CRYSTEK晶振,贴片晶振,CCSS-945晶振,正弦波时钟振荡器
频率:10 MHz - 125 MHz
尺寸:14.2*9.14*5.3mm
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
CRYSTEK晶振,贴片晶振,CCSS-945晶振,正弦波时钟振荡器, Crystek公司 成立于1958年,是射频微波和频率控制行业的高性能技术全球领导者。Crystek公司广泛的产品包括多种终端市场,包括无线,微波无线电,电信,工业,企业,航空航天和政府部门。Crystek公司是一家通过ISO9001:2008认证的企业,总部位于佛罗里达州迈尔斯堡
CrystekCorporation®自1958年以来一直提供频率产品,包括石英晶体,XO(时钟振荡器),TCXO(温度补偿晶体振荡器),VCO(压控振荡器)和VCXO(压控晶体振荡器)。Crystek经营两个专门用于频率控制的部门。
rystek晶体致力于开发和制造使用石英谐振器的频率产品。Crystek Microwave为微波行业开发频率控制和支持产品。其他产品包括:PLL(锁相环)合成器,RedBox VCO,RF同轴电缆组件,射频电缆连接器,批量射频同轴电缆,RF功率检测器,滤波器,衰减器,直流模块,无源倍增器,RFPRO(袖珍参考振荡器),基于SAW的时钟振荡器和VCSO以及功率调节器。CRYSTEK晶振,贴片晶振,CCSS-945晶振,正弦波时钟振荡器
贴片小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术
1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;
2.使组件在真空下电阻减小;
3.气密性高。
此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..CRYSTEK晶振,贴片晶振,CCSS-945晶振,正弦波时钟振荡器
CRYSTEK晶振规格 |
单位 |
CCSS-945晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
|
标准频率 |
f_nom |
10 MHz - 125 MHz |
标准频率 |
|
储存温度 |
T_stg |
-45°C ~90°C |
裸存 |
|
工作温度 |
T_use |
0°C ~ +70°C |
标准温度 |
|
激励功率 |
DL |
50μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
|
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息, / |
|
频率温度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/25°C |
超出标准的规格请联系我们. |
|
负载电容 |
CL |
15pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
|
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
|
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
晶振使用说明,CRYSTEK晶振,贴片晶振,CCSS-945晶振,正弦波时钟振荡器
支架:一个箱体,内装一块薄薄的石英晶体或带有真空蒸发金属电极的晶体条和用于连接的端子。
频率:每秒输出波形的周期数。频率单位是每秒周期数,或赫兹,缩写为Hz。
基本模式:晶体的主要模式。
Overtone模式:根据指定的振荡模式分配给奇数的频率。标准的第三种泛音模式,其次是第五,第七,第九等。超越第九种泛音是不切实际的。这些频率并不完全是基频的三倍,五倍,七倍或九倍。
频率容差:室温下与标称频率的允许偏差。频率容差以百分比表示,典型值为±0.005%或百万分率(ppm),±50ppm。
等效串联电阻:晶体在工作谐振电路中表现出的阻抗值。
驱动电平:电路中晶体的功耗量。驱动电平以毫瓦或微瓦表示。过高的驱动电平会导致长期的频率漂移或晶体破裂。
老化:相对频率在一段时间内发生变化。这种频率变化率通常是指数性的。通常情况下,老化在头30天内计算,并计算长期(一年或十年)。最高的老化率在手术的第一周内发生,之后缓慢下降。
频率稳定度:与指定温度范围内(即0至+ 70°C)25°C时的测量频率相比,最大允许频率偏差。
并联电容:并联电容(CO)是晶体端子之间的电容。它随封装而变化,通常它在SMD中较小(典型值为4pF),在含铅晶体中为6pF。
杂散:通常在工作模式之上的不需要的共振,以dB最大值指定。或ESR的次数。频率范围必须指定。例如,在F0±200kHz的频率窗口中,杂散响应应至少为6dB或2.5×R。
振动模式:石英晶体的振动模式随晶体切割而变化,例如AT切割和BT切割的厚度剪切,或音叉晶体的弯曲模式(+ 5oX)切割,或CT,DT切割的面切模式。最流行的切割是AT切割,它可以在宽广的温度变化范围内提供对称的频移。
工作温度范围:晶体单元在特定条件下工作的温度范围。
负载电容:负载电容(CL)是振荡器对两个晶体端子的总电容量。当晶体在并联模式下使用时,需要指定负载电容。CRYSTEK晶振,贴片晶振,CCSS-945晶振,正弦波时钟振荡器
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