MERCURY晶振,贴片晶振,M572T晶振,7050台产晶振
频率:1.25 MHz - 156.0 MHz
尺寸:7.0 x 5.0 x 2.5 mm
MERCURY晶振,贴片晶振,M572T晶振,7050台产晶振, MERCURY电子实业有限公司成立于40多年前,1973年成为台湾首家石英晶体频率控制 产品制造商。
作为石英水晶振子行业的先驱,美科利通过研发许多新型尖端产品,不断满足市场需求。这些高精度产品中的许多都符合非常严格和精确的规格,并且它们也可用于微型表面贴装封装。频率范围从 低KHz到800MHz。
质量在美科利是首屈一指的,确保每批产品都能满足从空间技术,电信到消费电子产品等各种应用所需的标准。
水星致力于保持高质量 标准通过不断改进他们的制造技术并保持他们的新产品开发。
美科利电子工业股份有限公司---台湾台北
•成立于1973年,
自豪地成为台湾晶体工业的先驱。
•公司总部和批量生产设施。
• 通过ISO 9001:2008认证。
质量管理体系
• ISO 14001:2004认证
环境管理体系
•销售区域:亚洲,中东,非洲和欧洲,MERCURY晶振,贴片晶振,M572T晶振,7050台产晶振
石英晶体振荡器在设计时就与各款型号IC匹配等相关技术,使用IC与晶片设计匹配技术:是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题。在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外,还有石英晶体振荡器的电极设计等有它的特殊性,必须考虑振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数。
贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.MERCURY晶振,贴片晶振,M572T晶振,7050台产晶振
MERCURY晶振规格 |
单位 |
M572T晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
|
标准频率 |
f_nom |
1.25 MHz - 156.0 MHz |
标准频率 |
|
储存温度 |
T_stg |
-40°C to +85°C |
裸存 |
|
工作温度 |
T_use |
0°C to +50°C |
标准温度 |
|
激励功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
|
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息, / |
|
频率温度特征 |
f_tem |
±20 × 10-6/25°C |
超出标准的规格请联系我们. |
|
负载电容 |
CL |
15PF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
|
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
|
频率老化 |
f_age |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
晶体振荡器术语及应用说明,MERCURY晶振,贴片晶振,M572T晶振,7050台产晶振
标称频率:晶体振荡器的中心或标称输出频率。
封装:晶体振荡器从引脚通孔到表面贴装类型封装成各种类型。各种尺寸和功能适用于不同的应用。
频率容差:在室温下以百万分率(ppm)表示的与标称频率的偏差。(25°±5°C)
频率范围:振荡器类型或型号可提供的频段。
频率稳定度:相对于在温度窗口25°C时测得的频率(即0°C至+ 70°C)的最大允许频率偏差。典型稳定度为±0.01%(±100 ppm)。
工作温度:输出频率和其他电气,环境特性符合规格的温度范围。
老化:相对频率在一段时间内发生变化。这种频率变化率通常是指数性的。通常情况下,最多1年的老化率为±5 ppm。
存储温度:在不损坏或改变设备性能的情况下安全存放设备的温度范围(未施加电源电压)。
频率与电源变化:当电源电压在指定限制内变化时,允许的最大频率变化(典型值±10%Vcc或±5%变化)。
电源电压(Vdd max):可以安全施加到Vcc端子相对于地的最大电压。TTL的最大电源电压为5.5V,HCMOS的最大电源电压为6V。
输入电压(VIN):可安全施加到振荡器任何输入端的最大电压。
输出高电压(VOH):正常负载下振荡器输出端的最小电压。
输出低电压(VOL):适当负载下振荡器输出端的最大电压。
电源电流(Icc):流入Vcc端子的电流相对于地。典型的电源电流在无负载情况下测量
对称或占空比:输出波形在特定电平(TTL为1.4V,HCMOS为1 / 2Vcc或ECL为1/2波形峰值电平)时的对称性。
SYM = TH / T×100(%); 参见图1。
上升时间(Tr):在指定电平(HCMOS,ECL为20%至80%,TTL为0.4V至2.4V)下,从低电平到高电平转换的波形上升时间。
下降时间(Tf):在特定电平(HCMOS,ECL为80%至20%,TTL为2.4V至0.4V)下测量的从高电平到低电平转换的波形下降时间。MERCURY晶振,贴片晶振,M572T晶振,7050台产晶振
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