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Golledge晶振,贴片晶振,GSX-7A晶振,6035陶瓷面SMD晶振

频率：12.0-67.0MHz

尺寸：6.2*3.7*1.4mm

小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

咨询热线：0755-27872782

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Golledge晶振,贴片晶振,GSX-7A晶振,6035陶瓷面SMD晶振，高利奇晶振公司自1990年我们成立以来,一直享有空前的成功.经过多年的持续增长,高利奇公司晶振现在是英国领先的频率控制产品供应商.这一增长是通过保持我们对客户的需求以及努力达到并超越他们的努力来实现的.高利奇公司晶振总部位于英格兰西南部腹地的一个美丽的农场建筑,向全世界50多个国家出口,占收入的60%以上.

高利奇晶振公司是全球电子工业生产频率控制产品的主要供应商.所生产的产品范围包括:

石英晶体,振荡器,实时时钟,温补晶振,压控晶振,温控晶振,水晶过滤器,(表面声波)设备等.产品广泛应用于电子工业,包括电信、卫星、微处理器、航空航天、汽车、仪表和医疗应用.

高利奇晶振公司专业和高效的方法使之成为世界上许多领先的电子oem和CEMs的首选供应商.专用IT人员确保操作得到最高质量和安全系统的支持.高利奇是英国增长最快的压电石英晶体元器件、压电石英晶体、有源晶体频率产品供应商.我们在竞争市场上的持续成功是对我们产品质量和卓越服务的敬意.电子和技术相关产业正在迅速发展.在技术进步和商业世界的发展中,高利奇有足够的资源和灵活性来支持客户的需求.Golledge晶振,贴片晶振,GSX-7A晶振,6035陶瓷面SMD晶振 TH-1 890

小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术

1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；

2.使组件在真空下电阻减小；

3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..Golledge晶振,贴片晶振,GSX-7A晶振,6035陶瓷面SMD晶振 TH-2 890

golledge晶振	单位	GSX-7A晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	12.0-67.0MHz	标准频率
储存温度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C ~+85°C	标准温度
激励功率	DL	0.5μW Max.	推荐:0.5μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±20 × 10-6 (标准), (±20× 10-6 , ±100 × 10-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-40°C ~+85°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	4pF ~12.5pF	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C ~ +125°C, DL = 0.5μW
频率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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GSX7

存储事项，Golledge晶振,贴片晶振,GSX-7A晶振,6035陶瓷面SMD晶振

(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶体产品时，会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些晶体产品，并在开封后尽可能进行安装，以免长期储藏。

正常温度和湿度：

温度：+15°C 至 +35°C，湿度 25 % RH 至 85 % RH（请参阅“测试点JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的标准条件”章节内容）。

(2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。

安装时注意事项

耐焊性

加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接晶体产品，建议使用SMD产品。在下列回流条件下，对晶体产品甚至SMD产品使用更高温度，会破坏产品特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些产品之前，应检查焊接温度和时间。同时，在安装条件更改的情况下，请再次进行检查。如果需要焊接的晶体产品在下列配置条件下进行焊接，请联系我们以获取耐热的相关信息。

?（1）柱面式产品和DIP产品

型号焊接条件

[ 柱面式 ]

C-类型，C-2-类型，C-4-类型 +280°C或低于@最大值5 s

请勿加热封装材料超过+150°C

[ 柱面式 ]

CA-301

[ DIP ]

SG-51 / 531, SG-8002DB DC,

RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s

请勿加热封装材料超过+150°C

(2)SMD晶振产品回流焊接条件（实例）