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京瓷晶振,贴片晶振,KC3225A-C3晶振,KC3225A25.0000C30E00晶振

频率：1.5-125MHZ

尺寸：3.2*2.5*0.89mm

压控温补晶体系列，VC-TCXO产品内部晶片焊接模式采用了，高精密点胶技术：晶片胶点的位置、大小：位置准确度以及胶点大小一致性，通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内。

咨询热线：0755-27872782

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京瓷晶振,贴片晶振,KC3225A-C3晶振,KC3225A25.0000C30E00晶振。为打造能让客户满意的质量，京瓷晶振集团制定了“京瓷晶振质量方针”。所有业务均根据该京瓷晶振品质方针来开展，力争成为全球信赖的企业。另外，从计划阶段着手，致力于为客户提供满意的产品。

京瓷晶振质量方针：

1.优先考虑地球环境与产品安全。

2.坚持客户第一原则，提供富有魅力的产品与服务。

3.从最初开始，正确地工作，成为全球质量领军企业。 TH-1 890

具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度：最高1.0 mm,体积：0.007 cm3,重量：0.024g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.（可对应回流焊）无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.目前的VC-TCXO采用了离子刻蚀调频技术：比目前一般使用的真空蒸镀方式调频，主要在产品参数有以下提升：１.微调后调整频率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.产品的激励功率相关性参数有大幅提升；３.产品的长期老化率可保证在±2ppm之内,京瓷晶振,贴片晶振,KC3225A-C3晶振,KC3225A25.0000C30E00晶振 TH-2 890

Kyocera晶振规格	单位	KC3225A-C3晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	1.5-125MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	−40-＋85℃	裸存
工作温度	T_use	−10-＋70℃	标准温度
激励功率	DL	100μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±20×10−6(at 25℃）	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,/
频率温度特征	f_tem	±100×10−6/−40～+125℃ (Ref. to 25℃ )	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF, 10pF, 12pF	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

TH-3 890

KC3225A_C2_3.2_2.5

TH-4 890

晶振存储事项，京瓷晶振,贴片晶振,KC3225A-C3晶振,KC3225A25.0000C30E00晶振

(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶体产品时，会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些晶体产品，并在开封后尽可能进行安装，以免长期储藏。

正常温度和湿度：

温度：+15°C 至 +35°C，湿度 25 % RH 至 85 % RH（请参阅“测试点JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的标准条件”章节内容）。

(2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。

安装时注意事项

耐焊性

加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接晶体产品，建议使用SMD产品。在下列回流条件下，对晶体产品甚至贴片晶体产品使用更高温度，会破坏产品特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些产品之前，应检查焊接温度和时间。同时，在安装条件更改的情况下，请再次进行检查。如果需要焊接的晶体产品在下列配置条件下进行焊接，请联系我们以获取耐热的相关信息。

?（1）柱面式产品和DIP产品

型号焊接条件

[ 柱面式 ]

C-类型，C-2-类型，C-4-类型 +280°C或低于@最大值5 s

请勿加热封装材料超过+150°C

[ 柱面式 ]

CA-301

[ DIP ]

SG-51 / 531, SG-8002DB DC,

RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s

请勿加热封装材料超过+150°C

(2)SMD晶振产品回流焊接条件（实例）