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CTS晶振,贴片晶振,407晶振,407F35E036M0000晶振

频率:6-133MHZ

尺寸:7.0.*5.0*1.2mm

我公司具体解决的办法是使用高速倒边方式,通过结合以往低速滚筒倒边去除晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理。

咨询热线:0755-27872782

CTS-2

    CTS晶振,贴片晶振,407晶振,407F35E036M0000晶振在大萧条时期,对便宜的台式收音机的需求增加了,而芝加哥电话供应公司则以更低成本和稳定的碳组成可变电阻器的发展作为回应,这有助于降低无线电元件的成本。在这段时间里,晶振公司从一个生产成品(电话和交换机)的制造商发展成一个部件制造商。

    二战期间,美国陆军需要一个链接到前线部队,所以芝加哥电话供应公司集成电话和无线电组件技术开发RM-29远程电话字段设置。陆军/海军生产卓越奖了去芝加哥的电话供应公司杰出的战时生产超过300000电话RM-29字段。然后,在回答一个请求从麻省理工学院(MIT)辐射实验室,工程师致力于创建RLB€“雷达的精密电位计单位。这项新技术使盟军能够执行夜间空袭任务,这对缩短战争至关重要。在以后的几年,和平时期的RLB应用包括空中交通安全、增强天气预报和医疗诊断。CTS晶振,贴片晶振,407晶振,407F35E036M0000晶振TH-1 890

   贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,石英晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

    我公司具体解决的办法是使用高速倒边方式,通过结合以往低速滚筒倒边去除晶振晶体片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理。CTS晶振,贴片晶振,407晶振,407F35E036M0000晶振TH-2 890

CTS晶振规格

单位

407晶振频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

6-133MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-40°C +85°C

裸存

工作温度

T_use

-20°C +70°C

标准温度

激励功率

DL

200μW Max.

推荐:1μW 100μW

频率公差

f_— l

±50 × 10-6 (标准),
(±15 × 10-6 
±50 × 10-6 可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,/

频率温度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

不同负载电容要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

频率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

TH-3 890

407 7050 规格参数图

407 7050TH-4 890

    石英晶体振荡器和实时时钟模块,CTS晶振,贴片晶振,407晶振,407F35E036M0000晶振

    所有晶体振荡器和实时时钟模块都以IC形式提供。

    噪音

    在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象。

    电源线路

    电源的线路阻抗应尽可能低。

    输出负载

    建议将输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方(在20 mm范围之间)。

    未用输入终端的处理

    未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作。同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加;因此,请将未用输入终端连接到VCC 或GND。

    热影响

    重复的温度巨大变化可能会降低受损害的晶体单元的产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿。必须避免这种情况。

    安装方向

    振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确。

    通电

    不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作。CTS晶振,贴片晶振,407晶振,407F35E036M0000晶振TH-6 890

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小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

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