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Shenzhen TH Technology Co. Ltd.

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爱普生晶振,温补晶振,TG5032CGN晶振,10脚位CMOS出力压控温补振荡器
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爱普生晶振,温补晶振,TG5032CGN晶振,10脚位CMOS出力压控温补振荡器

频率：10 MHz - 40 MHz

尺寸：5.0 × 3.2 × 1.45 mm

5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,该产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
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APS-1

    爱普生株式会社EPSON晶振,爱普生拓优科梦,(EPSON — YOCOM)1942年成立时是精工集团的第三家手表制造公司,以石英手表起家的爱普生公司到后续的生产压电石英晶振, 晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器, 压控晶体振荡器（VCXO）、温补晶体振荡器（TCXO）。1996年2月在中国苏州投资建厂,在当时员工人数就达2000人,总投资4.055亿美元,公司占地200亩,现已经是世界500强企业。爱普生晶振,温补晶振,TG5032CGN晶振,10脚位CMOS出力压控温补振荡器

    日本精工爱普生晶振接受了中国苏州政府2007 年的招商引资,命名为【爱普生拓优科梦水晶元器件(苏州)有限公司】  爱普生拓优科梦(Epson Toyocom)是精工爱普生株式会社与爱普生进口晶振(中国)有限公司共同投资成立的有限责任公司(外商合资)。TH-1 890

    爱普生晶振,温补晶振,TG5032CGN晶振,10脚位CMOS出力压控温补振荡器,贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅。

    对同一规格产品 MASK 大、C0 大、电阻小。MASK 小、C0 小、电阻大。对有特殊要求（如 C0、C1、C0/C1、TS 等）的产品，在计算和试验的基础上选用合适的 MASK。对高频产品（尤其是高频 Fund）Mask 大，产品容易产生寄生。贴片晶振离子刻蚀调频技术：比目前一般使用的真空蒸镀方式调频，主要在产品参数有以下提升：１.微调后调整频率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.产品的激励功率相关性参数有大幅提升；３.产品的长期老化率可保证在±2ppm之内。
TH-2 890

项目

符号

规格说明

条件

输出频率范围

f0

10 MHz - 40 MHz

请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息

电源电压

VCC

3.3V

2.375 V - 3.63 V

储存温度

T_stg

-40℃ to +90℃

裸存

工作温度

T_use

G: -40℃ to +85℃

请联系我们查看更多资料/ 


 

频率稳定度

f_tol

 ±1.0 × 10-6

 +25 °C

功耗

ICC

6.0 mA Max.


待机电流

I_std

2 mA Max.

OE=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC极, L_CMOS ≤ 15 pF

输出电压

VOH

90 % Vcc Min.

 

VOL

10 % Vcc Max.

输出负载条件

L_ECL

15PF Max.

 DC切割电容=0.01 μF

输入电压

VIH

70% VCC Min.

OE 终端(启用电压)

VIL

30% VCC Max.

上升/下降时间

tr / tf

8ns Max.

10 % VCC ~ 90 % VCC 极,负载:15 pF

振荡启动时间

t_str

5.0 ms Max.

在90 % VCC 时，所需时间为0 秒

频率老化

f_aging

±3 × 10-6 / year Max.

+25 °C

XG-2102CA晶振原厂编码表：
X1M0003010002 XG-2102CA 212.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL 0 to 70 °C +/-100 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010003 XG-2102CA 212.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-100 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010004 XG-2102CA 156.250000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-100 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010006 XG-2102CA 100.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL 0 to 70 °C +/-100 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010007 XG-2102CA 100.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL 0 to 70 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA Included in Frequency tolerance 10 years 45 to 55 %
X1M0003010008 XG-2102CA 150.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL 0 to 70 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010009 XG-2102CA 150.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-100 ppm ≤ 60.0 mA Included in Frequency tolerance 10 years 45 to 55 %
X1M0003010010 XG-2102CA 150.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL 0 to 70 °C +/-100 ppm ≤ 60.0 mA Included in Frequency tolerance 10 years 45 to 55 %
X1M0003010011 XG-2102CA 100.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010012 XG-2102CA 133.330000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010013 XG-2102CA 150.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010014 XG-2102CA 156.250000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010015 XG-2102CA 212.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010016 XG-2102CA 156.250000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL 0 to 70 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA Included in Frequency tolerance 10 years 45 to 55 %
X1M0003010017 XG-2102CA 133.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010019 XG-2102CA 125.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010020 XG-2102CA 312.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010021 XG-2102CA 106.250000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010022 XG-2102CA 250.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %
X1M0003010023 XG-2102CA 200.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.20 mm LV-PECL -5 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 60.0 mA +/-10ppm 45 to 55 %

TH-3 890

TG5032CGN SGN

TH-4 890

    超声波清洗，爱普生晶振,温补晶振,TG5032CGN晶振,10脚位CMOS出力压控温补振荡器

    （1）使用AT-切割晶体和表面声波（SAW）谐振器/滤波器的产品，可以通过超声波进行清洗。但是，在某些条件下， 晶体特性可能会受到影响，而且内部线路可能受到损坏。确保已事先检查系统的适用性。

    （2）使用音叉晶体和陀螺仪传感器的产品无法确保能够通过超声波方法进行清洗，因为晶体可能受到破坏。

    （3）请勿清洗开启式产品

    （4）对于可清洗产品，应避免使用可能对产品产生负面影响的清洗剂或溶剂等。

    （5）焊料助焊剂的残留会吸收水分并凝固。这会引起诸如位移等其它现象。这将会负面影响产品的可靠性和质量。请清理残余的助焊剂并烘干PCB。

    操作

    请勿用镊子或任何坚硬的工具，夹具直接接触IC的表面。

    使用环境（温度和湿度）

    请在规定的温度范围内使用产品。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下，会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。

    晶体单元/谐振器

    激励功率

    在晶体单元上施加过多驱动力，会导致产品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 （请参阅“激励功率”章节内容）。

    负极电阻

    除非振荡回路中分配足够多的负极电阻，否则振荡或振荡启动时间可能会增加（请参阅“关于振荡”章节内容）。

    负载电容

    振荡电路中负载电容的不同，可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整，可能只会导致不正常的振荡。在使用之前，请指明该振动电路的负载电容（请参阅“负载电容”章节内容）。爱普生晶振,温补晶振,TG5032CGN晶振,10脚位CMOS出力压控温补振荡器TH-5 890

    爱普生株式会社EPSON高性能TCXO晶振通过追求以QMEMS 技术为核心的“省、小、精”技术,来推动具有领先性的环保活动,把降低 环境负荷作为一种顾客价值提供给顾客。

    创造并提供专研了“省、小、精”的32.768K钟表晶振,温补晶振晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器等水晶元器件及其关联产品；并且构筑和革新既可以降低 环境负荷又可以提高生产性的生产流程的活动。

    爱普生株式会社EPSON日本进口有源晶振不仅遵守与环保相关的法规、条例及其他本公司赞同的要求事项,也根据需要自主性的制定基准,通过持续性的展开环保活动来预防污染。

    在设定环保目的与目标展开活动的同时,定期重审环境管理体系,努力提高环保活动的水平。

    爱普生株式会社EPSON石英温补晶振通过与地区的交流及社会贡献活动，为地区的环保做贡献。

    将环保活动的信息向公司内外公开，积极努力的与地区社会及相关人员建立信赖关系，为社会的发展做出贡献。

    通过此方针的公文化，在向公司员工及从事本事业领域业务的所有相关人员彻底传达的同时，也向公司外部公开。爱普生晶振,温补晶振,TG5032CGN晶振,10脚位CMOS出力压控温补振荡器

爱普生有源MHZ系列晶振规格表：

Model Frequency LxWxH Output Wave Ope Temperature Freq. Tol. I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
TCO-7085 10.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 25.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 27.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 4.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 4.096000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 60.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 12.800000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 19.440000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 13.560000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 35.328000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 62.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 20.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 1.544000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 2.048000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 66.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 25.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS -10 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 25.001400 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS -10 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 50.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS -10 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 10.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS -20 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 15.360000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS -20 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 16.384000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 25.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
TCO-7085 50.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.80 mm CMOS 0 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 20.0 mA +/-5ppm 40 to 60 %
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TG5032CGN晶振 10脚位CMOS出力压控温补振荡器 5032日产TCXO晶振

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