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Transko晶振,贴片晶振,CS32晶振,3225汽车晶振

频率：8.000MHz - 156.25MHz

尺寸：3.2 x 2.5 x 0.7mm

3225mm，2520mm，2016mm贴片晶振系列，其产品晶体晶片采用了真空退火技术：高真空退火处理是消除在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷。在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线，使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火，通过合理的真空退火技术可提高产品的主要参数的稳定性，提高产品的年老化特性。

咨询热线：0755-27872782

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Transko晶振,贴片晶振,CS32晶振,3225汽车晶振， 1992年 - 成立为电子元件进口商/出口商

1993年 - 在加利福尼亚州拉古纳山开设制造工厂

1994年 - 半成品振荡器模块是主要产品

1996年 - 开始生产成品晶体振荡器

1997年 - VCXO系列被引入

1997年 - TCXO系列被引入

1997年 - 经历了非常大的增长

1998年 - 搬迁到加利福尼亚州阿纳海姆的一个更大的设施

1998年 - 介绍了产品的表面贴装线

1999年 - 成为合并

1999年 - 阿纳海姆工厂扩建以适应增长

2001年 - 获得了新的底盘和新的最后一台电镀机，Transko晶振,贴片晶振,CS32晶振,3225汽车晶振 TH-1 890

智能手机晶振,产品具有高精度超小型的表面贴片型石英晶体振荡器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.Transko晶振,贴片晶振,CS32晶振,3225汽车晶振 TH-2 890

Transko晶振规格	单位	CS32晶振频率范围		石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	8-156.25MHz	标准频率
储存温度	T_stg	-55°C ～125°C	裸存
工作温度	T_use	-0°C ～ +70°C	标准温度
激励功率	DL	300μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (标准), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息, /
频率温度特征	f_tem	±20 × 10^-6/25°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	18PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±2 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

TH-3 890

CS32

TH-4 890

存储事项，Transko晶振,贴片晶振,CS32晶振,3225汽车晶振

(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶体产品时，会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些晶体产品，并在开封后尽可能进行安装，以免长期储藏。

正常温度和湿度：

温度：+15°C 至 +35°C，湿度 25 % RH 至 85 % RH（请参阅“测试点JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的标准条件”章节内容）。

(2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。

安装时注意事项

耐焊性

加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接晶体产品，建议使用SMD产品。在下列回流条件下，对晶体产品甚至SMD产品使用更高温度，会破坏产品特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些产品之前，应检查焊接温度和时间。同时，在安装条件更改的情况下，请再次进行检查。如果需要焊接的晶体产品在下列配置条件下进行焊接，请联系我们以获取耐热的相关信息。

（1）柱面式产品和DIP产品

型号焊接条件

[ 柱面式 ]

C-类型，C-2-类型，C-4-类型 +280°C或低于@最大值5 s

请勿加热封装材料超过+150°C

[ 柱面式 ]

CA-301

[ DIP ]

SG-51 / 531, SG-8002DB DC,

RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s

请勿加热封装材料超过+150°C

(2)SMD晶体产品回流焊接条件（实例）