AEL晶振,贴片晶振,6x3.5mm晶振,石英谐振器
频率:7.6 - 110.0 MHz
尺寸:6.0*3.5*1.2mm
高精度晶片的抛光技术:是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值,使石英晶体元器件可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态
AEL晶振,贴片晶振,6x3.5mm晶振,石英谐振器, AEL在英国,日本,台湾,南韩等地区使用精心挑选的生产基地网络。韩国中国和美国使我们能够为这类组件提供真正的全球采购。这降低了这种高需求产品类型供应中断的风险。我们通过实施全面的英国库存政策进一步提高可用性。
我们与所有供应商建立了长期的合作关系,并拥有悠久的高品质和无故障供应历史。我们的一些制造合作伙伴已经为AEL生产了超过10年的产品。这使我们能够自信地提供一个批次的可靠性,质量,一致性和可重复性的可靠记录
AEL晶体有限公司是ISO 9002-2008认可的供应商,目前管理着广泛的国际认可的蓝筹客户。
自1991年以来,AEL晶体有限公司已发展成为欧洲领先的频率控制组件供应商之一。我们的成功基于扎实的工程知识基础,同时也为我们的客户提供高效的总体供应链管理服务。无论您身在何处,无论您是在英国设有研发机构还是在远东地区生产,您都可以确信AEL将始终以具有全球竞争力的价格为您提供始终如一的质量和可靠的服务。
我们的产品在机顶盒,安防产品,汽车产品和移动和地面通信等多种应用领域获得了全球的普遍认可。我们每周运送数百万单位到从墨西哥到中国的目的地。随着频率控制领域的许多新型创新产品的开发,我们能够为今天的电子工程师提供在频率产生领域更大程度的灵活性的自由。
我们AEL晶体有限公司已借此机会为您提供最新的信息供您参考。AEL晶振,贴片晶振,6x3.5mm晶振,石英谐振器
高精度晶片的抛光技术:是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值,使石英晶体元器件可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态。
小型贴片石英晶振主要采用了,先进的晶片的抛光工艺技术,是晶体行业中石英晶片研磨技术中表面处理的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,大大的降低谐振电阻,使精度得到了很大的提升。改变了传统的生产工艺,使产品在各项参数得到了很大的改良。
外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.AEL晶振,贴片晶振,6x3.5mm晶振,石英谐振器
AEL晶振规格 |
单位 |
6x3.5mm晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
|
标准频率 |
f_nom |
7.6 - 110.0 MHz |
标准频率 |
|
储存温度 |
T_stg |
-55oC - +125oC |
裸存 |
|
工作温度 |
T_use |
-10oC - +60oC |
标准温度 |
|
激励功率 |
DL |
100μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
|
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息, / |
|
频率温度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/25°C |
超出标准的规格请联系我们. |
|
负载电容 |
CL |
30pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
|
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
|
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
概要,AEL晶振,贴片晶振,6x3.5mm晶振,石英谐振器
为了真正理解设备功能,在实际条件下考虑振荡器性能非常重要。实际运行条件通常包括电源噪声,外部EMI,振动和冲击。在这些条件下进行测试证明了与竞争石英和基于半导体的器件相比,AEL MMD MEMS振荡器的优势。AEL MMD在考虑的所有四个类别中均优于竞争对手。
电源噪声:比石英高7倍
对EMI噪声易感性:比竞争对手高出50倍
振动:比石英高40倍
可靠性:比石英高80倍
诸如外部噪声和振动的环境应力会对时钟设备的弹性,性能和可靠性产生不利影响。由AEL MMD生产的硅MEMS振荡器在面对典型的极具挑战性的环境条件下具有弹性,可保持相位噪声和抖动规范,并在各种操作环境中表现出长期可靠性。
2.振荡器的最佳设计和布局实践
介绍
正确的去耦,旁路和电源噪声降低在许多应用中非常重要,以确保振荡器的最佳性能。一种常见的策略是将电容器放置在印刷电路板(PCB)上的高速器件附近。这种电容器有两个重要功能:
为组件提供瞬时电流
减少通过系统的噪音传播
将电源噪声分流至GND以下各节描述单端和差分器件的去耦,旁路,噪声抑制和电源条件建议。
解耦
诸如时钟振荡器之类的快速开关器件对电源提出了很高的要求。高时钟速率加上快速上升时间(通常在1 ns范围内)使电源很难及时获得所需电流。结果,器件的电源电压会下降。为确保器件始终提供足够的电荷量,需要安装去耦电容器,以充当本地储存器。
建议在振荡器的VDD引脚和接地层之间为单端和差分器件使用0.1uF陶瓷去耦电容。图1和图2显示了具有0603尺寸,0.1uF去耦电容C的4引脚振荡器的示例布局。图1和图2所示的所有迹线都需要用阻焊层覆盖。时钟的引脚1可用于支持输出使能,待机,扩展禁用或VCMO控制等功能。AEL晶振,贴片晶振,6x3.5mm晶振,石英谐振器
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