MERCURY晶振,贴片晶振,M43T晶振,温度补偿型CMOS输出晶振
频率:1.25 MHz - 156.0 MHz
尺寸:11.4 x 9.6 x 3.0 mm
11.4 x 9.6 x 3.0 mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
MERCURY晶振,贴片晶振,M43T晶振,温度补偿型CMOS输出晶振, MERCURY电子实业有限公司成立于40多年前,1973年成为台湾首家石英晶体频率控制 产品制造商。
作为石英水晶振子行业的先驱,美科利通过研发许多新型尖端产品,不断满足市场需求。这些高精度产品中的许多都符合非常严格和精确的规格,并且它们也可用于微型表面贴装封装。频率范围从 低KHz到800MHz。
质量在美科利是首屈一指的,确保每批产品都能满足从空间技术,电信到消费电子产品等各种应用所需的标准。
水星致力于保持高质量 标准通过不断改进他们的制造技术并保持他们的新产品开发。
美科利电子工业股份有限公司---台湾台北
•成立于1973年,
自豪地成为台湾晶体工业的先驱。
•公司总部和批量生产设施。
• 通过ISO 9001:2008认证。
质量管理体系
• ISO 14001:2004认证
环境管理体系
•销售区域:亚洲,中东,非洲和欧洲,MERCURY晶振,贴片晶振,M43T晶振,温度补偿型CMOS输出晶振
有源石英晶振,无论是温补晶体也好,压控晶振也罢,产品均采用了,离子刻蚀调频技术,比目前一般使用的真空蒸镀方式调频,主要在产品参数有以下提升:
1.微调后调整频率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;
2.产品的激励功率相关性参数有大幅提升;
3.产品的长期老化率可保证在±2ppm之内
11.4 x 9.6 x 3.0 mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.MERCURY晶振,贴片晶振,M43T晶振,温度补偿型CMOS输出晶振
MERCURY晶振规格 |
单位 |
M43T晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
|
标准频率 |
f_nom |
1.25 MHz-156.0 MHz |
标准频率 |
|
储存温度 |
T_stg |
-40°C to +85°C |
裸存 |
|
工作温度 |
T_use |
0°C to +50°C |
标准温度 |
|
激励功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
|
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息, / |
|
频率温度特征 |
f_tem |
±20 × 10-6/25°C |
超出标准的规格请联系我们. |
|
负载电容 |
CL |
18PF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
|
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
|
频率老化 |
f_age |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
Cstray可能从2pF到6pF不等。MERCURY晶振,贴片晶振,M43T晶振,温度补偿型CMOS输出晶振
可拉性:在并联谐振晶体中,频率随负载电容CL的变化而变化。可调性是并联电容Co运动电容C1和晶体尺寸的函数。
绝缘电阻:晶体引线之间或引线与外壳(金属外壳)之间的电阻。它在100V±15V的直流电压下测试,绝缘电阻在500莫姆范围内。
串联谐振:当谐振时阻抗最小时发生串联谐振。其串联谐振的等效电路是一个电阻。
品质因数:是运动电感,谐振频率和ESR的质量函数。典型的范围是从十几到几百。
晶体等效电路
示出了石英晶体的等效电路以解释控制晶体特性和性能的基本元素。它由运动电容C1,电感L1,串联电阻R1和分路电容C0组成。前三个参数被称为石英晶体元件的“运动参数”。
陶瓷谐振器应用说明
一般描述
为什么陶瓷谐振器?在精度方面,陶瓷谐振器位于石英晶体振荡器和LC / RC振荡器之间。它们相当小,无需调整,启动时间更短,成本更低。
封装:陶瓷谐振器带有标准的单列直插式封装(ZTA,ZTB和ZTT),或者带有内置电容器的3引脚(ZTTS,ZTTCV)。
性质:陶瓷谐振器的振荡取决于与其压电晶体结构相关的机械谐振。这些材料(通常是钛酸钡或锆钛酸铅)具有较大的偶极子运动,这通过施加的电场引起晶体的变形或生长。
频率范围:可用频率范围从190 kHz到50 MHz不等。
频率稳定度:在温度范围内(即-20oC至+ 80oC),与25o C的测量频率相比,最大允许频率偏差。典型的稳定性为±0.3%(±3000ppm)。
频率允差:室温下允许的额定频率偏差。频率容差以百分比表示,典型值为±0.5%或百万分率(ppm),±5000ppm。
谐振阻抗:晶体在工作谐振电路中的阻抗值。
老化:相对频率在一段时间内发生变化。这种频率变化率通常是指数性的。通常情况下,10年内的老化率为±0.5%。
负载电容:负载电容(CL)是通过两个谐振器端子查看电路时振荡器所表现的电容量。负载电容用一对C1和C2表示,默认值见表格。
等效电路:它的等效电路类似于石英晶体谐振器等效电路,即由并联CO电容并联的串联L1,C1,R1电路组成。标准ZTAS-MG-4.00MHz的典型参数如下:L - 330uH,Cl - 5pF,C0 - 40pF和Q?900。MERCURY晶振,贴片晶振,M43T晶振,温度补偿型CMOS输出晶振
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