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每个开发和生产专家都知道,石英晶体无法进行超声波焊接和清洁.高频焊接或清洁过程会损坏石英谐振器.而且现在超声波应用相当广泛,在医疗电子,探测,汽车等领域都有应用,这样一来对石英晶振的需求势必会有所提升,在这样的背景下,彼得曼晶振公司就出产了一种可适用于超声波的低成本兆级系列耐高温石英晶体产品SMD03025/4US.

石英晶体负载电容还有频率吗?这句话听起来又矛盾又好奇,为什么负载电容里面还会有频率出现.我们所知道的不都是石英晶振产品内部有标准频率参数,负载电容值,频率偏差以及工作温度等相关参数,但又是为什么石英晶体负载电容还会有频率呢?那么以下,请跟随着我们来去了解探讨一下有关于<石英晶体负载电容还有频率吗?>的疑问!

当订购用于工作在频率f下的振荡器的晶体时，例如32.768 kHz或20 MHz，通常仅指定工作频率是不够的。尽管晶体将以接近其串联谐振频率的频率振荡，但实际的振荡频率通常与该频率稍有不同（在“并联谐振电路”中会稍高一些)1。

因此，假设您有一个晶体振荡器电路，并且想要购买晶体，以使放置在该电路中时的振荡频率为f。您需要告诉晶振厂家完成什么？您是否需要发送振荡器设计的示意图以及其设计的所有相关细节，例如选择与布局相关的电容器，电阻器，有源元件和杂散？幸运的是，答案是否定的。除了频率f之外，仅需一个数字，即负载电容CL。

2.什么是CL？

假设您的晶体振荡器以所需的频率f运行。在该频率下，晶体具有复阻抗Z，并且对于工作频率而言，这是晶体唯一重要的特性。因此，为了使振荡器在频率f下工作，您需要在频率f下具有阻抗Z的晶体。因此，最糟糕的是，您只需指定一个复数Z = R + jX。实际上，它甚至比这更简单。

尽管原则上应该在频率f处指定晶体电阻R，但通常R中的晶体间差异以及振荡器对此变化的敏感性足够低，因此无需指定R。这并不是说抗结晶性没有影响；是的。我们将在第4节中进一步讨论。

因此，剩下一个值来指定：f处的晶体电抗X。因此，可以指定一种在20 MHz时电抗为400的晶体。取而代之的是，通常通过指定电容CL并等于

在这里我们设定了ω=2πf。 在物理上，在该频率下，晶振和电容CL的串联组合的阻抗具有零相位（等效地，具有零电抗或纯电阻）。 参见图1。

其中第二步遵循公式（1），电容C的电抗为-1 /（ωC）。

图1-该串联组合在晶振具有负载电容CL的频率下具有零相阻抗

因此，确保适当的振荡频率的任务是提供在指定频率下具有所需电抗的组件（在这种情况下为晶体），这由等式（1）2用电容CL表示。例如，我们不是指定晶体在20 MHz时具有400 frequency的电抗，而是指定在20 MHz处具有20 pF的负载电容的晶体，或更通常地，我们指定在20 pF的负载电容下的晶体频率为20 MHz。

在“并联谐振电路”中，CL为正，通常在5 pF至40 pF之间。在这种情况下，晶体在晶体的串联和并联谐振频率（分别为Fs和Fp）之间的狭窄频带内工作。 

注释：1订购晶体进行串联谐振操作时，不要指定CL的值，而应声明频率f指的是串联谐振频率Fs。

2这并不是说频率确定的所有方面都与此唯一数字相关。例如，晶体和振荡器的其他方面决定了是否选择了正确的振荡模式以及系统的频率稳定性（短期和长期）。

虽然真正的“串联谐振电路”没有与之相关的负载电容[或方程式（1）可能是无穷大]，但大多数“串联谐振电路”实际上实际上是在串联谐振频率之外工作的，因此确实有一个有限负载电容（可以为正或负）。但是，如果此偏移很小，并且不需要指定负载电容，则可以忽略该偏移，也可以通过在指定频率f中稍有偏移来处理它。

正如我们将在第4节中看到的那样，振荡器和晶体都确定CL。但是，该晶体的作用很弱，因为在零电阻的极限内，该晶体在确定CL时根本不起作用。在这种限制情况下，将CL称为振荡器负载电容是有意义的，因为它完全由振荡器决定。但是，到了在订购晶体的时间上，可以指定在负载电容CL处具有频率f的晶体，即这是晶体频率的条件。因此，将CL称为晶体负载电容是合理的。出于争论的目的，我们简单地避免了这个问题，并使用术语负载电容。

3.在CL上定义FL

现在，对于在给定的负载电容下具有给定频率的晶体，我们用方程式（1）作为定义关系。

定义：当晶体在频率FL处的电抗X由公式（1）给出时，晶体在负载电容CL处具有频率FL，其中ω=2πFL。

回想一下，在给定模式下，晶体的电抗从负值增加，在串联谐振时从零增加到在并联谐振附近的大正值，在此它迅速减小到大负值，然后又增加到零。 （参见参考文献[1]。）通过排除并联谐振周围的区域，我们为每个电抗值提供了一个频率。这样，我们可以关联给定CL值的频率FL。因此，CL的正值对应于串联谐振和并联谐振之间的频率。 CL的大负值对应于低于串联谐振的频率，而较小的负值对应于高于并联谐振的频率。 （请参见下面的公式（3）。）

3.1。 晶体频率方程

那么，振荡频率在多大程度上取决于负载电容CL？ 我们可以通过确定晶体频率FL如何取决于晶体负载电容CL来回答这个问题。 可以证明这一点非常近似

其中C 1和C 0分别是晶体的动电容和静电容。 （有关该关系的推导和讨论，请参见参考文献[1]。）为便于说明，我们将公式（3）称为晶体频率公式。

这表明晶体振荡器的工作频率与其负载电容的相关性以及对晶体本身的相关性。 特别地，当将负载电容从CL1更改为CL2时，分数频率变化可以通过以下方式很好地近似：

3.2。 修剪灵敏度

公式（3）给出了工作频率FL对负载电容CL的依赖性。 频率随CL的负变化率称为调整灵敏度TS。 使用公式（3），这大约是

由此可见，在较低的CL值下，晶体对CL的给定变化更敏感。

4.但是什么决定CL？

考虑一个简单的皮尔斯振荡器，它由一个晶体，一个放大器以及栅极和漏极电容器组成，如图2所示。

试图计算皮尔斯振荡器电路的负载电容时，必须考虑至少三个杂散电容。

1.从放大器的输入到地面的附加电容。其来源可能是放大器本身，并且将电容跟踪到地。由于此电容与C G并联，因此我们可以简单地将其吸收到C G的定义中。 （CG是电容器对地的电容加上放大器此侧对地的任何附加电容。）

2.从放大器的输出到地面的附加电容。其来源可能是放大器本身，并且将电容跟踪到地。由于此电容与C D并联，因此我们可以简单地将其吸收到C D的定义中。 （即CD是电容器接地电容，再加上放大器此侧的任何其他接地电容。）

3.杂散电容C s使晶体分流，如图2所示。

如上所述重新定义C G和C D，然后得出[2]振荡的条件之一是

Where

是晶体和电容C s的并联组合的阻抗，而R o是放大器的输出电阻。

可以看出，晶振电阻R是负载电容CL的函数，近似为：（假设CL不太小）

其中R 1是晶体[1]的运动阻力。

然后得出结论（提供的CL – C s不太小）

以及

根据这些结果，式（6）给出了CL的以下方程式

其中R′由等式（9）近似。请注意，CL的方程实际上比起初看起来要复杂一些，因为R'取决于CL。

可以看出，CL随R 1的增加而减小，因此通过公式（3），工作频率随晶体电阻而增加。因此，负载电容确实与晶体本身有关。但是，正如我们前面提到的，晶体电阻的变化以及对这种变化的灵敏度通常足够低，因此可以忽略不计。 （在这种情况下，晶体电阻的标称值用于计算CL。）

但是，有时抗拒效果不容忽视。调谐两个晶体，以使它们在给定的负载电容CL下具有完全相同的频率，如果它们的电阻不同，则它们可以在同一振荡器中以不同的频率振荡。这种微小的差异导致所观察到的系统频率变化增加，高于晶体频率校准误差和板对板组件变化所引起的变化。

注意，在晶体电阻为零的情况下（或与放大器的输出电阻R o相比，至少可忽略不计），公式（11）给出

因此，在这种情况下，负载电容是将晶体分流的杂散电容加上晶体每一侧的两个电容与地之间的串联电容。

5，测量CL

虽然原则上可以从电路设计中计算出CL，但是一种更简单的方法是简单地测量CL。这也更加可靠，因为它不依赖于振荡器电路模型，考虑了与布局相关的杂散（可能难以估计），并且考虑了晶体电阻的影响。这是两种测量CL的方法。

5.1方法1

该方法需要阻抗分析仪，但不需要了解晶体参数，并且与晶体模型无关。

1.获得与将要订购的晶体相似的晶体，即具有相似的频率和电阻。

2.将此晶体放置在振荡器中，并测量操作FL的频率。将晶振放入电路中时，请注意不要损坏它或做任何会引起不适当频率偏移的事情。 （如果焊接到位，请使其冷却至室温。）避免焊接的好方法是简单地使用例如铅笔的橡皮擦末端将晶体压在板的焊盘上，并观察振荡频率。只要注意晶体与电路板完全接触即可。该系统仍然可以以较高的频率振荡，而晶体不会与电路板完全接触。

3.使用阻抗分析仪，以步骤2中确定的频率FL测量晶体的电抗X。

4.使用等式（1）以及在FL处的FL（ω=2πFL）和X的测量值来计算CL。

5.2方法2

此方法取决于四参数晶体模型，并且需要了解这些参数（通过您自己的测量或晶体制造商提供的知识）。

1.获得与将要订购的晶体相似的晶体，即具有相似的频率和电阻。

2.表征该晶体。特别要测量其串联频率F s，运动电容C 1和静态电容C 0。

3.将此晶体放在振荡器中，并测量操作FL的频率（如方法1，步骤2所示）。

4.使用公式（3）和FL，F s，C 1和C 0的测量值计算CL。

建议采用至少3个晶体进行这两种方法。正确完成后，该技术通常得出的CL值约为0.1 pF。通过对多个电路板重复该过程以估计CL的电路板间差异，可以找到对最终结果的进一步信心。

注意，在上面，FL不必精确地是期望的振荡频率f。也就是说，CL的计算值不是振荡频率的强函数，因为通常仅晶体是强烈依赖于频率的。如果由于某种原因，振荡器确实具有很强的频率相关性，那么使用该程序将非常困难。

6.我真的需要为CL指定值吗？

至少有三种情况不需要CL的规范：

1.您打算以晶体的串联谐振频率进行操作。

2.您可以容忍频率中的较大误差（大约0.1％或更高）。

3.电路的负载电容足够接近标准值（请参见晶振数据表），以允许频率差。可以使用公式（4）计算该差异。

如果您的应用不满足上述三个条件之一，则应强烈考虑估算振荡器的负载电容，并在指定晶体时使用该值。

KDS 晶振即是日本大真空株式会社（DASHINKU CORP）,成立于 1951 年,至今已有 50 多年的历史,是全球领先的三大晶振制造商之一,其制造工厂主要分布在日本本土、中国、泰国、印度尼西亚等十多个制造中心,KDS 大真空集团总公司位于日本兵库县加古川,在泰国,印度尼西亚,台湾,中国天津这些大城市均有生产工厂,其中天津工厂是全球晶振行业最大的单体制造工厂,也是全球最大的 TF 型晶振制造工厂.

首先非常的感谢你长期以来对【日本大真空株式会社】,KDS 晶振品牌的支持与厚爱.在此郑重声明,本集团以下简称（KDS）在中国的代理商除了北京中国电子研究院,广州电子研究所,【维多利亚老品牌值得信赖线路】,香港 KDS办事处,台湾KDS办事处,是正规的代理销售企业,其余地区以及公司,个人所销售的KDS产品均不能保证是原装正品,请你选择正规渠道定制货品.

1XTV26000AAD|KDS晶振|株式会社大真空|VC-TCXO振荡器

1XTV26000AAD晶振产品尺寸图

1XTV26000AAD晶振产品电气表

关于1XTV26000AAD压控温补振荡器产品安装的注意事项

终端/陆上布局/金属屏蔽孔

1端子A通孔不在底部（安装侧）。
2土地图案布局/金属掩模孔以下土地图案为参考设计。电气特性应满足安装在这片土地上的要求。在测试用地和安装用地不相连的范围内，可以改变接地方式。

对电特性没有任何影响。面罩厚度建议为0.12毫米。

包装条件
胶带包装
（1）压花胶带格式及尺寸
（2）卷筒数量:最多2000个/卷
（3）胶带规格
不缺产品。
（4）卷筒规格见图3
包装
产品用防静电袋包装。
*湿度敏感度等级：IPC/JEDEC标准J-STD-033/1级
无需干燥包装，无需重新储存后烘烤。

包装箱
最多10卷/包装箱。但是，在少于10卷的情况下，它由任何盒子容纳。
盒子里的空间用垫子填满了。

1XTW16368MAA|KDS晶振|株式会社大真空|TCXO振荡器

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终端/陆上布局/金属屏蔽孔

1端子A通孔不在底部（安装侧）。
2土地图案布局/金属掩模孔以下土地图案为参考设计。电气特性应满足安装在这片土地上的要求。在测试用地和安装用地不相连的范围内，可以改变接地方式。

对电特性没有任何影响。面罩厚度建议为0.12毫米。

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关于HOSONIC鸿星晶振公司可能挺多人也知道，HOSONIC CRYSTAL鸿星晶振股份有限公司成立于1979年在台湾设立登记成立公司，登记的资本为新台币200万元。公司成立之后便于台湾投入石英晶体研发制造.1994年新增资本3400万元，开始大力研发生产石英晶体振荡器，石英晶振，贴片晶振，压控振荡器的研发生产。

About HOSONIC CRYSTAL Company may know that HOSONIC CRYSTAL was established in 1979 to establish a registered company in Taiwan with a registered capital of NT$2 million. After the establishment of the company, it is convenient for Taiwan to invest in the research and development of quartz crystal. In 1994, the company added 34 million yuan of capital, and began to vigorously research and develop the production and production of quartz crystal oscillator, quartz crystal oscillator, patch crystal oscillator and voltage controlled oscillator.

CFS-20632768DZBB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振6pF石英晶振 CFS-20632768DZFB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFS-20632768HZFB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±5ppm晶振12.5pF石英晶振 CFS-20632768AZFB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFS-20632768DZYB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振7pF石英晶振

日本西铁城株式会社主要以生产手表为中心,在多年的生产经营后西铁城公司便开始自主研发手表重要配件——石英晶振.石英晶振分KHZ晶振以及MHZ晶振.手表上使用居多的便是KHZ系列晶振.CM315D晶振,CM315DL晶振,CM315H晶振,CM315E晶振系列.3215封装是手表,手机等小型数码产品使用频率较为广泛.而早期全是CFS-206晶振的天下.

CFS-20632768DZCB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振9pF石英晶振 CFS-20632768EZBB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±10ppm晶振6pF石英晶振 CFS-20632768EZFB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±10ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20632000AZFB晶振CFV-206晶振32kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20638400AZFB晶振CFV-206晶振38.4kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20677503DZFB晶振CFV-206晶振77.503kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20675000DZFB晶振CFV-206晶振75kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 

CFV-206100000AZFB晶振CFV-206晶振100kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20640000AZFB晶振CFV-206晶振40kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20632000DZFB晶振CFV-206晶振32kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20665536AZFB晶振CFV-206晶振65.536kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20636000AZFB晶振CFV-206晶振36kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 

  CFS-206晶振频率范围30KHZ~100KHZ,周波数偏差20~30ppm,正常情况下都是以20PPM为标准.工作温度-20~+70度.负载电容常用12.5PF,

CFS-20632768EZYB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振7pF石英晶振 CFV-20668500DZFB晶振CFV-206晶振68.5kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20668503DZFB晶振CFV-206晶振68.5kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20640003DZFB晶振CFV-206晶振40kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20660003DZFB晶振CFV-206晶振60kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20660000DZFB晶振CFV-206晶振60kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 

CFV-20640000DZFB晶振CFV-206晶振40kHz晶振±20ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20660000AZFB晶振CFV-206晶振60kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20676800AZFB晶振CFV-206晶振76.8kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20696000AZFB晶振CFV-206晶振96kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFS-20632768HZBB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±5ppm晶振6pF石英晶振 CFS-20632768HZCB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±5ppm晶振9pF石英晶振 CFS-20632768HZYB晶振CFS-206晶振32.768kHz晶振±5ppm晶振7pF石英晶振

CFS-206晶振跟CFV-206晶振有点不一样的就是CFS-206晶振只有单独一个频率,就是32.768K,是所有KHZ系列晶振的标准频率.它不像CFV-206晶振,在30~100KHZ内可以订制.频率偏差也比较小,以20PPM为标准.15PPM,10PPM也是可以按照客户的需求来订制.

 　　CFV-20675000BZFB晶振CFV-206晶振75kHz晶振±50ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20677500BZFB晶振CFV-206晶振77.5kHz晶振±50ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20675000AZFB晶振CFV-206晶振75kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20638000AZFB晶振CFV-206晶振38kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV-20677503AZFB晶振CFV-206晶振77.503kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV206 60.005KAZF晶振CFV-206晶振60.005kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 

CFV206 76.790KAZF晶振CFV-206晶振76.79kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV206 76.810KAZF晶振CFV-206晶振76.81kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV206 77.500KAZF晶振CFV-206晶振77.5kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV206 153.600KAZF晶振CFV-206晶振153.6kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFS206-32.768KDZBB晶振CFS206晶振32.768kHz晶振±20ppm晶振6pF石英晶振 CFV206 153.600KAZF-UB晶振CFV-206晶振153.6kHz晶振±30ppm晶振12.5pF石英晶振 CFV206 32.000KDZSB晶振CFV-206晶振32kHz晶振±20ppm晶振11pF石英晶振

CMX309FBC9.8304MTR晶振9.8304MHz晶振CMX309FBC27.000M-UT晶振27MHz晶振CMX309FLC28.322M-UT晶振28.322MHz石英晶振 CMX309FLC12.288MT晶振12.288MHz晶振CMX309FBC10.000MTR晶振10MHz晶振CMX309FBC27.000M-UT晶振27MHz晶振CMX309FLC28.63636M-UT晶振28.63636MHz石英晶振CMX309FLC12.352MT晶振12.352MHz晶振CMX309FBC10.000MTR晶振10MHz晶振CMX309HBC32.000M-UT晶振32MHz晶振CMX309FLC28.63636M-UT晶振28.63636MHz石英晶振 CMX309FLC12.352MT晶振

CMX309晶振产品实物图

12.352MHz晶振CMX309FBC11.0592MTR晶振11.0592MHz晶振CMX309HBC32.000M-UT晶振32MHz晶振CMX309FLC29.498928M-UT晶振29.498928MHz石英晶振 CMX309FLC13.500MT晶振13.5MHz晶振CMX309FBC11.0592MTR晶振11.0592MHz晶振CMX309HBC32.768M-UT晶振32.768MHz晶振CMX309FLC29.498928M-UT晶振29.498928MHz石英晶振 CMX309FLC13.500MT晶振13.5MHz晶振CMX309FBC11.2896MTR晶振11.2896MHz晶振CMX309HBC32.768M-UT晶振32.768MHz晶振CMX309FLC30.000M-UT晶振30MHz石英晶振 CMX309FLC14.31818MT晶振14.31818MHz晶振CMX309FBC11.2896MTR晶振11.2896MHz晶振CMX309HBC33.000M-UT晶振33MHz晶振CMX309FLC30.000M-UT晶振30MHz石英晶振 CMX309FLC14.31818MT晶振14.31818MHz晶振CMX309FBC12.000MTR晶振12MHz晶振CMX309HBC33.000M-UT晶振33MHz晶振CMX309HWC32.000M-UT晶振32MHz石英晶振 CMX309FLC14.7456MT晶振14.7456MHz晶振CMX309FBC12.000MTR晶振12MHz晶振CMX309HBC33.3333M-UT晶振33.3333MHz晶振CMX309HWC32.000M-UT晶振32MHz石英晶振

CMX309晶振产品尺寸图

 CMX309FLC14.7456MT晶振14.7456MHz晶振CMX309FBC12.288MTR晶振12.288MHz晶振CMX309HBC33.3333M-UT晶振33.3333MHz晶振CMX309HWC32.768M-UT晶振32.768MHz石英晶振 CMX309FLC15.360MT晶振15.36MHz晶振CMX309FBC12.288MTR晶振12.288MHz晶振CMX309HBC36.864M-UT晶振36.864MHz晶振CMX309HWC32.768M-UT晶振32.768MHz石英晶振 CMX309FLC15.360MT晶振15.36MHz晶振CMX309FBC14.31818MTR晶振14.31818MHz晶振CMX309HBC36.864M-UT晶振36.864MHz晶振CMX309HWC33.000M-UT晶振33MHz石英晶振 CMX309FLC16.000MT晶振16MHz晶振CMX309FBC14.31818MTR晶振14.31818MHz晶振CMX309HBC40.000M-UT晶振40MHz晶振CMX309HWC33.000M-UT晶振33MHz石英晶振 CMX309FLC16.000MT晶振16MHz晶振CMX309FBC14.7456MTR晶振14.7456MHz晶振CMX309HBC40.000M-UT晶振40MHz晶振CMX309HWC33.8688M-UT晶振33.8688MHz石英晶振 CMX309FLC16.384MT晶振16.384MHz晶振CMX309FBC14.7456MTR晶振14.7456MHz晶振CMX309HBC48.000M-UT晶振48MHz晶振CMX309HWC33.8688M-UT晶振33.8688MHz石英晶振 CMX309FLC16.384MT晶振16.384MHz晶振CMX309FBC16.000MTR晶振16MHz晶振CMX309HBC48.000M-UT晶振48MHz晶振CMX309HWC40.000M-UT晶振40MHz石英晶振 CMX309FLC16.6666MT晶振16.6666MHz晶振CMX309FBC16.000MTR晶振16MHz晶振CMX309HBC50.000M-UT晶振50MHz晶振CMX309HWC40.000M-UT晶振40MHz石英晶振 CMX309FLC16.6666MT晶振16.6666MHz晶振CMX309FBC16.384MTR晶振16.384MHz晶振CMX309HBC50.000M-UT晶振50MHz晶振CMX309HWC48.000M-UT晶振48MHz石英晶振 CMX309FLC17.734475MT晶振17.734475MHz晶振CMX309FBC16.384MTR晶振16.384MHz晶振CMX309HBC53.125M-UT晶振53.125MHz晶振CMX309HWC48.000M-UT晶振48MHz石英晶振 CMX309FLC17.734475MT晶振17.734475MHz晶振CMX309FBC18.432MTR晶振18.432MHz晶振CMX309HBC53.125M-UT晶振53.125MHz晶振CMX309HWC49.152M-UT晶振49.152MHz石英晶振 CMX309FLC18.000MT晶振18MHz晶振CMX309FBC18.432MTR晶振18.432MHz晶振CMX309FLC1.544M-UT晶振1.544MHz晶振CMX309HWC49.152M-UT晶振49.152MHz石英晶振 CMX309FLC18.000MT晶振18MHz晶振CMX309FBC20.000MTR晶振20MHz晶振CMX309FLC1.544M-UT晶振1.544MHz晶振CMX309HWC50.000M-UT晶振50MHz石英晶振 CMX309FLC18.432MT晶振18.432MHz晶振CMX309FBC20.000MTR晶振20MHz晶振CMX309FLC1.8432M-UT晶振1.8432MHz晶振CMX309HWC50.000M-UT晶振50MHz石英晶振 CMX309FLC18.432MT晶振18.432MHz晶振CMX309FBC24.000MTR晶振24MHz晶振CMX309FLC1.8432M-UT晶振1.8432MHz晶振CMX309HWC53.125M-UT晶振53.125MHz石英晶振 CMX309FLC19.6608MT晶振19.6608MHz晶振CMX309FBC24.000MTR晶振24MHz晶振CMX309FLC2.000M-UT晶振2MHz晶振CMX309HWC53.125M-UT晶振53.125MHz石英晶振 CMX309FLC19.6608MT晶振19.6608MHz晶振CMX309FBC24.576MTR晶振24.576MHz晶振CMX309FLC2.000M-UT晶振2MHz晶振CMX309FLC27.000MB晶振27MHz石英晶振 CMX309FLC19.6608MT晶振19.6608MHz晶振CMX309FBC24.576MTR晶振24.576MHz晶振CMX309FLC2.048M-UT晶振2.048MHz晶振CMX309FLC6.000MB晶振6MHz石英晶振 CMX309FLC20.000MT晶振20MHz晶振CMX309FBC25.000MTR晶振25MHz晶振CMX309FLC2.048M-UT晶振2.048MHz晶振CMX309FBB19.6608MTR晶振19.6608MHz石英晶振 CMX309FLC20.000MT晶振20MHz晶振CMX309FBC25.000MTR晶振25MHz晶振CMX309FLC2.4576M-UT晶振2.4576MHz晶振CMX309FBB19.6608MTR晶振19.6608MHz石英晶振 CMX309FLC22.1184MT晶振22.1184MHz晶振CMX309FBC27.000MTR晶振27MHz晶振CMX309FLC2.4576M-UT晶振2.4576MHz晶振CMX309FBC30.000MTR晶振30MHz石英晶振 CMX309FLC22.1184MT晶振22.1184MHz晶振

CMX309晶振产品参数表

CMX309FBC27.000MTR晶振27MHz晶振CMX309FLC3.072M-UT晶振3.072MHz晶振CMX309FBC30.000MTR晶振30MHz石英晶振 CMX309FLC24.000MT晶振24MHz晶振CMX309HBC32.000MTR晶振32MHz晶振CMX309FLC3.072M-UT晶振3.072MHz晶振CMX309FLC10.240MTR晶振10.24MHz石英晶振 CMX309FLC24.000MT晶振24MHz晶振CMX309HBC32.000MTR晶振32MHz晶振CMX309FLC3.579545M-UT晶振3.579545MHz晶振CMX309FLC10.240MTR晶振10.24MHz石英晶振 CMX309FLC24.576MT晶振24.576MHz晶振CMX309HBC32.768MTR晶振32.768MHz晶振CMX309FLC3.579545M-UT晶振3.579545MHz晶振CMX309FLC16.257MTR晶振16.257MHz石英晶振 CMX309FLC24.576MT晶振24.576MHz晶振CMX309HBC32.768MTR晶振32.768MHz晶振CMX309FLC3.6864M-UT晶振3.6864MHz晶振CMX309FLC16.257MTR晶振16.257MHz石英晶振 CMX309FLC25.000MT晶振25MHz晶振CMX309HBC33.000MTR晶振33MHz晶振CMX309FLC3.6864M-UT晶振3.6864MHz晶振CMX309HBC3.6864MTR晶振3.6864MHz石英晶振 CMX309FLC25.000MT晶振25MHz晶振CMX309HBC33.000MTR晶振33MHz晶振CMX309FLC4.000M-UT晶振4MHz晶振CMX309HBC3.6864MTR晶振3.6864MHz石英晶振 CMX309FLC25.175MT晶振25.175MHz晶振CMX309HBC33.3333MTR晶振33.3333MHz晶振CMX309FLC4.000M-UT晶振4MHz晶振CMX309FBC22.1184M-UT晶振22.1184MHz石英晶振 CMX309FLC25.175MT晶振25.175MHz晶振CMX309HBC33.3333MTR晶振33.3333MHz晶振CMX309FLC4.096M-UT晶振4.096MHz晶振CMX309FBC28.322MTR晶振28.322MHz石英晶振 CMX309FLC27.000MT晶振27MHz晶振CMX309HBC36.864MTR晶振36.864MHz晶振CMX309FLC4.096M-UT晶振4.096MHz晶振CMX309FBC4.9152MTR晶振4.9152MHz石英晶振 CMX309FLC27.000MT晶振27MHz晶振CMX309HBC36.864MTR晶振36.864MHz晶振CMX309FLC4.9152M-UT晶振4.9152MHz晶振CMX309HBC33.333300MTR晶振33.3333MHz石英晶振 CMX309FLC28.322MT晶振28.322MHz晶振CMX309HBC40.000MTR晶振40MHz晶振CMX309FLC4.9152M-UT晶振4.9152MHz晶振CMX309HWC36.864MTR晶振36.864MHz石英晶振 CMX309FLC28.322MT晶振28.322MHz晶振CMX309HBC40.000MTR晶振40MHz晶振CMX309FLC5.000M-UT晶振5MHz晶振CMX309FLC7.3728M-UT晶振7.3728MHz石英晶振 CMX309FLC28.63636MT晶振28.63636MHz晶振CMX309HBC48.000MTR晶振48MHz晶振CMX309FLC5.000M-UT晶振5MHz晶振CMX309FLC8.000M-UT晶振8MHz石英晶振 CMX309FLC28.63636MT晶振28.63636MHz晶振CMX309HBC48.000MTR晶振48MHz晶振CMX309FLC6.000M-UT晶振6MHz晶振CMX309FLC8.000M-UT晶振8MHz石英晶振 CMX309FLC29.498928MT晶振29.498928MHz晶振CMX309HBC50.000MTR晶振50MHz晶振CMX309FLC6.000M-UT晶振6MHz晶振CMX309FLC8.192M-UT晶振8.192MHz石英晶振 CMX309FLC29.498928MT晶振29.498928MHz晶振CMX309HBC50.000MTR晶振50MHz晶振CMX309FLC6.144M-UT晶振6.144MHz晶振CMX309FLC8.192M-UT晶振8.192MHz石英晶振 CMX309FLC30.000MT晶振30MHz晶振CMX309HBC53.125MTR晶振53.125MHz晶振CMX309FLC6.144M-UT晶振6.144MHz晶振CMX309FLC9.8304M-UT晶振9.8304MHz石英晶振 CMX309FLC30.000MT晶振30MHz晶振CMX309HBC53.125MTR晶振53.125MHz晶振CMX309FLC7.3728M-UT晶振7.3728MHz晶振CMX309FBC1.8432M-UT晶振1.8432MHz石英晶振 CMX309HWC32.000MT晶振32MHz晶振CMX309FBC1.000M-UT晶振1MHz晶振CMX309FBC1.544M-UT晶振1.544MHz晶振CMX309FBC1.8432M-UT晶振1.8432MHz石英晶振 CMX309HWC32.000MT晶振32MHz晶振CMX309FBC1.000M-UT晶振1MHz晶振CMX309HWC32.768MT晶振32.768MHz晶振CMX309FBC1.544M-UT晶振1.544MHz石英晶振 晶振晶振晶振晶振晶振晶振CMX309HWC32.768MT晶振32.768MHz石英晶振

CMX309FLC1.544MT晶振1.544MHz晶振CMX309HWC33.000MT晶振33MHz晶振CMX309FBC2.000M-UT晶振2MHz晶振CMX309FLC9.8304M-UT晶振9.8304MHz石英晶振 CMX309FLC1.544MT晶振1.544MHz晶振CMX309HWC33.000MT晶振33MHz晶振CMX309FBC2.000M-UT晶振2MHz晶振CMX309FLC10.000M-UT晶振10MHz石英晶振 CMX309FLC1.8432MT晶振1.8432MHz晶振CMX309HWC33.3333MT晶振33.3333MHz晶振CMX309FBC2.048M-UT晶振2.048MHz晶振CMX309FLC10.000M-UT晶振10MHz石英晶振 CMX309FLC1.8432MT晶振1.8432MHz晶振CMX309HWC33.3333MT晶振33.3333MHz晶振CMX309FBC2.048M-UT晶振2.048MHz晶振CMX309FLC11.0592M-UT晶振11.0592MHz石英晶振 CMX309FLC2.000MT晶振2MHz晶振CMX309HWC33.8688MT晶振33.8688MHz晶振CMX309FBC2.4576M-UT晶振2.4576MHz晶振CMX309FLC11.0592M-UT晶振11.0592MHz石英晶振 CMX309FLC2.000MT晶振2MHz晶振CMX309HWC33.8688MT晶振33.8688MHz晶振CMX309FBC2.4576M-UT晶振2.4576MHz晶振CMX309FLC11.2896M-UT晶振11.2896MHz石英晶振 CMX309FLC2.048MT晶振2.048MHz晶振

CMX309晶振产品实物图

CMX309HWB40.000MT晶振40MHz晶振CMX309FBC3.6864M-UT晶振3.6864MHz晶振CMX309FLC11.2896M-UT晶振11.2896MHz石英晶振 CMX309FLC2.048MT晶振2.048MHz晶振CMX309HWB40.000MT晶振40MHz晶振CMX309FBC3.6864M-UT晶振3.6864MHz晶振CMX309FLC12.000M-UT晶振12MHz石英晶振 CMX309FLC2.4576MT晶振2.4576MHz晶振CMX309HWC44.2368MT晶振44.2368MHz晶振CMX309FBC4.000M-UT晶振4MHz晶振CMX309FLC12.000M-UT晶振12MHz石英晶振 CMX309FLC2.4576MT晶振2.4576MHz晶振CMX309HWC44.2368MT晶振44.2368MHz晶振CMX309FBC4.000M-UT晶振4MHz晶振CMX309FLC12.288M-UT晶振12.288MHz石英晶振 CMX309FLC3.072MT晶振3.072MHz晶振CMX309HWC48.000MT晶振48MHz晶振CMX309FBC5.000M-UT晶振5MHz晶振CMX309FLC12.288M-UT晶振12.288MHz石英晶振 CMX309FLC3.072MT晶振3.072MHz晶振CMX309HWC48.000MT晶振48MHz晶振CMX309FBC5.000M-UT晶振5MHz晶振CMX309FLC13.500M-UT晶振13.5MHz石英晶振 CMX309FLC3.579545MT晶振3.579545MHz晶振CMX309HWC49.152MT晶振49.152MHz晶振

CMX309晶振产品尺寸图

CMX309FBC8.000M-UT晶振8MHz晶振CMX309FLC13.500M-UT晶振13.5MHz石英晶振 CMX309FLC3.579545MT晶振3.579545MHz晶振CMX309HWC49.152MT晶振49.152MHz晶振CMX309FBC8.000M-UT晶振8MHz晶振CMX309FLC14.31818M-UT晶振14.31818MHz石英晶振 CMX309FLC3.6864MT晶振3.6864MHz晶振CMX309HWC50.000MT晶振50MHz晶振CMX309FBC8.192M-UT晶振8.192MHz晶振CMX309FLC14.31818M-UT晶振14.31818MHz石英晶振 CMX309FLC3.6864MT晶振3.6864MHz晶振CMX309HWC50.000MT晶振50MHz晶振CMX309FBC8.192M-UT晶振8.192MHz晶振CMX309FLC14.7456M-UT晶振14.7456MHz石英晶振 CMX309FLC4.000MT晶振4MHz晶振CMX309HWC53.125MT晶振53.125MHz晶振CMX309FBC9.8304M-UT晶振9.8304MHz晶振CMX309FLC14.7456M-UT晶振14.7456MHz石英晶振 CMX309FLC4.000MT晶振4MHz晶振CMX309HWC53.125MT晶振53.125MHz晶振CMX309FBC9.8304M-UT晶振9.8304MHz晶振CMX309FLC15.360M-UT晶振15.36MHz石英晶振 CMX309FLC4.096MT晶振4.096MHz晶振CMX309FBB16.384MT晶振16.384MHz晶振CMX309FBC10.000M-UT晶振10MHz晶振CMX309FLC15.360M-UT晶振15.36MHz石英晶振 CMX309FLC4.096MT晶振4.096MHz晶振CMX309FBC16.384MT晶振16.384MHz晶振CMX309FBC10.000M-UT晶振10MHz晶振CMX309FLC16.000M-UT晶振16MHz石英晶振 CMX309FLC4.9152MT晶振4.9152MHz晶振CMX309HWC56.000MT晶振56MHz晶振CMX309FBC11.0592M-UT晶振11.0592MHz晶振CMX309FLC16.000M-UT晶振16MHz石英晶振 CMX309FLC4.9152MT晶振4.9152MHz晶振CMX-309FAB 24.576MB晶振24.576MHz晶振CMX309FBC11.0592M-UT晶振11.0592MHz晶振CMX309FLC16.384M-UT晶振16.384MHz石英晶振 CMX309FLC5.000MT晶振5MHz晶振CMX-309FAB 22.5792MB晶振22.5792MHz晶振CMX309FBC11.2896M-UT晶振11.2896MHz晶振CMX309FLC16.384M-UT晶振16.384MHz石英晶振 CMX309FLC5.000MT晶振5MHz晶振CMX309FBC1.000MTR晶振1MHz晶振CMX309FBC11.2896M-UT晶振11.2896MHz晶振CMX309FLC17.734475M-UT晶振17.734475MHz石英晶振 CMX309FLC6.000MT晶振6MHz晶振CMX309FBC1.000MTR晶振1MHz晶振CMX309FBC12.000M-UT晶振12MHz晶振CMX309FLC17.734475M-UT晶振17.734475MHz石英晶振 CMX309FLC6.000MT晶振6MHz晶振CMX309FBC1.544MTR晶振1.544MHz晶振CMX309FBC12.000M-UT晶振12MHz晶振CMX309FLC18.000M-UT晶振18MHz石英晶振 CMX309FLC6.144MT晶振6.144MHz晶振CMX309FBC1.544MTR晶振1.544MHz晶振CMX309FBC12.288M-UT晶振12.288MHz晶振CMX309FLC18.000M-UT晶振18MHz石英晶振 CMX309FLC6.144MT晶振6.144MHz晶振CMX309FBC1.8432MTR晶振1.8432MHz晶振CMX309FBC12.288M-UT晶振12.288MHz晶振CMX309FLC18.432M-UT晶振18.432MHz石英晶振 CMX309FLC7.3728MT晶振7.3728MHz晶振CMX309FBC1.8432MTR晶振1.8432MHz晶振CMX309FBC14.31818M-UT晶振14.31818MHz晶振CMX309FLC18.432M-UT晶振18.432MHz石英晶振 CMX309FLC7.3728MT晶振7.3728MHz晶振CMX309FBC2.000MTR晶振2MHz晶振CMX309FBC14.31818M-UT晶振14.31818MHz晶振CMX309FLC19.6608M-UT晶振19.6608MHz石英晶振 CMX309FLC8.000MT晶振8MHz晶振CMX309FBC2.000MTR晶振2MHz晶振CMX309FBC14.7456M-UT晶振14.7456MHz晶振CMX309FLC19.6608M-UT晶振19.6608MHz石英晶振 CMX309FLC8.000MT晶振8MHz晶振CMX309FBC2.048MTR晶振2.048MHz晶振CMX309FBC14.7456M-UT晶振14.7456MHz晶振CMX309FLC20.000M-UT晶振20MHz石英晶振 CMX309FLC8.192MT晶振8.192MHz晶振

CMX309晶振产品参数表

CMX309FBC2.048MTR晶振2.048MHz晶振CMX309FBC16.000M-UT晶振16MHz晶振CMX309FLC20.000M-UT晶振20MHz石英晶振 CMX309FLC8.192MT晶振8.192MHz晶振CMX309FBC2.4576MTR晶振2.4576MHz晶振CMX309FBC16.000M-UT晶振16MHz晶振CMX309FLC22.1184M-UT晶振22.1184MHz石英晶振CMX309FLC9.8304MT晶振9.8304MHz晶振CMX309FBC2.4576MTR晶振2.4576MHz晶振CMX309FBC16.384M-UT晶振16.384MHz晶振CMX309FLC22.1184M-UT晶振22.1184MHz石英晶振 CMX309FLC9.8304MT晶振9.8304MHz晶振CMX309FBC3.6864MTR晶振3.6864MHz晶振CMX309FBC16.384M-UT晶振16.384MHz晶振CMX309FLC24.000M-UT晶振24MHz石英晶振 CMX309FLC10.000MT晶振10MHz晶振CMX309FBC3.6864MTR晶振3.6864MHz晶振CMX309FBC18.432M-UT晶振18.432MHz晶振CMX309FLC24.000M-UT晶振24MHz石英晶振 CMX309FLC10.000MT晶振10MHz晶振CMX309FBC4.000MTR晶振4MHz晶振CMX309FBC18.432M-UT晶振18.432MHz晶振CMX309FLC24.576M-UT晶振24.576MHz石英晶振 CMX309FLC11.000MT晶振11MHz晶振CMX309FBC4.000MTR晶振4MHz晶振CMX309FBC20.000M-UT晶振20MHz晶振CMX309FLC24.576M-UT晶振24.576MHz石英晶振 CMX309FLC11.000MT晶振11MHz晶振CMX309FBC5.000MTR晶振5MHz晶振CMX309FBC20.000M-UT晶振20MHz晶振CMX309FLC25.000M-UT晶振25MHz石英晶振 CMX309FLC11.0592MT晶振11.0592MHz晶振

CMX309晶振产品包装表

CMX309FBC5.000MTR晶振5MHz晶振CMX309FBC24.000M-UT晶振24MHz晶振CMX309FLC25.000M-UT晶振25MHz石英晶振 CMX309FLC11.0592MT晶振11.0592MHz晶振CMX309FBC8.000MTR晶振8MHz晶振CMX309FBC24.000M-UT晶振24MHz晶振CMX309FLC25.175M-UT晶振25.175MHz石英晶振 CMX309FLC11.2896MT晶振11.2896MHz晶振CMX309FBC8.000MTR晶振8MHz晶振CMX309FBC24.576M-UT晶振24.576MHz晶振CMX309FLC25.175M-UT晶振25.175MHz石英晶振 CMX309FLC11.2896MT晶振11.2896MHz晶振CMX309FBC8.192MTR晶振8.192MHz晶振CMX309FBC24.576M-UT晶振24.576MHz晶振CMX309FLC27.000M-UT晶振27MHz石英晶振 CMX309FLC12.000MT晶振12MHz晶振CMX309FBC8.192MTR晶振8.192MHz晶振CMX309FBC25.000M-UT晶振25MHz晶振CMX309FLC27.000M-UT晶振27MHz石英晶振 CMX309FLC12.000MT晶振12MHz晶振CMX309FBC9.8304MTR晶振9.8304MHz晶振CMX309FBC25.000M-UT晶振25MHz晶振CMX309FLC28.322M-UT晶振28.322MHz石英晶振 CMX309FLC12.288MT晶振12.288MHz晶振

世界上首家使用商业化石英晶振手表的公司是SUWA SEIKOSHA Co.,Ltd.(现称Seiko Epson Corporation).该公司的工程师经过不断的努力,成功的将石英晶体器件小型化,大大的减少了石英晶振产品设备的尺寸.但这项伟大的事迹也许很多人都知道这个事实,但却很少人知道工程师们在背后的战斗.

电子元器件业务的世界是非常残酷的,即使爱普生晶振公司投入了大量的工程师和大量资金来开发尖端技术,即使可以成功的将外部尺寸减半同时又可以提高性能也无法提高价格.实际上除了将尺寸缩小到一半,客户都不愿意接受这个新产品,除非价格可以进一步的降低.这种令人发指的要求放在电子元器件业务上是很正常的.

音叉晶振也是这样,音叉晶体是1969年从世界上第一块石英表”Quartz Astron”中提取开发出来的.并一直在缩小石英晶振的体积从而导致音叉晶振的尺寸越来越小,价格越来越便宜.结果,石英手表以惊人的速度快速扩张.但随着市场的扩大,进入市场的制造商也不断的增加,参与市场的竞争变得越来越激烈.从1975年到1980年这五年之间,音叉式石英晶体谐振器的单价已经降至五分之一.然而SUWA SEIKOSHA(现称精工爱普生SEIKO EPSON)拥有光刻技术,基于这项技术,所以精工爱普生晶振能够以更紧凑及更低成本的方式快速推出市场.从而让精工爱普生晶振奠定了基础.在20世纪80年代早期,精工爱普生晶振已经发展成为一家全球性公司,领导着音叉晶体振荡器行业.

当音叉型水晶振动子遍布全世界,精工爱普生晶振成为世界领先的音叉晶体制造商,不可否认他们已经到达了这种地位,通常情况下,这样的现状可以让整个公司满足下来并安于现状.但是,那些的日本工厂位于长野县石英晶振设备部门的工作人员根本不满足这种情况.原因是他们无法让客户承认精工爱普生晶振是石英晶体设备制造商.虽然现在也已经开始为”精工”品牌手表生产晶振产品,也算是零部件供应商了.精工爱普生晶振极力想得到客户的认可,20世纪70年代中期开始他们开始寻求外销单,开始对外销售石英晶体产品,然后经营规模就变得越来越大,20世纪80年代的前半部分已经大大超过钟表制造商的部分业务.当销售人员拜访客户时,许多人对精工爱普生的评论就是一家手表制造商的石英晶体设备部门.但他们没有气馁,并没有因为客户的评论而丧失信心.而是从那个时候起,石英设备部门的员工们都被点燃了壮志雄心.希望将企业进一步的扩展为一个独立的商业部门.

为什么精工爱普生会没办法被认可是石英晶体设备制造商.尽管他们几乎已经统治了全球的音叉晶体的市场.其实答案很简单,事实上,音叉晶体的市场并不是石英器件的主要竞争领域,主要是AT切割晶体和石英晶体振荡器的市场,他们被用于通信设备.而SUWA SEIKO当时是还没有进入这个市场的.并且在20世纪80年代早期,AT切割晶体单元和晶体振荡的市场需求迅速增长.在那之前AT切割晶体的应用仅限于商业通信设备等.但当数字化浪潮的袭来,使得消费电子设备的需求量倍增,称为个人电脑的全新电子设备市场也在以极快的速度扩张.

石英晶振材料中的二氧化硅(SiO2)原子是自然状态下的.与其电偶极是相互平衡的电中性.下图是二氧化硅以二维空间的简化结构图.当我们在硅原子上方及硅原子下方施加正电场及负电场时,空间系统为了维持电位平衡,在硅侧带正电,氧侧带负电,两个氧原子会相互排斥,在氧原子下方形成一个感应正电场区域.若将情况相反,当我们在硅原子上方及氧原子下方分别给予负电场及正电场时,两个原子会相互靠近.氧原子下方产生感应负电场,硅原子在上方生产感应正电场.当氧原子沿着水平方向与替代电场相同的频率及垂直方向靠近时,邻近的另一个氧原子会相对的生产排斥或者吸引的力量,使氧原子回到原来的空间位置.因此电场的力量与原子之间的力量会相互牵引,离子的位移或振动幅度取决于电场和石英的电偶极子之间的角度.电场的改变与水平方式的变换形成交互作用状态.在实际的三维石英晶振中,电场由涂覆在石英晶片表面上的电极提供,偶极子的取向可以通过石英棒的不同切割角度来决定.

石英晶体的压电特性

根据不同的应用领域以及不同的工作温度需求,所以产生不同的石英晶体板.例如AT-,BT-,CT-,DT-,NT-,GT…不同的切割板片.不同的切割方向的板片具有不同的弹性常数张量(elastic constant tensor), 不同的压电常数张量(piezoelectric constant tensor)及不同的介电常数张量(dielectric constant tensor). 这些张量在石英组件的设计及应用上展现了不同的振荡及温度特性. (图三)表现了在Z-plat石英结构上,几种不同方向的石英板片切割方式.

石英晶体的切割角度

大部份的石英晶体产品是用于电子线路上的参考频率基准或频率控制组件,所以,频率与工作环境温度的特性是一个很重要的参数.良好的频率与温度(frequeny versus temperature)特性也是选用石英做为频率组件的主要因素之一. 经过适当的设计与定义,石英晶体组件可以很容易的就满足到一百万分之一(parts per million, ppm)单位等级的频率误差范围.若以离散电路方式将LCR零件组成高频振荡线路,虽然也可以在小量生产规模达到所需要的参考频率信号误差在ppm或sub-ppm等级要求,可是这种方式无法满足产业要达到的量产规模.石英组件的频率对温度特性更是离散振荡线路无法简易达成的.在(图四) 中提供了数种不同的石英晶体切割角度的频率对温度特性曲线.

石英晶体的频率特性与温度特性

在各种不同种类的切割角度方式中, AT角度切割的石英芯片适用在数MHz到数佰MHz的频率范围,是石英芯片应用范围最广范及使用数量最多的一种切割应用方式. 在(图五)中, 从石英晶棒X-轴向的上视图, 可以看到对Z-轴向旋转约35度的AT 方向. 这在大量生产的技术上也是很好达成的一种作业方式.

石英晶体的切割方向

上图是以AT切割角度变动在厚度振动模态的频率对温度特性的展开图. 图中以常用的室温摄式25度作为相对零点, AT切割的最大优点是频率对温度变化为一元三次方曲线. 这个特性, 从(图六)中可以看到, 在相当宽广的温度范围下, AT切割的温度曲线的第一阶及第二阶常数为零, 第三阶的常数便决定了频率对温度的变化值.

切割晶体的温度频率特性变化

每天都会接到很多晶振客户的询盘,有的是工厂采购,有的是贸易商采购,有的是EMS代工厂采购员等等.每天都有上百个咨询石英晶振参数报价及拿货订货.也有很多客户经常会"一问三不知",什么是一问三不知,就是我们石英晶振销售人员口中经常说的参数,尺寸,封装.并不是每一个来咨询问料的客户都是能很清楚明白的知道晶振都有哪些参数.这也跟专业性有关吧,毕竟我们是专业做晶振这一块的,对于刚接触晶振的采购人员来说就是一个未知领域,就像我一样,我从事石英晶振销售三年有余,虽然说是从事电子行业的人员,但我却对其它电子产品”一概不知”.什么电容电阻二三极管,到现在为止我都还不知道他们到底长啥样.虽然客户发过来的电路板上是会有这些产品出现,但我却认不出来.只能从板子里认出晶振,然后估出大概尺寸,看出哪个品牌.我们公司从事晶振行业18年有余,一直坚守晶振行业这个领域的事业.现在给大家介绍一下<什么是晶振的具体参数>,<晶振的专业术语>.

Every day, I receive a lot of enquiries from crystal customers, some are factory procurement, some are traders, some are EMS foundry buyers, etc. Every day, there are hundreds of consulting quartz crystal parameters and get orders. Many customers often "One question, three don't know", what is one question, three, I don't know, it is the parameters, size, and packaging that we often say in the quartz crystal sales staff. Not every customer who consults can know clearly what crystals are. Parameters. This is also related to professionalism. After all, we are specialized in crystal oscillators. It is an unknown field for purchasers who are just in contact with crystal oscillators. Like me, I have been engaged in the sales of quartz crystal oscillators for more than three years, although I am a person in the electronics industry, but I don’t know about other electronic products. I don’t know what capacitors and diodes are. So far, I don’t know how long they are. Although the customer’s board will be there. These products appear, but I can't recognize them. I can only recognize the crystal oscillator from the board, and then estimate the approximate size to see which brand. Our company is engaged in crystal oscillators. More than 18 years, we remain firmly committed to the cause of the crystal industry in this area and now tell you about .

首先就是我们经常有问到的,标准频率以及频率偏差也称之为精度.(Nominal Frequency and Tolerance)

The first is what we often ask. Standard frequency and frequency deviation are also called accuracy. (Nominal Frequency and Tolerance)

在正确的振荡线路匹配下,从振荡线路输出的频率称之为”公称频率”.石英晶体谐振器的频率通常都是以兆赫兹(MHZ)或者千赫兹(KHZ)来表示.而频率偏差则是在实际批量生产及振荡线路应用上,产品在室内环境25度中都会有一些相对于中心频率的频率误差.这一类的频率容许误差的最大散布值,一般是有ppm(parts per million)或者%(percent)来表示.

Under the correct oscillating line matching, the frequency output from the oscillating line is called the “nominal frequency.” The frequency of the quartz crystal resonator is usually expressed in megahertz (MHZ) or kilohertz (KHZ). The frequency deviation is In actual mass production and oscillating line applications, the product will have some frequency error relative to the center frequency in the indoor environment of 25 degrees. The maximum dispersion value of this type of frequency tolerance is generally ppm (parts per million). Or %(percent) to indicate.

其次就是石英晶振的基本波振荡和倍频振荡模态简称”泛音振动”. (Fundamental and Overtone Vibrations Mode)

The second is the fundamental wave oscillation of the quartz crystal oscillator and the frequency doubling oscillation mode referred to as "overtone vibration". (Fundamental and Overtone Vibrations Mode)

AT切割型的石英晶振主要以厚度剪切振荡模式存在,高次谐振动波与电极区域之间的基本振动共存.由于两个电极的极性相反,在压电石英晶体谐振器中只能激发奇数谐波振动.

The AT-cut quartz crystal oscillator mainly exists in the thickness shear oscillation mode, and the high-order harmonic vibration wave coexists with the basic vibration between the electrode regions. Since the polarities of the two electrodes are opposite, only the piezoelectric quartz crystal resonator can be excited. Odd harmonic vibration.

再然后就是相当主要的负载电容了(Load capacitance),负载电容CL是振荡器通过谐振器两端观察电路时所呈现出的电容量,负载电容形式上与谐振器串联或者并联,对于并联负载情况,CL的存在将影响并联谐振频率,而并联负载谐振频率FL由下面工式给出,所以在咨询型号参数的时候,这个参数必需是客户指定参数.

Then there is a fairly large load capacitance. The load capacitance CL is the capacitance that the oscillator exhibits when observing the circuit through the resonator. The load capacitance is in series or parallel with the resonator. For parallel load conditions. The presence of CL will affect the parallel resonant frequency, and the parallel load resonant frequency FL is given by the following equation, so when consulting the model parameters, this parameter must be the customer-specified parameter.

在晶振购买过程中，这些参数都是用得较多的几个参数了.其实还有很多参数还没介绍完,明日再继续更新最新的晶振参数说明.希望可以帮助那些想要了解晶振,并且采购晶振的客户去了解更多的信息资料.

我们可以通过以下方法改善晶振频率输出偏差超过极限的问题：

1.调整外部电容值Cd和Cg。 

如果频率计数器测量的频率高于目标频率，我们应该增加外部电容CL（或Cd和Cg的值），以将频率降低到我们的目标频率，反之亦然。

2. 采用具有不同电容值（CL）的晶体。 

如果频率远高于目标频率，则采用电容较低的晶体，反之亦然。

在采用正确的电容并将频率调整到目标值后，请使用示波器检查波形幅度是否正常。在由于增加外部电容导致波形幅度缩小的情况下，请使用方法2调整频率（降低外部电容并采用电容较低的石英晶振）。

世界上第一块石英表的实际应用与音叉石英晶振的开发是不少工程师所流下的血液，汗水以及眼泪的结晶.随着时间慢慢的推移,石英晶振产品不断的连接着电视,电脑,手机,手表等慢慢靠近着我们的生活.渐渐的这些石英晶振产品已发展成电子行业不可或缺的固定产品.甚至被称为”工业之盐”,电子产品的”心脏”.这些石英晶振最早主由EPSON TOYOCOM公司生产制作而成.

The practical application of the world's first quartz watch and the development of the tuning fork quartz crystal oscillator are the crystallization of blood, sweat and tears that many engineers shed. As time goes by, quartz crystal products are continuously connected to TVs and computers. Mobile phones, watches, etc. are slowly approaching our lives. Gradually these quartz crystal products have developed into indispensable fixed products for the electronics industry. They are even called "the salt of industry", the "heart" of electronic products. These quartz crystal oscillators The earliest production was produced by EPSON TOYOCOM.

QMEMS(Quartz+”MEMS”)是促进MEMS(微电子机械系统)晶体材料微加工工艺独特技术的名称,是EPSON TOYOCOM公司产品的主要核心技术.通过充分利用这项技术的优势可以为石英晶体器件实现更小巧的尺寸及更好的性能.QMEMS技术的起源可以追溯到20世纪70年代初.

QMEMS (Quartz+ "MEMS") is the name of a unique technology that promotes micromachining of MEMS (micro-electro-mechanical systems) crystal materials. It is the main core technology of EPSON TOYOCOM. By taking advantage of this technology, it can be realized for quartz crystal devices. Smaller size and better performance. The origins of QMEMS technology can be traced back to the early 1970s.

1969年，在日本中部的苏瓦湖岸边，当地的一家公司悄然成功地将世界上第一块石英晶振手表变成了现实 - “精工石英天文35Q”（图1），这一事件让世界措手不及。

In 1969, on the shores of Lake Suva in central Japan, a local company quietly succeeded in turning the world's first quartz watch into reality - "Seiko Quartz Astronomy 35Q" (Figure 1), an event that caught the world off guard. .

这真是一个划时代的突破。在此之前，石英钟表虽然非常精确，但却非常大，以至于不能轻易携带，而是采用箱形钟表的形式悬挂在墙壁上。虽然机械手表当然已经存在，但这些并不精确。需要一个创新的解决方案来解决更好的精度和更紧凑的尺寸的双重问题，全球各地的公司都在1960年代中后期进行无情竞争以找到一个问题。

This is really an epoch-making breakthrough. Prior to this, quartz clocks, although very precise, were so large that they could not be easily carried, but were suspended from the wall in the form of a box-shaped clock. Although mechanical watches certainly exist, these are not precise. An innovative solution is needed to solve the double problem of better precision and more compact size, and companies around the world have ruthlessly competed in the mid to late 1960s to find a problem.

图1：世界上第一块石英手表'精工石英Astron 35Q'
注：这些电影是使用YouTube™提供的。
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图2：Quartz Astron开发之前的晶体单元这是
在Quartz Astron到来之前实际使用的晶体单元
类型的一个例子。虽然看起来很大，长约50毫
米，但它实际上是当时最小的水晶单元之一.

它是精工苏瓦株式会社，苏瓦湖岸边，它正悄悄地控制着这个发展的竞争对手。使精工苏瓦株式会社领先其竞争对手的因素之一是该公司成功地使晶体单元更加紧凑。传统的水晶装置尺寸非常大，无法装入手表般小的东西（图2）。精工苏瓦株式会社通过采用称为“音叉晶体”的新结构解决了这个问题。新开发的'Cal.35SQ'型尺寸*晶体单元的直径为4.3mm×长度为18.5mm（图3）。此外，精工苏瓦株式会社还能够调整水晶单元的内部结构，以便克服腕表连接在佩戴者手腕上时经常受到的振动和撞击所引起的问题。

It is Seiko Suva Co., on the shores of Lake Suva, and it is quietly controlling this growing competitor. One of the factors that led Seiko Suva to lead its competitors was the company's success in making crystal units more compact. The traditional crystal device is very large in size and cannot be loaded into a watch-like thing (Fig. 2). Seiko Suva solved this problem by adopting a new structure called "tuning fork crystal". The newly developed 'Cal.35SQ' size* crystal unit has a diameter of 4.3 mm and a length of 18.5 mm (Fig. 3). In addition, Seiko Suva can adjust the internal structure of the crystal unit to overcome the problems caused by vibrations and impacts that are often encountered when the watch is attached to the wearer's wrist.

*此时公司开发的音叉式水晶单元用于Suwa Seikosha内部制造的手表。因此，“我们没有给他们一个特定的产品型号，只是通过他们的机芯名称或手表的操作机制（Calibre，或'Cal。'）来提及它们，”Mutsumi Negita说。

* At this time, the company's tuning fork crystal unit was used for watches made inside Suwa Seikosha. Therefore, "we didn't give them a specific product model, just mention them by their movement name or the operating mechanism of the watch (Calibre, or 'Cal.')," Mutsumi Negita said.

图3：Quartz Astron中使用的音叉晶体单元
采用新开发的音叉结构，使Suwa Seikosha能够成功制造出更小的晶体单元，半径仅为4.3mm，长度为18.5mm。它被分配了型号“Type Cal.35SQ”并且具有8.192kHz的正常频率。

Figure 3: Tuning fork crystal unit used in Quartz Astron
With the newly developed tuning fork structure, Suwa Seikosha was able to successfully manufacture smaller crystal units with a radius of only 4.3 mm and a length of 18.5 mm. It is assigned the model "Type Cal.35SQ" and has a normal frequency of 8.192 kHz.

在过去的几年中,娱乐,游戏和便携式市场的电子设备加速的增长推动了石英晶体和晶体振荡器的需求不断增加,甚至达到了前所未有的生产水平以及生产技术.早在十几年前,爱普生晶振的销量以及生产技术还跟不上市场的需求.比如2012晶振会无法正常出货,体积较小,生产达不到技术要求.但是随着这几年的市场需求量的增长,爱普生晶振也在不断的提升生产技术,不断的改进不足,从而使得更小尺寸1612封装晶振可以正常批量出货.

一直以来石英晶体振荡器的高Q值和稳定的温度特性,使得其在消费,商业,工业以及军事产品中起到重要的作用.自2000年至2001年”互联网”市场崩溃以来,对石英晶体以及振荡器的需求每年稳定增长4%至10%.

在早些时候,典型的GSM手机有四组不同的压电频率控制和发电组件：RF SAW滤波器（使用压电钽酸锂或铌酸锂的900 MHz至2 GHz）用于在天线和收发器芯片组之间进行传输和接收滤波;如果使用超外差降频转换,则使用SAW滤波器（主要使用石英为50至400 MHz）; TCXO（13/26 MHz,使用石英晶体）作为收发器合成器中的时钟参考,用于信道化;和音叉（使用石英晶体的32.768 kHz）用于基带部分的待机时钟.

后来,直接转换技术的成功开发在许多GSM手机中废弃了IF SAW滤波器.几年前,带有片上数字补偿晶体振荡器（DCXO）电路的GSM收发器芯片组消除了对TCXO晶振的需求.但是,仍然需要片外石英晶体.

现在的手持设备似乎没有变小,实际上它们已经变得非常小了,但是手机虽小,功能却大的多.以适应消费者多频段,多模,DSC,DVC,MP3,GPS,互联网接入,蓝牙,DTV等所需的更多功能.跟之前想法相反,随着时间的推移,需要越来越少的片外石英晶体,晶体振荡器和SAW元件,现在手机中存在着更多的石英晶体,音叉晶振,晶体振荡器,高精度温补晶振等.虽然这些组件的独特制造和封装要求使它们几乎不可能集成到成熟的硅IC平台上.

在有线和无线市场的蓬勃发展,从而使得石英晶体以及其高频SAW声表面滤波器得到广泛应用.

传统的石英晶振尺寸型号以4.1*1.5,3.2*1.5以及2.0*1.2mm提供.现在也是将这种石英音叉的厚度达到0.4毫米或者更低,从而适用于薄型产品的使用.小于5032封装石英晶振通常需要在真空中密封从而维持阻抗完整性.低兆赫兹小尺寸石英晶振的坏料也需要倾斜于石英晶体边缘,其变薄.从而有效的获得能量.在未来的几年内将出现更小尺寸的石英晶体(1.6*1.0以及1.0*0.8mm)晶振的使用.全球石英晶体供应商正在为这些小尺寸晶振工作.

很多人都不知道相当多的石英产品(石英晶体,石英音叉晶体,石英陀螺传感器等)正在制造一些MEMS(微机电系统)处理.如光刻,金属化,蚀刻,牺牲层沉积去除,金蚀刻保护等.实际上,复杂的加工步骤非平面金属化方案.由于石英晶体的硬度而耐蚀刻,高度各向异性的石英晶体的不同蚀刻速率等,使得小型化的石英晶体产品的加工更加技术上与许多基于硅的MEMS工艺相比具有挑战性.Epson Toyocom几年前创造了“QMEMS”这一术语,以认识到将石英和MEMS技术与下一代石英晶体器件联系起来的重要性.