Shinsung晶振,贴片晶振,SX-22晶振,微处理器时钟晶体
频率:10 MHz - 60 MHz
尺寸:2.5*2.0*0.55mm
贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型?薄型是对应陶瓷谐振器(偏差大)和普通的石英晶体谐振器(偏差小)的中间领域的一种性价比较出色的产品.产品广泛用于笔记本电脑,无线电话,卫星导航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合无铅焊接的高温回流焊曲线特性.
Shinsung晶振,贴片晶振,SX-22晶振,微处理器时钟晶体,公司主旨:以顾客为中心,基于价值的管理,人类和谐的价值。我们认为我们的客户是合作伙伴,并努力满足并超越他们对质量,客户服务和价值的要求我们是最新的Smd或通孔型晶体单元,时钟OSC晶振,TCXO晶振,VCXO晶振,MCF等,并提供高产品 质量稳定,稳定性高。产品广泛应用于电子行业,包括电信,微处理器,汽车,仪器仪表和医疗应用。
Shinsung SAW Electronics在新的加工和测试结构设备上的投资确保公司将继续提供卓越的设计,并提供持续的新产品流,以满足客户在当前和未来的需求。我们将继续追求质量管理,为客户提供高品质的石英晶体谐振器产品和服务。Shinsung晶振,贴片晶振,SX-22晶振,微处理器时钟晶体
贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求......
AT切型晶振的晶片厚度为:t= 1670*n/ f 0,BT 切型石英晶振的晶片厚度为:t= 2560*n/ f 0
t: 晶振晶片厚度(mm) f 0 : 晶片标称频率(KHz) n: 泛音次数,晶振的腐蚀技术:用酸液腐蚀掉因研磨而产生的破坏层,消除晶片内应力,同时使石英晶振的晶片达到更准确的目标值。腐蚀频率=(1000*(F/N)+(F 2 /N 2 )*PB)*N,石英晶振的标称频率。如14.318180 MHz,18.432000 MHz, 20.000000 MHz.N: 振动模式 Fund N=1,3Rd N=3,PB:贴片晶振腐蚀反馈系数。一般在 0.5—1.5 之间.频率低系数大,频率高系数小。石英晶振的清洗:清洗掉石英晶振晶片表面的酸液和其它杂质。以被用于制造石英晶体谐振器和石英晶体振荡器。Shinsung晶振,贴片晶振,SX-22晶振,微处理器时钟晶体
Shinsung晶振规格 |
单位 |
SX-22晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
|
标准频率 |
f_nom |
10 MHz - 60 MHz |
标准频率 |
|
储存温度 |
T_stg |
-55℃ - 125℃ |
裸存 |
|
工作温度 |
T_use |
-10ºC - +70ºC |
标准温度 |
|
激励功率 |
DL |
100μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
|
频率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6 (标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息,/ |
|
频率温度特征 |
f_tem |
±20 × 10-6/25°C |
超出标准的规格请联系我们. |
|
负载电容 |
CL |
7 pF - 32 pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
|
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
|
频率老化 |
f_age |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
M级2520石英谐振器的存储事项,Shinsung晶振,贴片晶振,SX-22晶振,微处理器时钟晶体
(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶体产品时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些晶体产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏。
正常温度和湿度:
温度:+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH(请参阅“测试点JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的标准条件”章节内容)。
(2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。
安装时注意事项
耐焊性
加热包装材料至+150°C以上会破坏2520进口贴片晶振产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接晶体产品,建议使用SMD产品。在下列回流条件下,对晶体产品甚至SMD产品使用更高温度,会破坏产品特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些产品之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶体产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。
(1)柱面式产品和DIP产品
型号 焊接条件
[ 柱面式 ] C-类型,C-2-类型,C-4-类型 +280°C或低于@最大值5 s
请勿加热封装材料超过+150°C
[ 柱面式 ] CA-301 [ DIP ] SG-51 / 531, SG-8002DB DC,RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
请勿加热封装材料超过+150°C
(2)SMD手机晶振产品回流焊接条件(实例)
用于JEDEC J-STD-020D.01回流条件的耐热可用性需个别判断。请联系我们以便获取相关信息。
尽可能使温度变化曲线保持平滑。Shinsung晶振,贴片晶振,SX-22晶振,微处理器时钟晶体
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