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KDS晶振,贴片晶振,DSB211SDN晶振,四脚SMD温补晶振,1XXD16367MAA频率：12.288-52MHZ尺寸：2.0*1.6*0.7mm
贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压，"1XXD16367MAA"内部集成了相应IC与电容电阻，需要在净化万级车间生产，并且在密封机器设备中焊接加盖，内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。
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KDS晶振,贴片晶振,DSB211SDNB晶振,温补石英晶振频率：12.288-52MHZ尺寸：2.0*1.6*0.7mm
贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
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KDS晶振,贴片晶振,DSB1612SDNB晶振,工业无线晶振频率：16-60MHZ尺寸：1.6*1.2*0.49mm
压控温补晶体系列，VC-TCXO产品内部晶片焊接模式采用了，高精密点胶技术：晶片胶点的位置、大小：位置准确度以及胶点大小一致性，通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内。
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KDS晶振,贴片晶振,DSB1612SDN晶振,温补有源晶振频率：16-60MHZ尺寸：1.6*1.2*0.49mm
小尺寸的TCXO温补晶振内部晶片焊接模式采用了，高精密点胶技术，晶片胶点的位置、大小：位置准确度以及胶点大小一致性，通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内，确保TCXO晶体产品精度，稳定性能良好发挥功能。
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KDS晶振,贴片晶振,DSB321SCL晶振,低消耗晶振,1XTW12288FAB频率：9.6-52MHZ尺寸：3.2*2.5*0.9mm
小体积有源石英晶体振荡器，"1XTW12288FAB"在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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KDS晶振,贴片晶振,DSB221SCL晶振,TCXO SMD晶振频率：9.6-52MHZ尺寸：2.5*2.0*0.8mm
SMD晶体3225mm尺寸，2520mm,2016mm等尺寸，在生产工艺上采用了高精密点胶技术：晶片胶点的位置、大小：位置准确度以及胶点大小一致性，通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内。
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KDS晶振,贴片晶振,DSB211SCL晶振,19.2MHZ温补晶振频率：13-52MHZ尺寸：2.1*1.7*0.63mm
小尺寸的贴片石英晶振，目前生产上采用了高技术的封装模式，光刻石英晶片技术，并且通过结合以往低速滚筒倒边去除晶片的边缘效应，在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理，有一项不完善都会使晶片的边缘效应不能去除，而晶片的谐振电阻过大，用在电路中Q值过小，从而电路不能振动或振动不稳定。
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KDS晶振,贴片晶振,DSR1612ATH晶振,1612有源晶振频率：38.4 MHz尺寸：1.64*1.24*0.65mm
普通石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机告诉安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
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PLETRONICS晶振,贴片晶振,TCD3晶振,电信传输晶振频率：8.192-40MHZ尺寸：5.0*3.2*1.5mm
5032尺寸贴片晶振系列，在生产时就得对每项生产工艺严格把关，对每项参数做到标准检测，有一项不完善都会使晶片的边缘效应不能去除，而晶片的谐振电阻过大，用在电路中Q值过小，从而电路不能振动或振动不稳定。
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PLETRONICS晶振,贴片晶振,TCA4晶振,全球定位系统晶振频率：10-40MHZ尺寸：7.0*5.0*2.65mm
我公司具体解决的办法是使用高速倒边方式，通过结合以往低速滚筒倒边去除晶片的边缘效应，在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理。
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PLETRONICS晶振,贴片晶振,NCF4晶振,基站晶振频率：10-40MHZ尺寸：2.0 x 2.5 x 1.0 mm
那么贴片晶振产品的点击又是怎么回事呢？产品的电极对于晶体来讲，主要是，改变频率，往外引出电极，改变阻抗，去掉杂波，贴片晶体的晶片有镀金镀银等区别，各项镀层也会对产品的频率发生一定的改变，因此电极的设计会使晶振的精度产生更高的要求。
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PLETRONICS晶振,贴片晶振,NCE4晶振,地震勘探用晶振频率：10-40MHZ尺寸：2.5 x 3.2 x 1.0 mm
随着科技数码产品的小型化发展，晶体元件的尺寸也从最初的插件庞大体积演变成目前的多种规格SMD小尺寸趋势，目前晶体内部的石英晶片已经达到了+-0.002mm以内了，由于很多晶振厂家在生产小尺寸时所产生的问题
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京瓷晶振,贴片晶振,KT7050晶振,KT7050A20000KAW33TAD晶振频率：10-40MHZ尺寸：7.0*5.0*1.7mm
具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度：最高1.0 mm,体积：0.007 cm3,重量：0.024g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.（可对应回流焊） 无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
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京瓷晶振,贴片晶振,KT5032晶振,微蜂窝晶振频率：10-40MHZ尺寸：5.0*3.2*1.7mm
5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
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京瓷晶振,贴片晶振,KT3225晶振,3225GPS晶振频率：10-52MHZ尺寸：3.2*2.5*0.8mm
3225mm体积的晶振,可以说是目前小型数码产品的福音,目前超小型的智能手机里面所应用的就是小型的石英晶振,该产品最适用于无线通讯系统,无线局域网,已实现低相位噪声,低电压,低消费电流和高稳定度,超小型,质量轻等产品特点,产品本身编带包装方式,可对应自动高速贴片机应用,以及高温回流焊接（产品无铅对应）,为无铅产品.
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京瓷晶振,贴片晶振,KT2520晶振,KT2520K26000ZAW18TAS晶振频率：10-52MHZ尺寸：2.5*2.0*0.8mm
普通石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机告诉安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
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京瓷晶振,贴片晶振,KT2016晶振,KT2016K26000BCW18ZAS晶振频率：10-52MHZ尺寸：2.0*1.6*0.8mm
贴片石英晶振最适合用于车载电子领域的小型表面贴片石英晶体谐振器.也可对应有高可靠性要求的引擎控制用CPU的时钟部分简称为时钟晶体振荡器,在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
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京瓷晶振,贴片晶振,KT1612晶振,特定小功率无线用晶振频率：10-52MHZ尺寸：1.65*1.25*0.55mm
小型表面贴片晶振型,是标准的石英晶体谐振器,适用于宽温范围的电子数码产品,家电电器及MP3,MP4,播放器,单片机等领域.可对应8.000MHz以上的频率,在电子数码产品,以及家电相关电器领域里面发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
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KDS晶振,贴片晶振,DSK324SR晶振,高精准时钟晶振频率：32.768KHZ尺寸：3.2*2.5*0.9mm
小体积SMD时钟晶体谐振器,是贴片音叉晶体,千赫频率元件,应用于时钟模块,智能手机,全球定位系统,因产品本身体积小,SMD编带型,可应用于高性能自动贴片焊接,被广泛应用到各种小巧的便携式消费电子数码时间产品,环保性能符合ROHS/无铅标准.
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KDS晶振,贴片晶振,DSK321STD晶振,高精度计时用晶振频率：32.768KHZ尺寸：3.2*2.5*0.9mm
石英振荡器,OSC应用：无线通信,智能手机,平板笔记本,计算机,全球GPS定位系统,WLAN网络产品等.VC-TCXO应用：智能手机晶体,无线基站,精密仪器,GPS卫星,汽车应用等晶体滤波器应用无线收发器,智能手机,无线网络发射,GPS全球定位等等.
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KDS晶振,贴片晶振,DSG221STA晶振,共享单车密码锁用晶振频率：9.6-52 MHz尺寸：2.5*2.0*0.8mm
贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压，内部集成了相应IC与电容电阻，需要在净化万级车间生产，并且在密封机器设备中焊接加盖，内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一
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