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KDS晶振,贴片晶振,DSB535SD晶振,有源进口晶振,1XTR25000VAA

频率：9.6-40MHz

尺寸：5.0*3.2*1.05mm

贴片晶振采用了多层、"1XTR25000VAA"多金属的溅射镀膜技术：是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序，镀膜的工艺方法（如各镀材的功率设计等）。使用此镀膜方法使镀膜后的附着力增强，频率更加集中，那么如何把晶片能控制在1000ppm之内呢。

咨询热线：0755-27872782

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KDS晶振,贴片晶振,DSB535SD晶振,有源进口晶振,"1XTR25000VAA"1970年在东京办事处开业。

1973年开设kurodasho厂（现在的西胁工厂）生产晶体管。

1974年开设川厂（现在的凉厂）是目前人造石英晶体，（SPXO）普通晶体振荡器,(TCXO)温补晶体振荡器,(OCXO)恒温晶体振荡器等生产规模最大的。

1976年开设宫崎厂（目前九州大真空公司）为音叉型石英晶体谐振器生产，在加古川市完成新总部。

1977年成立和谐电子公司建立大真空（美国）有限公司开始向美国市场供应晶体谐振器。

1980年开设鸟取工厂（目前鸟取生产部）对石英晶体谐振器生产增加。同年开始生产石英晶体滤波器和时钟晶振。

1981年建立大真空（香港）公司开始提供音叉型石英晶体谐振器，石英晶体振荡器,有源晶振的香港和中国市场。

1983年大阪证券交易所二期上市。

1984年独立完成中心实验室，开设德岛工厂（目前德岛生产部）作为人造石英晶体的稳定的生产基地，部分设备和石英谐振器，开始大规模生产光学低通滤波器。

1985年打开德岛第二厂开始生产陶瓷产品，有源晶振,压控振荡器,陶瓷晶振,声表面谐振器,贴片晶振,陶瓷雾化片打开配送中心在加古川市。KDS晶振,贴片晶振,DSB535SD晶振,有源进口晶振,"1XTR25000VAA" TH-1 890

6035mm，5032mm，4025mm贴片晶振系列，其产品晶体晶片采用了真空退火技术：高真空退火处理是消除在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷。在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线，使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火，通过合理的真空退火技术可提高产品的主要参数的稳定性，提高产品的年老化特性。

智能手机晶振,产品具有高精度超小型的表面贴片型石英晶体振荡器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.KDS晶振,贴片晶振,DSB535SD晶振,有源进口晶振,"1XTR25000VAA" TH-2 890

KDS晶振规格	单位	DSB535SD晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	9.6-40MHz	标准频率
储存温度	T_stg	−40-＋125℃	裸存
工作温度	T_use	−30-＋85℃	标准温度
激励功率	DL	100μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±20×10−6(at 25℃）	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,/
频率温度特征	f_tem	±100×10−6/−40～+125℃ (Ref. to 25℃ )	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF, 10pF, 12pF	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

TH-3 890

DSB535SD (TCXO)

TH-4 890

超声波清洗，KDS晶振,贴片晶振,DSB535SD晶振,有源进口晶振

（1）使用AT-切割石英晶体和表面声波（SAW）谐振器/声表面滤波器的产品，可以通过超声波进行清洗。但是，在某些条件下，晶体特性可能会受到影响，而且内部线路可能受到损坏。确保已事先检查系统的适用性。

（2）使用音叉晶振和陀螺仪传感器的产品无法确保能够通过超声波方法进行清洗，因为晶体可能受到破坏。

（3）请勿清洗开启式产品

（4）对于可清洗产品，应避免使用可

请勿用镊子或任何坚硬的工具，夹具直接接触IC的能对产品产生负面影响的清洗剂或溶剂等。

（5）焊料助焊剂的残留会吸收水分并凝固。这会引起诸如位移等其它现象。这将会负面影响产品的可靠性和质量。请清理残余的助焊剂并烘干PCB。

操作

表面。

使用环境（温度和湿度）

请在规定的温度范围内使用产品。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下，会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。

晶体单元/石英晶体谐振器

激励功率

在晶体单元上施加过多驱动力，会导致产品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率（请参阅“激励功率”章节内容）。

负极电阻

除非振荡回路中分配足够多的负极电阻，否则振荡或振荡启动时间可能会增加（请参阅“关于振荡”章节内容）。

负载电容

振荡电路中负载电容的不同，可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整，可能只会导致不正常的振荡。在使用之前，请指明该振动电路的负载电容（请参阅“负载电容”章节内容）。KDS晶振,贴片晶振,DSB535SD晶振,有源进口晶振,"1XTR25000VAA" TH-6 890

联系方式/CONTACT US

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DSB535SD晶振有源进口晶振 1XTR25000VAA

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