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AEL晶振,贴片晶振,HC-49/S SMD晶振,49S表面贴片晶体

频率：3.00 - 100.00 MHz

尺寸：12.3*4.8*4.3mm

目前国外进口晶振品牌中大多数的品牌都在慢慢减少生产49/SSMD系列产品了，因49/S系列体积大，很多电子产品接受小，而且生产过程中使用的材料也要比小型的贴片晶振多,况且现在小尺寸的贴片晶振产量远远大于49/S系列，所以生产这种的大体积成本就更高了。普通贴片石英晶振外观使用金属材料封装的,具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,晶振外观本身使用金属封装,充分的密封性能,可确保其高可靠性,采用编带包装,外包装采用朔胶盘,可在自动贴片机上对应自动贴装等优势.

咨询热线：0755-27872782

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AEL晶振,贴片晶振,HC-49/S SMD晶振,49S表面贴片晶体， AEL在英国，日本，台湾，南韩等地区使用精心挑选的生产基地网络。韩国中国和美国使我们能够为这类组件提供真正的全球采购。这降低了这种高需求产品类型供应中断的风险。我们通过实施全面的英国库存政策进一步提高可用性。

我们与所有供应商建立了长期的合作关系，并拥有悠久的高品质和无故障供应历史。我们的一些制造合作伙伴已经为AEL生产了超过10年的产品。这使我们能够自信地提供一个批次的可靠性，质量，一致性和可重复性的可靠记录

AEL晶体有限公司是ISO 9002-2008认可的供应商，目前管理着广泛的国际认可的蓝筹客户。

自1991年以来，AEL晶体有限公司已发展成为欧洲领先的频率控制组件供应商之一。我们的成功基于扎实的工程知识基础，同时也为我们的客户提供高效的总体供应链管理服务。无论您身在何处，无论您是在英国设有研发机构还是在远东地区生产，您都可以确信AEL将始终以具有全球竞争力的价格为您提供始终如一的质量和可靠的服务。

我们的产品在机顶盒，安防产品，汽车产品和移动和地面通信等多种应用领域获得了全球的普遍认可。我们每周运送数百万单位到从墨西哥到中国的目的地。随着频率控制领域的许多新型创新产品的开发，我们能够为今天的电子工程师提供在频率产生领域更大程度的灵活性的自由。

我们AEL晶体有限公司已借此机会为您提供最新的信息供您参考。AEL晶振,贴片晶振,HC-49/S SMD晶振,49S表面贴片晶体 TH-1 890

高我公司的49/SMD贴片晶振在生产晶片时，就采用了晶片在球筒倒边加工时应用到的加工技术，主要是研究满足不同曲率半径晶片设计可使用的方法。

如：

1、是指球面加工曲率半径的工艺设计

（ a、球面的余弦磨量； b、球面的均匀磨量；c、球面加工曲率半径的配合）

2、在加工时球面测量标准的设计原则（曲率半径公式的计算）

目前国外进口晶振品牌中大多数的品牌都在慢慢减少生产49/SSMD系列产品了，因49/S系列体积大，很多电子产品接受小，而且生产过程中使用的材料也要比小型的贴片晶振多,况且现在小尺寸的贴片晶振产量远远大于49/S系列，所以生产这种的大体积成本就更高了。普通贴片石英晶振外观使用金属材料封装的,具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,晶振外观本身使用金属封装,充分的密封性能,可确保其高可靠性,采用编带包装,外包装采用朔胶盘,可在自动贴片机上对应自动贴装等优势.AEL晶振,贴片晶振,HC-49/S SMD晶振,49S表面贴片晶体 TH-2 890

AEL晶振规格	单位	HC-49/S SMD晶振频率范围		石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	3.00 - 100.00 MHz	标准频率
储存温度	T_stg	-55oC - +125oC	裸存
工作温度	T_use	-10oC - +60oC	标准温度
激励功率	DL	100μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (标准), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息, /
频率温度特征	f_tem	±50 × 10^-6/25°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	30pF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

TH-3 890

123349 12.3_4.6mm 49SMD

TH-4 890

通过传递，AEL晶振,贴片晶振,HC-49/S SMD晶振,49S表面贴片晶体

凭借当今高速处理器和数据速率，系统中存在相当大的噪音。由时钟振荡器产生的接近方波的波形包含单位的基本频率以及信号的高次谐波分量。为了限制通过系统传播的噪声量，需要旁路电容来提供低阻抗路径以将瞬态能量分流到地。

在大多数应用中，0.1uF去耦电容为所有AEL MMD器件提供了足够的旁路能力。不需要额外的旁路电容器。

用户可以考虑使用额外的1nF或10nF旁路用于AEL MMD振荡器，差分输出工作在高频率（150 MHz以上），以抑制电源网络中较高的时钟谐波。

电源噪声降低

在大多数应用中，VDD和GND之间的单个0.1μF电容可分流GND上电源可能存在的大部分噪声。AEL MMD器件使用内部稳压器来进一步降低振荡器输出抖动的影响，用户可以考虑RC或LC电源滤波策略。ILSI MMD建议在高速应用中使用这种过滤，例如波特率高于6Gbps的串行接口（例如8.5Gbps光纤通道和串行10Gbit以太网）。

如图3所示的RC滤波器使用简单。需要选择R，以使电阻上的标称电压降在标称电源电压的5％的范围内。错误！未找到参考源。显示不同AEL MMD振荡器的值。

如图4所示，LC滤波器特别适用于电流消耗较高的器件，如差分振荡器。电感低串联电阻（通常小于1Ω）为器件提供低于50mV压降的直流电源电压。LC滤波器具有最大限度地减少来自电网的潜在振荡器开关噪声的额外优势。与电感并联的电阻旨在降低LC电路谐振频率处的峰化。错误！未找到参考源。列出了9102设备LC电源滤波器的推荐元件值。同样的滤波器也可以用于其他AEL MMD差分或单端振荡器（带和不带扩频功能）和VCMO。AEL晶振,贴片晶振,HC-49/S SMD晶振,49S表面贴片晶体 TH-6 890