- [行业新闻]Seiko Instruments Inc.2023年08月09日 14:53
自1881年成立以来,精工推出了一款又一款革命性的产品,包括1913年日本首款腕表和1969年全球首款石英表。合并后的公司现在在广泛的领域开展业务,从手表到电子设备、半导体、眼镜、钟表和其他产品。这些个体企业中的每一个都致力于通过其业务联盟实现进一步的飞跃。
Since its founding in 1881, Seiko has introduced one revolutionary product after another, including the first wrist watch in Japan in 1913 and the first quartz watch in the world in 1969. The consolidated companies now operate in a broad range of fields, from watches to electronic devices, semiconductors, eyewear, clocks and other products. Each one of these individual businesses strives for further leaps forward through its business alliances.
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- [行业新闻]XCO时钟振荡器C04310-32.000-EXT-T-TR支持微控制器应用2023年04月26日 08:40
Raltron拉隆晶振公司通过纽约客电子公司提供XCO系列时钟振荡器,这是一个很好的替代解决方案。XCO时钟系列是一个尖端的低频到高频、低抖动输出、单频或多频时钟振荡器系列。XCO提供7.0x5.0mm毫米、5.0x3.2mm毫米和3.2x2.5mm毫米陶瓷封装,输出频率范围为10MHz至1.2GHz,电压范围为2.5V和3.3V,频率稳定性选项范围为20PPM至100PPM。这种设计的高度灵活性大大减少了设计周期和总成本。XCO时钟设计结合了一个低频晶体和hitter频率合成器,以提供宽范围的频率。XCO时钟提供LVCMOS、LVPECL和LVDS输出有源晶振,支持广泛的应用。
XCO时钟振荡器C04310-32.000-EXT-T-TR支持微控制器应用
特点和优势:
快速周转(几天内发货)
非常低的抖动(典型值0.6ps)
10MHz至1.2GHz频率范围
可选单频、双频或四频
稳定性低至20ppm (-40至+85°C)
可用尺寸:7.0x5.0mm、5.0x3.2mm、3.2x2.5mm
应用于:微处理器,微控制器,生产信息控制系统,中央处理器(central processing units的缩写)- 阅读(718)
- [行业新闻]1XXD16367MAA,DSB211SDN晶振,16.367M温补晶振2022年11月22日 10:37
1XXD16367MAA,DSB211SDN晶振,16.367M温补晶振
KDS晶振 原厂型号 DSB211SDN KDS晶振 原厂代码 1XXD16367MAA Device Name 产品名称系列 TCXO(温补晶振) Nominal Frequency 标称频率 16.367MHZ Supply Voltage 电源电压
1.8~3.3V Load Impedance 负载阻抗 (resistance part)(parallel capacitance)
10 kΩ
10 pF
Control Voltage Range 控制电压范围
1.15 V Operating Temperature Range 工作温度范围
-40~+85℃ Storage temperature 储存温度
-40~+85℃ Current Consumption 电流消耗
1.5 mA Output Level 输出电平
0.8 Vp-p Symmetry 对称性
40/60% Harmonics 谐波
-8 dBc
SIZE 尺寸 2.0*1.6*0.9mm 1XXD16367MAA晶振产品尺寸图
1XXD16367MAA晶振产品电气表
关于 1XXD16367MAA,DSB211SDN晶振,16.367M温补晶振 产品安装的注意事项
1端子A通孔不在底部(安装侧)。
2土地图案布局/金属掩模孔以下土地图案为参考设计。电气特性应满足安装在这片土地上的要求。在测试用地和安装用地不相连的范围内,可以改变接地方式。
对电特性没有任何影响。面罩厚度建议为0.12毫米。包装条件
胶带包装
(1)压花胶带格式及尺寸
(2)卷筒数量:最多2000个/卷
(3)胶带规格
不缺产品。
(4)卷筒规格见图3
包装
产品用防静电袋包装。
*湿度敏感度等级:IPC/JEDEC标准J-STD-033/1级
无需干燥包装,无需重新储存后烘烤。
包装箱
最多10卷/包装箱。但是,在少于10卷的情况下,它由任何盒子容纳。
盒子里的空间用垫子填满了。KDS 晶振即是日本大真空株式会社(DASHINKU CORP),成立于 1951 年,至今已有 50 多年的历史,是全球领先的三大晶振制造商之一,其制造工厂主要分布在日本本土、中国、泰国、印度尼西亚等十多个制造中心,KDS 大真空集团总公司位于日本兵库县加古川,在泰国,印度尼西亚,台湾,中国天津这些大城市均有生产工厂,其中天津工厂是全球晶振行业最大的单体制造工厂,也是全球最大的 TF 型晶振制造工厂.
首先非常的感谢你长期以来对【日本大真空株式会社】,KDS 晶振品牌的支持与厚爱.在此郑重声明,本集团以下简称(KDS)在中国的代理商除了北京中国电子研究院,广州电子研究所,【维多利亚老品牌值得信赖线路】,香港 KDS办事处,台湾KDS办事处,是正规的代理销售企业,其余地区以及公司,个人所销售的KDS产品均不能保证是原装正品,请你选择正规渠道定制货品.
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- [行业新闻]KDS晶振,DSK321STD晶振,1XZA032768AD19,32.768K温补晶振2022年11月14日 09:24
KDS晶振,DSK321STD晶振,1XZA032768AD19,32.768K有源晶振
KDS晶振 原厂型号 DSK321STD KDS晶振 原厂代码 1XZA032768AD19 Device Name 产品名称系列 OSC(有源晶振) Nominal Frequency 标称频率 32.768 KHZ Supply Voltage 电源电压
1.8~3.3VV Load Impedance 负载阻抗 (resistance part)(parallel capacitance)
10 kΩ
10 pF
Control Voltage Range 控制电压范围
1.15 V Operating Temperature Range 工作温度范围
-40~+85℃ Storage temperature 储存温度
-40~+85℃ Current Consumption 电流消耗
1.5 mA Output Level 输出电平
0.8 Vp-p Symmetry 对称性
40/60% Harmonics 谐波
-8 dBc
SIZE 尺寸 2.5*2.0*0.9mm 1XZA032768AD19晶振产品尺寸图
关于KDS晶振,DSK321STD晶振,1XZA032768AD19,32.768K有源晶振 产品安装的注意事项
1端子A通孔不在底部(安装侧)。
2土地图案布局/金属掩模孔以下土地图案为参考设计。电气特性应满足安装在这片土地上的要求。在测试用地和安装用地不相连的范围内,可以改变接地方式。
对电特性没有任何影响。面罩厚度建议为0.12毫米。包装条件
胶带包装
(1)压花胶带格式及尺寸
(2)卷筒数量:最多2000个/卷
(3)胶带规格
不缺产品。
(4)卷筒规格见图3
包装
产品用防静电袋包装。
*湿度敏感度等级:IPC/JEDEC标准J-STD-033/1级
无需干燥包装,无需重新储存后烘烤。
包装箱
最多10卷/包装箱。但是,在少于10卷的情况下,它由任何盒子容纳。
盒子里的空间用垫子填满了。KDS 晶振即是日本大真空株式会社(DASHINKU CORP),成立于 1951 年,至今已有 50 多年的历史,是全球领先的三大晶振制造商之一,其制造工厂主要分布在日本本土、中国、泰国、印度尼西亚等十多个制造中心,KDS 大真空集团总公司位于日本兵库县加古川,在泰国,印度尼西亚,台湾,中国天津这些大城市均有生产工厂,其中天津工厂是全球晶振行业最大的单体制造工厂,也是全球最大的 TF 型晶振制造工厂.
首先非常的感谢你长期以来对【日本大真空株式会社】,KDS 晶振品牌的支持与厚爱.在此郑重声明,本集团以下简称(KDS)在中国的代理商除了北京中国电子研究院,广州电子研究所,【维多利亚老品牌值得信赖线路】,香港 KDS办事处,台湾KDS办事处,是正规的代理销售企业,其余地区以及公司,个人所销售的KDS产品均不能保证是原装正品,请你选择正规渠道定制货品.
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- [行业新闻]FC1610AN超小型晶振X1A000161000200适用于小天才电话手表应用2022年10月10日 08:43
小天才发布了行业首款翻转式前后双摄电话手表,后置800万像素、前置500万像素摄像头,支持实时高清视频通话。家长可远程切换摄像头,前置看清孩子,后置看清周围环境,ext-align:center"="">手表的安全性和内部晶振起着重要的作用。ext-align:center"="">孩子佩戴的腕带手表,它能够用于看时间,定闹钟等,定位,打电话,微信聊天,接受消息等等智能功能,是儿童智能手表的一大亮点。
日本爱普生晶振FC1610AN是一款32.768K晶振,超小型尺寸1.6x1.0mm无源晶振,石英晶体谐振器,两脚贴片晶振,工作温度-40℃至+85℃,具有超小型,超薄型,耐热及耐环境特性,特别适用于电话手表,智能手机,钟表电子,平板电脑,仪器仪表,水电表,智能门锁等。
FC1610AN超小型晶振X1A000161000200适用于小天才电话手表应用
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- [行业新闻]SMD3225贴片晶体谐振器Q22FA2380008900特别适用于小型便捷式移动通讯2022年09月24日 08:45
石英晶体谐振器,简称石英晶体或晶振,是利用石英晶体(又称水晶)的压电效应,用来产生高精度振荡频率的一种电子元件,属于被动元件。该元件主要由石英晶片、基座、外壳、银胶、银等成分组成。
爱普生晶振FA-238是一款小体积尺寸3.2x2.5mm无源晶振,石英晶体谐振器,四脚贴片晶振,频率范围16MHz至60MHz,工作温度范围-40℃至+85℃(+105℃),具有超小型,轻薄型,耐热及耐环境特点,SMD3225贴片晶体谐振器Q22FA2380008900特别适用于小型便捷式移动通讯,可穿戴设备,智能手机,平板电脑,便捷式电子仪器,汽车电子,智能家居等。
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- [行业新闻]SG2520CAA车用新型晶体振荡器X1G005951001116非常适合汽车和高可靠性应用2022年09月08日 09:10
爱普生晶振SG2520CAA,小体积尺寸2.5x2.0mm四脚贴片有源晶振,是具有CMOS输出的简单封装晶体振荡器(SPXO)。这款SPXO非常适合汽车和高可靠性应用,符合AEC-Q200标准。该SPXO具有低功耗、1.6V至3.63V的宽工作电压以及工作温度范围宽,从-40℃到125℃。
主要的应用范围是ADAS(高级驾驶员辅助系统),也就是常说的半自动驾驶系统,除此之外在摄像头,LiDAR(光监测和测距),雷达,网络连接也有应用;同时它还可以用于汽车信息娱乐系统,音频,时钟,仪表,集群,车身控制(BCM)等等.自此,可以断言,这一款爱普生旗下SG2520CAA贴片晶振将会是是其打开自动驾驶车载产品市场的关键性的一步。
SG2520CAA车用新型晶体振荡器X1G005951001116非常适合汽车和高可靠性应用
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- [行业新闻]1XXB24000MEA|DSB221SDN晶振|24M温补晶振2022年08月22日 10:39
1XXB24000MEA|DSB221SDN晶振|24M温补晶振
KDS晶振 原厂型号 DSB221SDN KDS晶振 原厂代码 1XXB24000MEA Device Name 产品名称系列 TCXO(温补晶振) Nominal Frequency 标称频率 24 MHZ Supply Voltage 电源电压
1.8~3.3V Load Impedance 负载阻抗 (resistance part)(parallel capacitance)
10 kΩ
10 pF
Control Voltage Range 控制电压范围
1.15 V Operating Temperature Range 工作温度范围
-40~+85℃ Storage temperature 储存温度
-40~+85℃ Current Consumption 电流消耗
1.5 mA Output Level 输出电平
0.8 Vp-p Symmetry 对称性
40/60% Harmonics 谐波
-8 dBc
SIZE 尺寸 2.5*2.0*0.9mm 1XXB24000MEA晶振产品尺寸图
1XXB24000MEA晶振产品电气表
关于1XXB24000MEA|DSB221SDN晶振|24M温补晶振 产品安装的注意事项
1端子A通孔不在底部(安装侧)。
2土地图案布局/金属掩模孔以下土地图案为参考设计。电气特性应满足安装在这片土地上的要求。在测试用地和安装用地不相连的范围内,可以改变接地方式。
对电特性没有任何影响。面罩厚度建议为0.12毫米。- 阅读(85)
- [晶振编码查询]1XXB38400MCB|KDS晶振|DSB221SDN晶振|温补晶振|削峰正弦波2022年08月22日 09:36
1XXB38400MCB|KDS晶振|DSB221SDN晶振|温补晶振
KDS晶振 原厂型号 DSB221SDN KDS晶振 原厂代码 1XXB38400MCB Device Name 产品名称系列 TCXO(温补晶振) Nominal Frequency 标称频率 38.4 MHZ Supply Voltage 电源电压
1.8~3.3VV Load Impedance 负载阻抗 (resistance part)(parallel capacitance)
10 kΩ
10 pF
Control Voltage Range 控制电压范围
1.15 V Operating Temperature Range 工作温度范围
-40~+85℃ Storage temperature 储存温度
-40~+85℃ Current Consumption 电流消耗
1.5 mA Output Level 输出电平
0.8 Vp-p Symmetry 对称性
40/60% Harmonics 谐波
-8 dBc
SIZE 尺寸 2.5*2.0*0.9mm 1XXB38400MCB晶振产品尺寸图
1XXB38400MCB晶振产品电气表
关于1XXB38400MCB|KDS晶振|DSB221SDN晶振|温补晶振 产品安装的注意事项
1端子A通孔不在底部(安装侧)。
2土地图案布局/金属掩模孔以下土地图案为参考设计。电气特性应满足安装在这片土地上的要求。在测试用地和安装用地不相连的范围内,可以改变接地方式。
对电特性没有任何影响。面罩厚度建议为0.12毫米。- 阅读(75)
- [行业新闻]大真空旗下两款基站用Oscillator性能详细剖析介绍2021年01月15日 13:46
大真空旗下两款基站用Oscillator性能详细剖析介绍.
DC7050AS和DSA/DSB535SGA是大真空旗下的可用于通信基站的石英晶振产品,其中DC7050AS是一款恒温晶振, DSA/DSB535SGA中DSA系列是压控温补晶振,DSB系列是温补晶振系列;对于通信基站来说,工作环境的复杂性决定了它所使用的晶体频控元件必须是能够承受复杂环境所带来的的影响.
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- [行业新闻]晶振市场庞大,唯独喜欢你2020年05月21日 16:56
做电子行业几年了?对电子行业了解吗?知道什么样的产品比较好,什么样的设备更适合自己不,以下的更多问号在此省略.做某件事有没有不达目的誓不罢休,没有完成不休息的决心,或者又是喜欢那个人那个物品不变心的,放在人与人可以说痴情,放在你与设备,人与元器件是不开窍?当然不是,只是单纯喜爱,就想爱普生晶振公司FC1610AN吸引我一样.
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- [行业新闻]石英晶振价格的决定因素2020年04月20日 17:30
- 石英晶振价格由以上六点组成,并且小编也对其进行了详细的解说方便大家的理解.没必要说要求晶振太好,尺寸有多小,主要就是SMD晶振与电子产品能够贴合,能使产品功能最大化即可.如果一味的追求晶振的质量而忽略自家产品的要求,最后可能会得不偿失.
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- [行业新闻]博通半导体交期延长至半年时间,石英晶体厂家欲哭无泪2020年04月18日 17:05
- 电视机,网络连接器是家庭必备产品,你知道这次产品的来源及需要的配件吗?首先外壳是大家直观能看到的,内部的元器件外表是看不出来的,看不到的才是最主要的,比如石英晶振,电容,电阻都是电子产品不可缺少的,它们的好坏决定产品的性能,少了会怎么样?后果大家也是可想而知.
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- [行业新闻]智能手机信号弱是不是晶振的错2020年04月16日 17:18
- 智能手机信号弱的话可以采用温补晶振,在使用的过程中可以减少环境的干扰.温补晶振具有温度补偿功能,很大程度上减少了天气影响,感觉它就是为消费电子诞生.像现在智能手机很多都是往轻,小型方向发展,那石英晶振也要采用2016mm,1612mm的,这样更显得贴近产品需求,高端额消费电子都会用到温补晶振,某些产品会有个例.
- 阅读(159)
- [行业新闻]日本毕业典礼能顺利进行是机器人振荡器的功劳2020年04月13日 17:21
- Newme机器人减少了人员的接触,让大学毕业生顺利毕业,是研发部又一大贡献.在大家眼中机器人可以代替普工的劳动生产,是减少服务员的招聘,谁又能想到可以用在毕业典礼上.校方和机器人一起见证毕业时代,是多么值得开心的时刻,看它的整体照片是有点怪怪的,但总的来说还是对社会的一大贡献.这一贡献少不了研发公司的投入,技术人员的精益求精,振荡器的应用.
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- [行业新闻]iPhone XR遭到举报影响晶振的整体发展2020年04月10日 17:06
- iPhone XR通讯,接收方面出了问题,整体的口碑大家可以想象.之前受到多个国家追捧的苹果手机,现在显得有点黯淡,难道就要就此落寞,在这打一个疑问号.苹果手机在这两年销量被后来者居上长为常态,很明显苹果往日的辉煌不再.那苹果销量下降,内部石英晶体振荡器的使用量也不再需要那么多.往日对苹果公司大量供应元器件的厂家盈利减少,在晶振的投资金额也是有限,这样对于晶振的发展是很不利的.
- 阅读(128)
- [行业新闻]TXON-211晶振告诉你台湾晶体有多大优势2020年04月07日 17:16
- 说到晶振,今天简单来介绍一下安碁晶振,是台湾晶振中其中的一个,成立三十年,经过精湛的技术,客户为先的发展理念,在电子市场得到广大客户的认可.该公司专业生产晶体振荡器,小型谐振器,温补晶振,耐高温晶体,在消费电子,家用电器中得到使用.接下来跟大家简单了解一下安碁公司的TXON-211晶振.
- 阅读(141)
- [行业新闻]美国电子产业开展线上模式,2020年的苹果销量持续下跌2020年04月06日 16:47
- 以上两段文字中的数据可以看出,美国疫情严重,苹果手机销售额是直线下滑的,产量也是如此.手机产量的下滑,也是冲击着别的元器件厂家,比如石英晶振,温补晶振,1612晶振,电池,数据线厂家.从这些数据看出,疫情越严重,美国的经济越惨淡,如果美国电子产业持续发展线上模式,那它整体的一个销量也是跟着下跌的.
- 阅读(110)
- [行业新闻]适用于超声波的低成本兆级系列耐高温石英晶体产品SMD03025/4US2020年04月03日 17:48
每个开发和生产专家都知道,石英晶体无法进行超声波焊接和清洁.高频焊接或清洁过程会损坏石英谐振器.而且现在超声波应用相当广泛,在医疗电子,探测,汽车等领域都有应用,这样一来对石英晶振的需求势必会有所提升,在这样的背景下,彼得曼晶振公司就出产了一种可适用于超声波的低成本兆级系列耐高温石英晶体产品SMD03025/4US.
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- [行业新闻]石英晶体负载电容还有频率吗?2019年11月07日 14:54
石英晶体负载电容还有频率吗?这句话听起来又矛盾又好奇,为什么负载电容里面还会有频率出现.我们所知道的不都是石英晶振产品内部有标准频率参数,负载电容值,频率偏差以及工作温度等相关参数,但又是为什么石英晶体负载电容还会有频率呢?那么以下,请跟随着我们来去了解探讨一下有关于<石英晶体负载电容还有频率吗?>的疑问!
当订购用于工作在频率f下的振荡器的晶体时,例如32.768 kHz或20 MHz,通常仅指定工作频率是不够的。尽管晶体将以接近其串联谐振频率的频率振荡,但实际的振荡频率通常与该频率稍有不同(在“并联谐振电路”中会稍高一些)1。
因此,假设您有一个晶体振荡器电路,并且想要购买晶体,以使放置在该电路中时的振荡频率为f。您需要告诉晶振厂家完成什么?您是否需要发送振荡器设计的示意图以及其设计的所有相关细节,例如选择与布局相关的电容器,电阻器,有源元件和杂散?幸运的是,答案是否定的。除了频率f之外,仅需一个数字,即负载电容CL。
2.什么是CL?
假设您的晶体振荡器以所需的频率f运行。在该频率下,晶体具有复阻抗Z,并且对于工作频率而言,这是晶体唯一重要的特性。因此,为了使振荡器在频率f下工作,您需要在频率f下具有阻抗Z的晶体。因此,最糟糕的是,您只需指定一个复数Z = R + jX。实际上,它甚至比这更简单。
尽管原则上应该在频率f处指定晶体电阻R,但通常R中的晶体间差异以及振荡器对此变化的敏感性足够低,因此无需指定R。这并不是说抗结晶性没有影响;是的。我们将在第4节中进一步讨论。
因此,剩下一个值来指定:f处的晶体电抗X。因此,可以指定一种在20 MHz时电抗为400的晶体。取而代之的是,通常通过指定电容CL并等于
在这里我们设定了ω=2πf。 在物理上,在该频率下,晶振和电容CL的串联组合的阻抗具有零相位(等效地,具有零电抗或纯电阻)。 参见图1。
其中第二步遵循公式(1),电容C的电抗为-1 /(ωC)。
图1-该串联组合在晶振具有负载电容CL的频率下具有零相阻抗
因此,确保适当的振荡频率的任务是提供在指定频率下具有所需电抗的组件(在这种情况下为晶体),这由等式(1)2用电容CL表示。例如,我们不是指定晶体在20 MHz时具有400 frequency的电抗,而是指定在20 MHz处具有20 pF的负载电容的晶体,或更通常地,我们指定在20 pF的负载电容下的晶体频率为20 MHz。
在“并联谐振电路”中,CL为正,通常在5 pF至40 pF之间。在这种情况下,晶体在晶体的串联和并联谐振频率(分别为Fs和Fp)之间的狭窄频带内工作。
注释:1订购晶体进行串联谐振操作时,不要指定CL的值,而应声明频率f指的是串联谐振频率Fs。
2这并不是说频率确定的所有方面都与此唯一数字相关。例如,晶体和振荡器的其他方面决定了是否选择了正确的振荡模式以及系统的频率稳定性(短期和长期)。
虽然真正的“串联谐振电路”没有与之相关的负载电容[或方程式(1)可能是无穷大],但大多数“串联谐振电路”实际上实际上是在串联谐振频率之外工作的,因此确实有一个有限负载电容(可以为正或负)。但是,如果此偏移很小,并且不需要指定负载电容,则可以忽略该偏移,也可以通过在指定频率f中稍有偏移来处理它。
正如我们将在第4节中看到的那样,振荡器和晶体都确定CL。但是,该晶体的作用很弱,因为在零电阻的极限内,该晶体在确定CL时根本不起作用。在这种限制情况下,将CL称为振荡器负载电容是有意义的,因为它完全由振荡器决定。但是,到了在订购晶体的时间上,可以指定在负载电容CL处具有频率f的晶体,即这是晶体频率的条件。因此,将CL称为晶体负载电容是合理的。出于争论的目的,我们简单地避免了这个问题,并使用术语负载电容。
3.在CL上定义FL
现在,对于在给定的负载电容下具有给定频率的晶体,我们用方程式(1)作为定义关系。
定义:当晶体在频率FL处的电抗X由公式(1)给出时,晶体在负载电容CL处具有频率FL,其中ω=2πFL。
回想一下,在给定模式下,晶体的电抗从负值增加,在串联谐振时从零增加到在并联谐振附近的大正值,在此它迅速减小到大负值,然后又增加到零。 (参见参考文献[1]。)通过排除并联谐振周围的区域,我们为每个电抗值提供了一个频率。这样,我们可以关联给定CL值的频率FL。因此,CL的正值对应于串联谐振和并联谐振之间的频率。 CL的大负值对应于低于串联谐振的频率,而较小的负值对应于高于并联谐振的频率。 (请参见下面的公式(3)。)
3.1。 晶体频率方程
那么,振荡频率在多大程度上取决于负载电容CL? 我们可以通过确定晶体频率FL如何取决于晶体负载电容CL来回答这个问题。 可以证明这一点非常近似
其中C 1和C 0分别是晶体的动电容和静电容。 (有关该关系的推导和讨论,请参见参考文献[1]。)为便于说明,我们将公式(3)称为晶体频率公式。
这表明晶体振荡器的工作频率与其负载电容的相关性以及对晶体本身的相关性。 特别地,当将负载电容从CL1更改为CL2时,分数频率变化可以通过以下方式很好地近似:
3.2。 修剪灵敏度
公式(3)给出了工作频率FL对负载电容CL的依赖性。 频率随CL的负变化率称为调整灵敏度TS。 使用公式(3),这大约是
由此可见,在较低的CL值下,晶体对CL的给定变化更敏感。
4.但是什么决定CL?
考虑一个简单的皮尔斯振荡器,它由一个晶体,一个放大器以及栅极和漏极电容器组成,如图2所示。
试图计算皮尔斯振荡器电路的负载电容时,必须考虑至少三个杂散电容。
1.从放大器的输入到地面的附加电容。其来源可能是放大器本身,并且将电容跟踪到地。由于此电容与C G并联,因此我们可以简单地将其吸收到C G的定义中。 (CG是电容器对地的电容加上放大器此侧对地的任何附加电容。)
2.从放大器的输出到地面的附加电容。其来源可能是放大器本身,并且将电容跟踪到地。由于此电容与C D并联,因此我们可以简单地将其吸收到C D的定义中。 (即CD是电容器接地电容,再加上放大器此侧的任何其他接地电容。)
3.杂散电容C s使晶体分流,如图2所示。
如上所述重新定义C G和C D,然后得出[2]振荡的条件之一是
Where
是晶体和电容C s的并联组合的阻抗,而R o是放大器的输出电阻。
可以看出,晶振电阻R是负载电容CL的函数,近似为:(假设CL不太小)
其中R 1是晶体[1]的运动阻力。
然后得出结论(提供的CL – C s不太小)
以及
根据这些结果,式(6)给出了CL的以下方程式
其中R′由等式(9)近似。请注意,CL的方程实际上比起初看起来要复杂一些,因为R'取决于CL。
可以看出,CL随R 1的增加而减小,因此通过公式(3),工作频率随晶体电阻而增加。因此,负载电容确实与晶体本身有关。但是,正如我们前面提到的,晶体电阻的变化以及对这种变化的灵敏度通常足够低,因此可以忽略不计。 (在这种情况下,晶体电阻的标称值用于计算CL。)
但是,有时抗拒效果不容忽视。调谐两个晶体,以使它们在给定的负载电容CL下具有完全相同的频率,如果它们的电阻不同,则它们可以在同一振荡器中以不同的频率振荡。这种微小的差异导致所观察到的系统频率变化增加,高于晶体频率校准误差和板对板组件变化所引起的变化。
注意,在晶体电阻为零的情况下(或与放大器的输出电阻R o相比,至少可忽略不计),公式(11)给出
因此,在这种情况下,负载电容是将晶体分流的杂散电容加上晶体每一侧的两个电容与地之间的串联电容。
5,测量CL
虽然原则上可以从电路设计中计算出CL,但是一种更简单的方法是简单地测量CL。这也更加可靠,因为它不依赖于振荡器电路模型,考虑了与布局相关的杂散(可能难以估计),并且考虑了晶体电阻的影响。这是两种测量CL的方法。
5.1方法1
该方法需要阻抗分析仪,但不需要了解晶体参数,并且与晶体模型无关。
1.获得与将要订购的晶体相似的晶体,即具有相似的频率和电阻。
2.将此晶体放置在振荡器中,并测量操作FL的频率。将晶振放入电路中时,请注意不要损坏它或做任何会引起不适当频率偏移的事情。 (如果焊接到位,请使其冷却至室温。)避免焊接的好方法是简单地使用例如铅笔的橡皮擦末端将晶体压在板的焊盘上,并观察振荡频率。只要注意晶体与电路板完全接触即可。该系统仍然可以以较高的频率振荡,而晶体不会与电路板完全接触。
3.使用阻抗分析仪,以步骤2中确定的频率FL测量晶体的电抗X。
4.使用等式(1)以及在FL处的FL(ω=2πFL)和X的测量值来计算CL。
5.2方法2
此方法取决于四参数晶体模型,并且需要了解这些参数(通过您自己的测量或晶体制造商提供的知识)。
1.获得与将要订购的晶体相似的晶体,即具有相似的频率和电阻。
2.表征该晶体。特别要测量其串联频率F s,运动电容C 1和静态电容C 0。
3.将此晶体放在振荡器中,并测量操作FL的频率(如方法1,步骤2所示)。
4.使用公式(3)和FL,F s,C 1和C 0的测量值计算CL。
建议采用至少3个晶体进行这两种方法。正确完成后,该技术通常得出的CL值约为0.1 pF。通过对多个电路板重复该过程以估计CL的电路板间差异,可以找到对最终结果的进一步信心。
注意,在上面,FL不必精确地是期望的振荡频率f。也就是说,CL的计算值不是振荡频率的强函数,因为通常仅晶体是强烈依赖于频率的。如果由于某种原因,振荡器确实具有很强的频率相关性,那么使用该程序将非常困难。
6.我真的需要为CL指定值吗?
至少有三种情况不需要CL的规范:
1.您打算以晶体的串联谐振频率进行操作。
2.您可以容忍频率中的较大误差(大约0.1%或更高)。
3.电路的负载电容足够接近标准值(请参见晶振数据表),以允许频率差。可以使用公式(4)计算该差异。
如果您的应用不满足上述三个条件之一,则应强烈考虑估算振荡器的负载电容,并在指定晶体时使用该值。
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