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Fujicom晶振,贴片晶振,FPO-700晶振,SMD型LVPECL输出晶振

频率：13.5MHz-312.5MＨz

尺寸：7.0*5.0*1.7mm

小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.

咨询热线：0755-27872782

Fujicom晶振,贴片晶振,FPO-700晶振,SMD型LVPECL输出晶振， 2000年7月

台湾yangtec electronics corp。与Fujicom晶振品牌的销售合同。

2001年1月

“水晶震动”自动检测装置。

2005年8月

传输法水晶振荡器自动检查装置。

2008年6月

韩国将在国内销售kec和kec制的半导体。

10月

参展东京商务峰会。

开始销售led灯。

12月

开始销售高压薄膜电容器。

2011年12月

高电压薄膜电容器lcr产品引进。

2012年7月

东芝产半导体开始销售。

2013年1月

软件委托开发开始。

5月

总公司新办公室改建迁移。

10月

shoprider的电动汽车开始销售。

2014年7月

小规模事业者可持续发展补助金。

2015年5月

㈱ぱるぱる产电动卡丁车“パルパル”开始销售。

富士com有限公司于2013年创立20期，创立20周年，Fujicom晶振,贴片晶振,FPO-700晶振,SMD型LVPECL输出晶振 TH-1 890

贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压，内部集成了相应IC与电容电阻，需要在净化万级车间生产，并且在密封机器设备中焊接加盖，内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。

1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；

2.使组件在真空下电阻减小；

3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一

小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD晶振高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.Fujicom晶振,贴片晶振,FPO-700晶振,SMD型LVPECL输出晶振 TH-2 890

Fujicom晶振规格	单位	FPO-700晶振频率范围		石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	13.5MHz-312.5MＨz	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C to +85°C	裸存
工作温度	T_use	-10°C to +70°C	标准温度
激励功率	DL	1.0μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10-6 (标准), (±20 × 10-6 ～ ±100 × 10-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息,/
频率温度特征	f_tem	±50 × 10-6/25°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	15PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±3 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

TH-3 890

FPO-700

TH-4 890

介绍，Fujicom晶振,贴片晶振,FPO-700晶振,SMD型LVPECL输出晶振

正确的去耦，旁路和电源噪声降低在许多应用中非常重要，以确保振荡器的最佳性能。一种常见的策略是将电容器放置在印刷电路板（PCB）上的高速器件附近。这种电容器有两个重要功能：

为组件提供瞬时电流

减少通过系统的噪音传播

将电源噪声分流至GND以下各节描述单端和差分器件的去耦，旁路，噪声抑制和电源条件建议。

解耦

诸如时钟晶体振荡器之类的快速开关器件对电源提出了很高的要求。高时钟速率加上快速上升时间（通常在1 ns范围内）使电源很难及时获得所需电流。结果，器件的电源电压会下降。为确保器件始终提供足够的电荷量，需要安装去耦电容器，以充当本地储存器。

建议在振荡器的VDD引脚和接地层之间为单端和差分器件使用0.1uF陶瓷去耦电容。图1和图2显示了具有0603尺寸，0.1uF去耦电容C的4引脚振荡器的示例布局。图1和图2所示的所有迹线都需要用阻焊层覆盖。时钟的引脚1可用于支持输出使能，待机，扩展禁用或VCMO控制等功能。Fujicom晶振,贴片晶振,FPO-700晶振,SMD型LVPECL输出晶振 TH-6 890