HWC40.000M-UT晶振40MHz石英晶振 CMX309FLC16.6666MT晶振16.6666MHz晶振CMX309FBC16.000MTR晶振16MHz晶振CMX309HBC50.000M-UT晶振50MHz晶振CMX309HWC40.000M-UT晶振40MHz石英晶振 CMX309FLC16.6666MT晶振16.6666MHz晶振CMX309FBC16.384MTR晶振16.384MHz晶振CMX309HBC50.000M-UT晶振50MHz晶振CMX309HWC48.000M-UT晶振48MHz石英晶振 CMX309FLC17.734475MT晶振17.734475MHz晶振CMX309FBC16.384MTR晶振16.384MHz晶振CMX309HBC53.125M-UT晶振53.125MHz晶振CMX309HWC48.000M-UT晶振48MHz石英晶振 CMX309FLC17.734475MT晶振17.734475MHz晶振CMX309FBC18.432MTR晶振18.432MHz晶振CMX309HBC53.125M-UT晶振53.125MHz晶振CMX309HWC49.152M-UT晶振49.152MHz石英晶振 CMX309FLC18.000MT晶振18MHz晶振CMX309FBC18.432MTR晶振18.432MHz晶振CMX309FLC1.544M-UT晶振1.544MHz晶振CMX309HWC49.152M-UT晶振49.152MHz石英晶振 CMX309FLC18.000MT晶振18MHz晶振CMX309FBC20.000MTR晶振20MHz晶振CMX309FLC1.544M-UT晶振1.544MHz晶振CMX309HWC50.000M-UT晶振50MHz石英晶振 CMX309FLC18.432MT晶振18.432MHz晶振CMX309FBC20.000MTR晶振20MHz晶振CMX309FLC1.8432M-UT晶振1.8432MHz晶振CMX309HWC50.000M-UT晶振50MHz石英晶振 CMX309FLC18.432MT晶振18.432MHz晶振CMX309FBC24.000MTR晶振24MHz晶振CMX309FLC1.8432M-UT晶振1.8432MHz晶振CMX309HWC53.125M-UT晶振53.125MHz石英晶振 CMX309FLC19.6608MT晶振19.6608MHz晶振CMX309FBC24.000MTR晶振24MHz晶振CMX309FLC2.000M-UT晶振2MHz晶振CMX309HWC53.125M-UT晶振53.125MHz石英晶振 CMX309FLC19.6608MT晶振19.6608MHz晶振CMX309FBC24.576MTR晶振24.576MHz晶振CMX309FLC2.000M-UT晶振2MHz晶振CMX309FLC27.000MB晶振27MHz石英晶振 CMX309FLC19.6608MT晶振19.6608MHz晶振CMX309FBC24.576MTR晶振24.576MHz晶振CMX309FLC2.048M-UT晶振2.048MHz晶振CMX309FLC6.000MB晶振6MHz石英晶振 CMX309FLC20.000MT晶振20MHz晶振CMX309FBC25.000MTR晶振25MHz晶振CMX309FLC2.048M-UT晶振2.048MHz晶振CMX309FBB19.6608MTR晶振19.6608MHz石英晶振 CMX309FLC20.000MT晶振20MHz晶振CMX309FBC25.000MTR晶振25MHz晶振CMX309FLC2.4576M-UT晶振2.4576MHz晶振CMX309FBB19.6608MTR晶振19.6608MHz石英晶振 CMX309FLC22.1184MT晶振22.1184MHz晶振CMX309FBC27.000MTR晶振27MHz晶振CMX309FLC2.4576M-UT晶振2.4576MHz晶振CMX309FBC30.000MTR晶振30MHz石英晶振 CMX309FLC22.1184MT晶振22.1184MHz晶振
CMX309晶振产品参数表
CMX309FBC27.000MTR晶振27MHz晶振CMX309FLC3.072M-UT晶振3.072MHz晶振CMX309FBC30.000MTR晶振30MHz石英晶振 CMX309FLC24.000MT晶振24MHz晶振CMX309HBC32.000MTR晶振32MHz晶振CMX309FLC3.072M-UT晶振3.072MHz晶振CMX309FLC10.240MTR晶振10.24MHz石英晶振 CMX309FLC24.000MT晶振24MHz晶振CMX309HBC32.000MTR晶振32MHz晶振CMX309FLC3.579545M-UT晶振3.579545MHz晶振CMX309FLC10.240MTR晶振10.24MHz石英晶振 CMX309FLC24.576MT晶振24.576MHz晶振CMX309HBC32.768MTR晶振32.768MHz晶振CMX309FLC3.579545M-UT晶振3.579545MHz晶振CMX309FLC16.257MTR晶振16.257MHz石英晶振 CMX309FLC24.576MT晶振24.576MHz晶振CMX309HBC32.768MTR晶振32.768MHz晶振CMX309FLC3.6864M-UT晶振3.6864MHz晶振CMX309FLC16.257MTR晶振16.257MHz石英晶振 CMX309FLC25.000MT晶振25MHz晶振CMX309HBC33.000MTR晶振33MHz晶振CMX309FLC3.6864M-UT晶振3.6864MHz晶振CMX309HBC3.6864MTR晶振3.6864MHz石英晶振 CMX309FLC25.000MT晶振25MHz晶振CMX309HBC33.000MTR晶振33MHz晶振CMX309FLC4.000M-UT晶振4MHz晶振CMX309HBC3.6864MTR晶振3.6864MHz石英晶振 CMX309FLC25.175MT晶振25.175MHz晶振CMX309HBC33.3333MTR晶振33.3333MHz晶振CMX309FLC4.000M-UT晶振4MHz晶振CMX309FBC22.1184M-UT晶振22.1184MHz石英晶振 CMX309FLC25.175MT晶振25.175MHz晶振CMX309HBC33.3333MTR晶振33.3333MHz晶振CMX309FLC4.096M-UT晶振4.096MHz晶振CMX309FBC28.322MTR晶振28.322MHz石英晶振 CMX309FLC27.000MT晶振27MHz晶振CMX309HBC36.864MTR晶振36.864MHz晶振CMX309FLC4.096M-UT晶振4.096MHz晶振CMX309FBC4.9152MTR晶振4.9152MHz石英晶振 CMX309FLC27.000MT晶振27MHz晶振CMX309HBC36.864MTR晶振36.864MHz晶振CMX309FLC4.9152M-UT晶振4.9152MHz晶振CMX309HBC33.333300MTR晶振33.3333MHz石英晶振 CMX309FLC28.322MT晶振28.322MHz晶振CMX309HBC40.000MTR晶振40MHz晶振CMX309FLC4.9152M-UT晶振4.9152MHz晶振CMX309HWC36.864MTR晶振36.864MHz石英晶振 CMX309FLC28.322MT晶振28.322MHz晶振CMX309HBC40.000MTR晶振40MHz晶振CMX309FLC5.000M-UT晶振5MHz晶振CMX309FLC7.3728M-UT晶振7.3728MHz石英晶振 CMX309FLC28.63636MT晶振28.63636MHz晶振CMX309HBC48.000MTR晶振48MHz晶振CMX309FLC5.000M-UT晶振5MHz晶振CMX309FLC8.000M-UT晶振8MHz石英晶振 CMX309FLC28.63636MT晶振28.63636MHz晶振CMX309HBC48.000MTR晶振48MHz晶振CMX309FLC6.000M-UT晶振6MHz晶振CMX309FLC8.000M-UT晶振8MHz石英晶振 CMX309FLC29.498928MT晶振29.498928MHz晶振CMX309HBC50.000MTR晶振50MHz晶振CMX309FLC6.000M-UT晶振6MHz晶振CMX309FLC8.192M-UT晶振8.192MHz石英晶振 CMX309FLC29.498928MT晶振29.498928MHz晶振CMX309HBC50.000MTR晶振50MHz晶振CMX309FLC6.144M-UT晶振6.144MHz晶振CMX309FLC8.192M-UT晶振8.192MHz石英晶振 CMX309FLC30.000MT晶振30MHz晶振CMX309HBC53.125MTR晶振53.125MHz晶振CMX309FLC6.144M-UT晶振6.144MHz晶振CMX309FLC9.8304M-UT晶振9.8304MHz石英晶振 CMX309FLC30.000MT晶振30MHz晶振CMX309HBC53.125MTR晶振53.125MHz晶振CMX309FLC7.3728M-UT晶振7.3728MHz晶振CMX309FBC1.8432M-UT晶振1.8432MHz石英晶振 CMX309HWC32.000MT晶振32MHz晶振CMX309FBC1.000M-UT晶振1MHz晶振CMX309FBC1.544M-UT晶振1.544MHz晶振CMX309FBC1.8432M-UT晶振1.8432MHz石英晶振 CMX309HWC32.000MT晶振32MHz晶振CMX309FBC1.000M-UT晶振1MHz晶振CMX309HWC32.768MT晶振32.768MHz晶振CMX309FBC1.544M-UT晶振1.544MHz石英晶振 晶振晶振晶振晶振晶振晶振CMX309HWC32.768MT晶振32.768MHz石英晶振
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