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GED晶振,6G卫星晶振,SMD100.3C(E/D)-30.000MHz四脚晶振

频率:30MHz

尺寸:7050mm

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TH-1 890

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TH-2 890

GED晶振,6G卫星晶振,SMD100.3C(E/D)-30.000MHz四脚晶振

电气参数
频率范围 1.0  to 133.000MHz
频率容差 ±20ppm
±25ppm
±50ppm
±100ppm
工作温度 0°C   to  +70°C or –40°C   to 85°C
储存温度范围 -55 ~ +125°C
电源电压 +5.0VDC  ±10%
输入电流 1.000MHz to 32.000MHz      20mA Max
33.000MHz to 49.000MHz    45mA Max
50.000MHz to 69.000MHz    50mA Max
70.000MHz to 133.000MHz  100mA Max
对称性 50±10% Standard,  50±5% Available
上升/下降时间 5nSeconds Typical, 10nSeconds Max
5nSeconds Typical, 10nSeconds Max
输出电平 VOL : 0.4V Max    VOH : +2.4V Min
VOL : 0.5V Max    VOH : VDD – 0.5V Min
输出负载 CMOS, compatible, 1~10TTL Gates
引脚1选项 No connection  Enable/Disable (Tristate)
TH-3 890

GED晶振,6G卫星晶振,SMD100.3C(E/D)-30.000MHz四脚晶振

SMD100

SMD100

TH-6 890

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