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KDS晶振,贴片晶振,DSR1612ATH晶振,1612有源晶振

频率：38.4 MHz

尺寸：1.64*1.24*0.65mm

普通石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机告诉安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

咨询热线：0755-27872782

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KDS晶振,贴片晶振,DSR1612ATH晶振,1612有源晶振。日本株式会社大真空晶振总公司设立在日本国兵库县加古川市平冈町新在家，创业时间为1959年11月3日,正式注册成立是在1963年5月8日,当时注册资金高达321亿日元之多,主要从事电子元件石英晶振以及电子设备生产销售一体化,包括晶体谐振器，音叉型晶体谐振器，晶体应用产品，晶体振荡器，晶体滤波器，晶体光学产品，硅晶体时钟设备，MEMS振荡器等。

大真空株式会社KDS晶振自1959年建立以来一直遵从的三个理念“依赖”于“可靠的人”“可靠的产品”和“可靠的公司”。作为全球石英晶振制造商，大真空KDS晶振努力帮助实现新一代电子社会，更方便人们更舒适，通过开发石英晶振, 压控晶体振荡器（VCXO）、温补晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO）、陶瓷谐振器等晶体器件对全球环境友好。KDS晶振,贴片晶振,DSR1612ATH晶振,1612有源晶振 TH-1 890

高精度的KDS石英晶体谐振器，是需要在生产前期的各道工序就得采用严格的标准，比如电阻的测量技术：引进一批先进的检测仪器，准确度达到±1ppm（国标标准）。在测量应用上制定一套标准的测量方法保证测量的准确性、仪器的精度、测试的一致性。如下方面都会对测量结果带来影响：1、测试针本身连接的可靠性；2、测试针同测试管的连接性；3、测试板同测试针的接触问题；4、测试座同电缆的连接；5、小负载的规格测量的规定；6、测试板π头上空测其C0值(保留3位以上小数)；7、测量环境、操作方法等管制。

普通石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机告诉安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.KDS晶振,贴片晶振,DSR1612ATH晶振,1612有源晶振 TH-2 890

KDS晶振规格	单位	DSR1612ATH晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	38.4 MHz	标准频率
储存温度	T_stg	−40-＋125℃	裸存
工作温度	T_use	−30-＋85℃	标准温度
激励功率	DL	100μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±20×10−6(at 25℃）	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,/
频率温度特征	f_tem	±100×10−6/−40～+125℃ (Ref. to 25℃ )	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF, 10pF, 12pF	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

TH-3 890

DSR1612ATH

TH-4 890

32.768K存储事项，KDS晶振,贴片晶振,DSR1612ATH晶振,1612有源晶振

(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶体产品时，会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些晶体产品，并在开封后尽可能进行安装，以免长期储藏。

正常温度和湿度：

温度：+15°C 至 +35°C，湿度 25 % RH 至 85 % RH（请参阅“测试点JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的标准条件”章节内容）。

(2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。

安装时注意事项

耐焊性

加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接晶体产品，建议使用SMD产品。在下列回流条件下，对晶体产品甚至SMD产品使用更高温度，会破坏产品特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些产品之前，应检查焊接温度和时间。同时，在安装条件更改的情况下，请再次进行检查。如果需要焊接的晶体产品在下列配置条件下进行焊接，请联系我们以获取耐热的相关信息。

?（1）32.768KHZ柱面式产品和DIP产品

型号焊接条件

[ 柱面式 ]

C-类型，C-2-类型，C-4-类型 +280°C或低于@最大值5 s

请勿加热封装材料超过+150°C

[ 柱面式 ]

CA-301

[ DIP ]

SG-51 / 531, SG-8002DB DC,

RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s

请勿加热封装材料超过+150°C

(2)SMD晶振产品回流焊接条件（实例）