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MTRONPTI晶振,石英晶振,M3H晶振,MH晶振

频率：1.5-100MHZ,1.0-80MHZ

尺寸：13.2*13.2*6.35mm,13.2*13.2*5.97mm

普通石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机告诉安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

咨询热线：0755-27872782

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MTRONPTI晶振,石英晶振,M3H晶振,MH晶振， MtronPTI于1965年成立于雷达，为高可靠性/高性能应用设计和制造定制RF和微波解决方案。2004年成立，由M-tron Industries，Inc.收购Piezo

Technology，Inc. MtronPTI是LGL Group，Inc.的全资子公司。

2014年 - 开关滤波器，V和E波段波导滤波器，仪器OCXO

更宽的频率范围，更低的漂移，更低的g灵敏度以及添加两条新产品线：固态功率放大器至20 GHz以及毫米波滤波器至90 GHz

2013 - M618x 3.2 x 5.0mm Stratum 3 TCXO

2012 - AS9100 Rev C认证

2012年 - 100MHz低噪声OCXO

适用于仪器仪表，点对点或点对多点微波以及雷达应用的XO5085系列100MHz低相位噪声OCXO。

2012年 - 数字RF线 - 数字调谐滤波器

用于数字无线电，软件无线电，认知无线电的数字调谐滤波器...具有更高的可靠性，更大的覆盖范围和更高的数据容量。

2010年 - 上海销售和服务办公室

本地市场和全球制造基地的销售客户服务中心。

2009年 - GPS纪律振荡器

M9107是一款非常小巧的设备，专为满足军事环境要求，定时系统需求（包括保持时间）而设计，非常适合手提包，车载和机载应用。

2009年 - M2052系列井下钻井XO - 至200°C

2007 - 腔体滤波器

空腔滤波器有1 GHz 300瓦至26极双工器至7 GHz空间以及介质负载滤波器。

2007 - M610 Stratum 3 TCXO

2007 - 用于军事和航空电子设备的QPL MIL-PRF-55310振荡器

作为军用和航空电子市场扩展的一部分引入的MIL-PRF-55310振荡器的QPL（合格产品列表）：通信，雷达和仪器应用。

2006年 - QiK芯片振荡器和VCXO的1.4GHz

为通信和商业应用推出高性能振荡器和VCXO产品。专有技术为行业领先的快速原型和生产响应时间。

2003年 - 在荷兰埃因霍温的欧洲销售办事处

2002年 - 收购冠军 - 业界领先的VCXO技术，MTRONPTI晶振,石英晶振,M3H晶振,MH晶振 TH-1 890

高精度的石英晶体谐振器，是需要在生产前期的各道工序就得采用严格的标准，比如电阻的测量技术：引进一批先进的检测仪器，准确度达到±1ppm（国标标准）。在测量应用上制定一套标准的测量方法保证测量的准确性、仪器的精度、测试的一致性。

如下方面都会对测量结果带来影响：

1、测试针本身连接的可靠性；

2、测试针同测试管的连接性；

3、测试板同测试针的接触问题；

4、测试座同电缆的连接；

5、小负载的规格测量的规定；

6、测试板π头上空测其C0值(保留3位以上小数)；

7、测量环境、操作方法等管制。

普通石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机告诉安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.MTRONPTI晶振,石英晶振,M3H晶振,MH晶振 TH-2 890

MTRONPTI晶振规格	单位	M3H晶振,MH晶振频率范围		石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	1.5-100MHZ,1.0-80MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-55°C to +125°C	裸存
工作温度	T_use	-0°C to +70°C	标准温度
激励功率	DL	1.0μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (标准), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息, /
频率温度特征	f_tem	±50 × 10^-6/25°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	12.5PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±3 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年